H03K 3/47 — с использованием параметронов

Номер патента: 170201

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Гусев, Юркевич

МПК: G06F 1/00, H03K 3/47

Метки: 170201

...чаюигийй поура, от,щенияи заданых рабдуктивней точкести, по Параметрон, в схеме, содержащи ся тем, что, с це. напряжения пара те и сокращения источник тока см метрона подсоеди цам нелинейнойным к линейным е ыполненнь й два конт ью повы етрона пробмоточн ещения ин нен к общ ндуктивно мкостям,выходного ной частоот, в нем ого параи к кон- дсоединенодписная группа М 17 Известны параметроны, выполненные по балансной схеме и содержащие два контура.Предлагаемый параметрон отличается от известных тем, что в нем источник тока смещения индуктивного параметрона подсоединен к общей точке и к концам нелинейной индуктивности, подсоединенным к линейным емкостям.Это позволяет повысить выходное иапряже. ние параметрона при заданной частоте и...

Номер патента: 173023

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: G06F 1/00, H03K 3/47

Метки: 173023

...033 ЗТ 3 ДЛ 5 ПСРЕДЗЧИ ПифИРМЗЦПИ ОТ)д 1)ог) Израметропа к друИму, то есть мокИО управл 531 ь усззпОВ 1(ОЙ фгзь) В Идиом пзрзмет 1)0130 с 2)омоп 110,Ц)У)з 3.В 35(МсчФЛуроп(ие Обоз 1)ения:г+ - 1(4: 15;ф)1 гу 1)с связи при прогпвофазиом(юстояпип парам,.гропов,1 - 1 ок В коп)1)с сВЯ;и, к)Гдз колсбашя ви)р)ме)1) )Зх пзход 53 .я В )1)(зе.Пусть мы ХО)пм управлять ко)(баии)л)и паралсриз 2 с полиппьн) из 1)1)л)е)ропа 1. 1(,аквидно )1 з сооВ,иисипй (3) и 4), 1 ри различпых коэффппс зх трдпсформ)Ви /г) и /гатоки 13 парам.Гроп;.х 1 1 " )р) Оипз)В)мтоке В 1(о)ьзуре связи б",уг рзл,11 л 1. Еслипыорзть коз 1)ф 1 цпеп)ы ра)с 1)01)лзции такимобразом, чИб, Ири прот капии по контурусвя:331 зз)кз 1 ток 1 - ":Ь) ).1)3)л кр 1)тРескичдля...

Номер патента: 173026

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Голованова, Дементьев, Игнатенко, Институт, Кост, Парсанов, Тлов, Черепов

МПК: G06F 1/00, H03K 3/47

Метки: 173026

...тонкой магнитной пленки, Пленка нанесена с одной стороны первой стеклянной подложки. С другой 10 стороны подложки помещена резонансная оомотка, Обмотка накачки нанесена с одной стороны второй стеклянной подложки, прикрепленной к пленке второй стороной. Это позволяет упростить технологию производства 15 полностью пленочного параметрона, частота накачки которого далека от частоты собственного ферромагнитного резонанса.На чертеже представлена конструкция предлагаемого параметрона.20При возбуждении параметрона, не содержащего дополнительной емкости в параметрическом резонансном контуре, в области ферромагнитного резонанса необходимы большие значения переменных полей, Однако, субгармонические колебания магнитного момента в пленках...

Номер патента: 265944

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H03K 3/47

Метки: 265944

...У. (вход),40 Через малые отверстия на участке 4 управления проходит шина тока ,р у рправления. Н же участок намотана выход- связью. а этот жеажимам котоная обмотка параметрона, к зажим .Л (входные церой подключаются нагрузка и (в пи параметронов другой тактовой группы),Степень магнитной связи контурной и выходной обмоток параметрона характеризуетсянффициентом магнитнои связи Км, рК опредекоэффляемым как среднее геометрическоее из отношений потока взаимной инду цк ии к полному магнитному потокуКм = (1)ОО Где ф 2 и ф - м, - . агнитные потоки взаимнои индукции;71 И ( -, - полные магнитные потоки, обусловленные токами в контурнойи выходной обмотках.П и рассмотрении эквивалентной схемы магнитной цепи выражение 11) принимает вид где Я Р и...

Номер патента: 314309

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Внглнн, Кйрозков, Корнет

МПК: H03K 3/47

Метки: параметрический, триггер

...емкости равно приращению его за время разряда, причем величины этих приращений значительно меньше постоянной составляющей, эти напряжения практичен(и можно считать постоянными, Величина постоянной составляющей напряжения прямо пропорциональна длительности открытого состояния перехода и обратно пропорциональна длительности запертого состояния его. Изменяя величину сопротивления цепочки автосмещения, можно менять постоянную составляющуо напряжения на ней.Постоянное напряжение на цепочке автосмещения, находящейся в ветви открытого перехода, образуется за счет постоянной составляющей тока разряда общей запоминающей емкости.Если схема находится в первом состоянии,то напряжение на общей запоминающей емкости будет положительно, Напряжение,...

Номер патента: 330530

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Виглин, Корнет, Коробков

МПК: H03K 3/47

Метки: импульсов, параметрический, формирователь

...использвать:я р-и-переход полупроводникового диода илц транзистора, варикап, 15 параметрический диод.Работа формирователя рассматривается врежиме установившихся колебаний, который характеризуется тем, что,при некоторой определенной фазе входного напряжения пронсхо дит запирание перехода, в,результате чего начинается ударное параметрическое возбуждение контура ца его собственной частоте. Напряжение на переходе определяется как алгебраиче:кая сумма возбужденного и внешнего 25 колебаний, цо так как внешняя частота т(огттура больше частоты внешнего сигнала, то форма напряжения ца переходе, в основном, определяется формой возбуждения колебания.Так как по мере возрастания запирающего 30 напряжения на переходе емкость его умень330530...

Номер патента: 351304

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Закотин

МПК: H03K 3/47

Метки: параметронов, связью

...В интервале времени (1, - с) возбуждены только параметроны 2 и 4. Колебания, установившиеся в этих параметроцах, являются управляющими для параметроцов 1 ц 3. В момент времени г 2 в параметроны первой тактовой группы (1 и 3) подается импульс возбуждения.Чтобы исключить влияние обратных сигналов на процесс установления фазы колебаний в параметроцах 1 ц 3 к моменту времени 2 связь между параметроцамц 3, 41, 2, должна быть ослаблена.Для этого импульс тока управления (фиг. 2,б) должен опережать импульс тока возбуждения (фцг. 2,а) ца интервал Л 1, длительность которого выбирается цз условия Л 1)т где т - время перемагничивания рабочей области участка управления сердечника. В интервале времени (тз - в) происходит усгановление фазы...

Номер патента: 403064

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H03K 3/47

Метки: 403064

...стороне сегцетокерамической пластины 7.Нелинейный элемент расположен в углублеции, выбранном в металлической плате - осцовациц 9 ц изолирован от этой платы с помощью слюдяной прокладки 10. Образующаяся при этом емкость служит в качестве блокировки при подаче ца целццейцый элемецтпостоянного напряжения смещения. Второй обкладкой блокировочной слюдяной емкости служит металлическая пластина 11, к которой сегнстокерамическая пластина 7 припаяна.металлизированной плоскостью,Нелинейный элемент расположен также в вырезе диэлектрической пластины 12, метал- лизированной (фольгироваппой) с нижней стороны. Эта металлизированная сторона имеет электрический контакт по всей поверхности с металлической платой - основанием 9. Нелинейный элемент...

Номер патента: 412676

Опубликовано: 25.01.1974

МПК: H03K 3/47

Метки: 412676

...напряжения на цепочке смещения и низкочастотной составляющей колебания, выделяемой вспомогательным контуром. В установившемся режиме при некоторой определенной фазе входного сигнала происходит запирание диода, в результате чего имеет место ударное возбуждение на частоте основного контура. При этом напряжение на диоде определяется алгебраической суммой свободной и вынужденной составляющих колебания. Но так как собственная частота основного контура больше частоты входного сигнала, то форма напряжения на диоде определяется формой возбужденного колебания, кроме того, это обуславливает пребывание диода в запертом состоянии в течение короткого промежуточното времени, меньшего половины периода входного сигнала. Когда напряжение на диоде...

Номер патента: 502485

Опубликовано: 05.02.1976

Авторы: Коваль, Лавриненко

МПК: H03K 3/47

Метки: параметрон

...элемента.На фиг. 1,а и б, и фиг. 2 показан предложенный параметрон, варианты.Параметрон представляет собой пьезотрансформаторный элемент 1 (а - биморфный, б - однослойный), закрепленный с обеих сторон на опоре 2 (например, с помощью клея). Пьезоцрансформаторный элемент выполнен из пьезокерамических пластин, поляризованных по толщине, на которые нанесены электроды заданной конфигурации.Биморфный элемент может быть заключен в возбудитель 3 (см. фиг. 2). В обоих случаях пьезотрапсформаторный элемент представляет собои параметрическую резонансв которой возможно возбуждениРезонансной частотой 1 р или чной ей.5 Устройство работает следующим образом.При приложении напряжения к входнымэлектродам (фиг. 1) за счет обратного...

Номер патента: 595848

Опубликовано: 28.02.1978

Автор: Чередников

МПК: H03K 3/47

Метки: параметрическое

...3, Обмотка накачки 13 дополнительного сердечника 12 включена между генератором и обмотками накачки 4, 5 согласно с ними. Дополнительные обмотки управления 18, 19 соединены встречно и в противофазе с обмотками управления 6, 7, Резонансная обмотка 14 дополнительного сердечника 12 вкгддочена между первой КС-цепью, состоящей из резистора 10 и конденсатора 11, и резонансной обмоткой 9 основного сердечника 3 встречно ей. Вторая резонансная обмотка 15 дополнительного сердечника 12 включена между второй КС-цепью, состоящеи из резистора 16 и конденсатора 17, и рсзонансной обмоткой 8 основного сердечника 2 встречно сй.Параметрическое устройство работает следующим образом,11 а входы 20, 21 подаются управляющие напряжения. По обмоткам накачки 13, 4,...