H03F — Усилители

Номер патента: 1136719

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Филиппов, Хрущев

МПК: H03F 3/26

Метки: двухтактный, мощности, усилитель

Двухтактный усилитель мощности с выходным трансформатором, содержащий оконечный усилитель с входным трансформатором, выполненный на N параллельно соединенных транзисторных ключах, предварительный усилитель с переходным трансформатором, вторичная обмотка которого подключена к первичной обмотке входного трансформатора, каждая вторичная полуобмотка которого подключена к базо-эмитерным переходам N/2 параллельно соединенных транзисторных ключей, при этом первичные полуобмотки выходного трансформатора и вторичная обмотка входного трансформатора выполнены в виде объемных витков, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД, первичные полуобмотки выходного трансформатора индуктивно связаны с...

Номер патента: 1840157

Опубликовано: 27.07.2006

Авторы: Аболдуев, Крауз, Сарычев

МПК: H03F 3/60

Метки: балансный, микрополосковый, мощный, свч, усилитель

1. Микрополосковый мощный балансный усилитель СВЧ, содержащий входной квадратурный мост, между выходами которого и входами выходного квадратурного моста включены каналы, каждый из которых включает усилительный элемент с согласующими цепями на входе и выходе, отличающийся тем, что, с целью повышения выходной мощности и коэффициента усиления за счет подавления паразитных колебаний на частотах диапазона рабочих частот, в него введены четыре фильтрующие цепи, каждая из которых выполнена в виде четвертьволнового на центральной частоте рабочего диапазона отрезка высокоомной линии передачи, одним концом подключенного к точке соединения разомкнутого на конце четвертьволнового на центральной частоте низкоомного отрезка, и резистора,...

Номер патента: 1840558

Опубликовано: 10.09.2007

Авторы: Дорофеев, Каменецкий, Леуский, Чернявский

МПК: H01L 29/78, H03F 3/60

Метки: кристаллодержатель, транзистора, широкополосный

Широкополосный кристаллодержатель транзистора, содержащий удлиненную диэлектрическую подложку с односторонней металлизацией в виде расположенных вдоль продольной оси полосковых зондов связи с прямоугольными волноводами, соединенных с входной либо выходной полосковыми линиями, подключенными соответственно к затвору и стоку полевого транзистора, и полосковых короткозамыкателей, подключенных к истокам транзистора, отличающийся тем, что транзистор выполнен в виде кристалла, полосковые короткозамыкатели - в виде реактивных шлейфов, а соединение затвора, стока и истоков с соответствующими полосками обеспечивают через введенные металлические столбики, которые соединены с контактными площадками кристалла введенными проволочными перемычками и...