Транзисторный логический элемент с резервированием
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
203730 О П И С А Н И ИЗОБРЕТЕН И К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республикйьа, -зватфев метЛЕЗЗРтфе Зависимое от авт. свидетельстваКл, 21 ат, 36/18 Заявлено 04.Л 1,1966 ( 1090425/26-24) рисоединением заявки1 ПК Н 061 сДК 681.142.07(0 иоритет Комитет по делам зобретений и открытий ори Совете Министров СССРОпубликовано 09.Х,1967. Бюллетень21Дата опубликования описания 14,Х 11,1967 авторыизобретени тарос, И, В. Берг и Г. К. Симон аявител РАНЗИСТОРНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕН С РЕЗЕРВИРОВАНИЕМИзвестны транзисторные логические элементы с резервированием с резистором, включенным в их коллекторные цепи, в которых базы транзисторов разделены и через резисторы подключены ко входным зажимам.Предложенный элемент отличается от известных тем, что в цем эмиттеры транзисторов подключены к раздельным шинам, которые через ключи подсоединены к общей шине.На чертеже показан предложенный элемент.Он содержит два резервируемых транзистора 1 и 2, которые включены по схеме с общим эмиттером и объединены коллекторами, Точка объединения подключена к выходной клемме схемы, Через резистор у коллекторы транзисторов подключены к источнику питающего напряжения 4. Входные клеммы схемы подключены к базам транзисторов через резисторы б, б, 7 и 8, причем к базе каждого транзистора подключено два резистора, на которых с учетом порога включения транзиторов, реализуется логическая функция ИЛИ. В коллекторе транзисторов получается инвертированный сигнал относительно базового.Таким образом, при подаче на входы 9 и 10 сигналов в прямом коде, на выходе 11 получают функцию ИЛИ - НЕ от входных сигналов, Предполагается, что уровню 1 соответствует высокии отр нциал, а уровню О - пот куровню земли,Базы резервируемых транзисторов 1 и 25 раздельны, олагодаря этому схема нормальнофункционирует при любом единичном обрывевыводов транзисторов ц прц любом нарушении контакта одного цз резисторов. При обрыве коллекторного вывода одного цз трац 10 зисторов, получающийся диод база-эмцттерне подключен непосредственно в параллельс входным резистором оставшегося транзистора. Вследствие этого шунтирующее влияние диода оказывается резко ослабленным и15 оставшийся транзистор обеспечивает нормаль.цое функционирование схемы. Короткое замыкание база - эмиттер одного цз транзисторов также не приводит к безусловному отказу,Эмиттеры пары резервируемых транзцсто 20 ров также раздельны. Подачей на любую изэмиттерных шин запирающего потенциала впроцессе профилактики может быть определен отказ любого из двух транзисторов.Таким образом, прн многоразовом исполь 25 зованци схемы получается значительный выигрыш в надежности, Вероятность безотказной работы предлагаемой схемы можно поддерживать на любом требуемом уровне.Даже в случае равновероятности отказов30 типа короткое замьпсание ц обрыв предедак Заказ 3836/5 Тираж 535 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д, 4 1 пография, пр, Сапунова,) 13лагаемая схема Ьййичивает среднее времямежду отказамувцаава рева.., ъ Ф 5Предадет изобретения Транзисторный логический элемент с резервированием на двух транзисторах с резистором, включенным в их коллекторные цепи, в котором базы транзисторов разделены и через резисторы подключены ко входным зажимам, отличающийся тем, что, с целью по вышения его надежности, эмиттеры транзисторов подключены к разделенным шинам и через ключи подключены к общей шине.
СмотретьЗаявка
1090425
Ф. Г. Старое, И. В. Берг, Г. К. Симонов
МПК / Метки
МПК: H03K 19/09, H05K 10/00
Метки: логический, резервированием, транзисторный, элемент
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-203730-tranzistornyjj-logicheskijj-ehlement-s-rezervirovaniem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Транзисторный логический элемент с резервированием</a>
Предыдущий патент: Устройство для задержки импульсов
Следующий патент: Способ группообразования соединительнб1х путей в координатных атс малой емкости
Случайный патент: Способ разработки весьма тонких пологих угольных пластов