Патенты с меткой «транзисторный»

Номер патента: 1791927

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Белов, Глазенко, Хрисанов

МПК: H02H 7/10, H02M 1/08

Метки: ключ, переменного, транзисторный

...10 еще закрыт, а сигнал низкого уровня с его выхода, поступая на инвертирующий вход логического элемента И 11 разрешает прохождение сигнала с вы хода усилителя оптрона через неинвертирующий вход логического элемента И 11 на его выход. При отсутствии перенапряжений на силовом транзисторном ключе 1 работа элемента ИЛИ 12 не отличается от рассмотрен 55 5 10 15 20 25 30 35 40 при низком уровне сигнала на его стробиру. ющем входе присутствует сигнал низкого уровня, При отсуствии на силовом транзисторном ключе перенапряжений стабилитрон 4 закрыт, а сигнал, снимаемый с делителя на резисторах 5 и 6 и поступающий на вход защиты от перенапряжений блока управления 7 и на второй вход элемента ИЛИ 12, имеет низкий уровень. При этом сигнал низкого...

Номер патента: 1791931

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Букчин, Кирияйнен

МПК: H02M 3/335

Метки: однотактный, постоянного, постоянное, транзисторный

...узел отрицательной обратной связи 13 - с конденсатором 3. Узел отрицательной обратной связи 13 содержит усилитель обратной связи 14, выход которого является выходом узла 13, источник опорного напряжения на полевом транзисторе 15 и резисторе 16, подключенный к инверсному входу усилителя 14, делитель напряжения на ревизорах 17 и 18,подвижный контакт которого подключен к прямому входу усилителя 14;Транзистор 19 подключен силовой цепью параллельно резистору 17, База этого резистора соединена с коллектором транзистора 20 и через резистор 21 - с конденсатором 3, Эмиттер транзистора 20 соединен с выводом -Е источника питания, База этого транзистора через светочувствительный элемент 22 подключена к конденсатору 3; а через резистор 23 - к...

Номер патента: 1798737

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Пятыхин

МПК: G01R 29/12

Метки: выхода, работы, транзисторный, электронов

...можно совместить в одном приборе устройство для замера КРП и оптическую систему, позволяющую производить 45 выбор микрообъектов для измерений, как это выполнено в других совмещенных ириборах, микротвердомерах типа ПУТ-З,Техническое обоснование работоспособности предлагаемого способа заключается в следующем, При контакте металла и полупроводника донорного типа базовой области (например, для транзистора типа р-и-р) за счет разности работ выхода происходит ионизация базовой области и, следовательно, изменение тока 1, протекающего через транзистор.Пусть термодинамическая работа выхода металла выше работы выхода полупроводника, Так как уровень Ферми в полупроводнике расположен выше, чем в металле, то поток электронов из полупроводника будет...

Номер патента: 1798910

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Дерзибашев

МПК: H03K 17/60

Метки: включения, дополнительной, ключ, нагрузки, постоянного, транзисторный, цепь

...потребляемого тока.Целью изобретения является упрощение схемы и повышение. экономичности. 10На чертеже представлена блок-схемаустройства для автоматического включениянагрузки в цепь постоянного тока.Устройство для автоматического включения нагрузки в цепь постоянного тока содержит последовательно соединенные сшиной 1 источника питания диодную цепочку из двух диодов 2 и 3 в прямом вклюцениии источник сигнала 4 со встроенным выключателем питания 5, изменяющий велицину 20потребления тока. Кроме того, устройствосодержит транзистор 6, переход эмиттербаза которого подключен параллельно диодной цепочке, эмиттер транзистора 6соединен с шиной 1 источника питания, коллектор транзистора 6 соединен с коммутируемой дополнительной нагрузкой 7....

Номер патента: 1798912

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Коняхин, Свиридов

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...компаратора, обусловленный встречным включением фотодиодов оптопар 12 и 13.Использование оптопар 12 и 13 в режиме генераторов фотоЭДС повзоляет достичь практически предельного быстродействия устройства.В качестве силового транзистора 1 могут использоваться транзисторы практически любых типов - биполярные обоих типов проводимости, МОП- и СИТ-транзисторы, на комбинации, параллельное соединение приборов, составные транзисторы,В случае применения транзисторного ключа в маломощных устройствах при обеспечении необходимой мощности управления возможно подключение управляющего вывода транзистора 1 непосредственно к выходу компаратора 7, В этом случае роль .цепей отпирания 5 и запирания б будут играть выходные каскады компаратора.В ряде случаев...

Номер патента: 1798913

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Уманский

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...- диод 14 - второй силовой вывод 9, Диод 5 при этом заперт, На базе транзистора 13 типа р-и-р в этих условиях 20 создается положительный перепад напряжения, обеспечивающий надежное запирание этого транзистора, а на базе транзистора 2 типа и-р-и - тоже положительный перепад напряжения, обеспечивающий отпирание этого транзистора. Соответственно. транзистор 1 удерживается в запертом состоянии. Величина запирающего напряжения на базе транзистора 13 ограничивается с помощью диода 14, После 30 окончания процесса заряда конденсатора 6 ток заряда прекращается и транзистор 2 запирается, Ток заряда ограничивается сопротивлением внешней нагрузки ключа.При появлении на шинах 10. 11 управ ляющего напряжения Еупр от выхода источника 3 происходит...

Номер патента: 1800607

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Чайка

МПК: H03K 17/08, H03K 17/60

Метки: ключ, мощный, транзисторный

...такое сочетание тока коллектора и напряжения на нем, которое не выходит из области безопасной работы, только теперь при закрытии коммутирующего транзистора 1. Ток, протекающий по цепи: диод 6 - конденсатор 5, во время закрытия коммутирующего транзистора 1 заряжает конденсатор 5. Уменьшение тока в коллекторной цепи коммутирующего транзистора 1 и последовательно включенной цепи коммутирующего транзистора 1 ипОследовательно включенной с ней индуктивности 2 приводит к возникновению на ее выводах ЭДС (е = - - - )с полярностью,бвключенной согласно с напряжением силовой цепи. Чтобы снизить перенапряжение в цепи эа счет возникшей ЭДС, необходимо снизить скорость изменения тока в индуктивности, т.е. искусственно увеличить постоянную времени...

Номер патента: 1800608

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Балашов, Безсалов, Захожий

МПК: H03K 17/08

Метки: защитой, ключ, перегрузки, транзисторный

...цепи силового транзистора 1 повышается, при этом увеличивается эмиттерный ток силового транзистора 1 до величины, необходимой для включения оптрона 5.Подбором величины резистора 3 выбирается порог срабатывания оптрона 5. Включение оптрона 5 вызывает срабатывание блока 6 сигнализации, на входе которого формируется перепад напряжения с высокого уровня в низкий (отрицательный фронт). При поступлении отрицательного фронта через линию 12 задержки на базу силового транзистора 1 происходит закрывание силового транзистора 1 и выключение оптрона 5, при этом через резистор 4 на выходе блока 6 сигнализации устанавливается положительный уровень и через линию 12 задержки положительный потенциал поступает на базу силового транзистора 1, открывая...

Номер патента: 1800610

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Долинский, Мачинский, Сидорович, Черников

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...поступающим от источника питания через резистор 14 на его вход. Открытый управляющий элемент 12 шунтирует база - эмиттерный переход транзистора 1. Когда на входе устройства появляется управляющий положительный 10 15 20 25 30 35 40 сигнал, то открывается транзистор 13, шунтируя тем самым вход управляющего элемента 12, последний закрывается, начинает заряжаться конденсатор 8 по цепи; управляющий вход устройства, резистор 7, базаэмиттерный переход транзистора 1, который в процессе заряда конденсатора 8 насыщается, В этом случае напряжения на базе транзистора 2 достаточно, чтобы открыть его до насыщения, При отсутствии короткого замыкания напряжение на коллекторе транзистора 2 становится максимальным, и его коллекторный ток...

Номер патента: 1810994

Опубликовано: 23.04.1993

Автор: Фишин

МПК: H03K 17/04

Метки: ключ, транзисторный

...2, что вместе с увеличением открывающего напряжения на переходебаза-коллектор транзистора 4 увеличиваетоткрывающее напряжение на переходе ба, за-коллектор транзистора 3,У открытого транзистора 3 ток базы и ток коллектора возрастают, а у транзистора5 10 15 4 ток базы уменьшается, а ток коллектора увеличивается: происходит стабилизация режима транзистора в открытом состоянии на границе между режимом насыщения и линейным режимом в точке резкого изменения статического коэффициента передачи тока базы.При этом транзистор 3 работает в инверсном режиме (коллекторный переход открыт, эмиттерный закрыт), который в случае применения несимметричного транзистора характеризуется низким статическим коэффициентом передачи тока базы, что в данном...

Номер патента: 1810995

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Мачинский, Сидорович

МПК: H03K 17/08, H03K 17/78

Метки: ключ, транзисторный

...1 подключен между базой ключевого транзистора 6 и общей шиной, Коллектор фототранзистора 4.2 оптопары 4 подключен к базе ключевого транзистора 6,Транзисторный ключ работает следующим образом.При поступлении открывающего сигнала от источника 1 отпираются транзисторы 5 6 и 7, и через нагрузку протекает ток поцепи: шина источника питания, змиттерноколлекторный переход. транзистора 7, датчик тока 8, нагрузка 9, общая шина. Транзистор 5 заперт, так как падение напряжения на дат чике тока 8 не хватает для его отпирания, цепьсветодиодов оптопар 3, 4 обесточена, фото- транзистор 3.2 оптопары 3, фототранзистор 4;1 оптопары 4 закрыты. При возникновении короткого замыкания в нагрузке, падение 15 напряжения на датчике 8 увеличивается истановится...

Номер патента: 1810998

Опубликовано: 23.04.1993

Автор: Шишляков

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...элемента,В нормальном режиме при подаче управляющего сигнала на вход ключа на выходе логического элемента И-НЕ 8 появляетсянулевой потенциал(на втором входе присутствует высокий потенциал так как транзистор 1 закрыт), Но так как конденсатор вэлементе задержки 9 находился в заряжен "ном состоянии, то на втором входе логического элемента И 7 присутствует также 40 4 Б БО ББ высокий потенциал. Следовательно на его выходе появляется высокий потенциал, который открывает транзистор 1 (емкость конденсатора элемента задержки 9 выбирается из условия надежного включения транзистора 1), Открывшийся транзистор 1 шунтирует через диод 3 делитель напряжения на резисторах 4, 6 и на выходе логического элемента И-НЕ 8 появляется высокий потенциал,...

Номер патента: 1810999

Опубликовано: 23.04.1993

Автор: Гутьер

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...ному перераспределению токов в цепях база-эмиттер и база 5 10 коллектор и значительному росту напряжения коллектор-эмиттер. При наличии транзистора 7 с большим выходным динамическим сопротивлением ток в цепи база-коллектор транзистора 1 мало зависит 20 от изменения напряжения на его переходах коллектор-эмиттер и коллектор-база, Поэтому напряжение коллектор-эмиттер практически не отличается от насыщенного режима, Несмотря на отсутствие линейной 25 зависимости между коллекторным током транзистора 1 и диода б, наличие тока в. цепи база-коллектор приводит к резкому уменьшению избыточного заряда в области коллектора, что приводит к практическому 30 устранению задержки при выключении транзистора. Практика применения мощных, особенно...

Номер патента: 1811000

Опубликовано: 23.04.1993

Автор: Уманский

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...первого диода 3, анод которого денсаторе 9, передается током Ь в конденсоединен с базой первого транзистора 1. сатор 5 через обмотку 15 трансформатораПараллельнопервомудиоду 3 включентоко и через диод 10 (фиг, 2, в). Эта энергияограничивающийэлемент 4 40 расходуется на поддержание тока базыВ отличие от устройства по основному . транзистора 1 и открытого состояния ключаизобретению первая обмотка 15 трансфор- в течение всей длительности импульса Т (отматора 14 включена между эмиттером вто- . Т до Тз). Напряжение Ек на ключе имеетрого транзистора 2 и анодом второго диода. форму, показанную на фиг.2, г, Ток 1 д через10, катод которого соединен с катодами пер нагрузку 19 имеет форму прямоугольногового 3 и третьего 11 диодов. При этом анод...

Номер патента: 1811001

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Сидорович, Черников

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...12, дроссель 13, нагрузку 14, диоды 15, 16.Транзисторы 1 и 2 одного типа проводимости подключены эмиттерами к плюсовой шине источника питания, к которой также подключены первый вывод резистора 8, первый вывод резистора 10, катод диода 15 и первый вывод реле 12, второй вь 1 вод которого подключен к катоду диода 15 и к коллектору транзистора 4, база которого через резистор 6 соединена с выходной шиной, к которой через резистор 7 подключена база транзистора 3 такого же типа проводимости, что и транзистор 4, а эмиттер транзистора 3 соединен с общей шиной, с которой 25 соединены также эмиттер транзистора 4, анод диода 16 и второй вывод резистора 14, первый вывод которого подключен ко второму выводу дросселя 13, первый вывод которого...

Номер патента: 1812631

Опубликовано: 30.04.1993

Автор: Калимуллин

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...силового транзистора 2, ограничитель тока 8, первый конденсатор 25 12, второй диод 10 и первый резистор 15 наобщую шину. При этом напряжение на первом конденсаторе 12 увеличивается пропорционально току выходной шины 6, Ограничителем тока 8 устанавливается без опасный уровень базового тока второго силового транзистора 2, После рассасывания заряда в базе, второи силовой транзистор 2 начинает закрываться, при этом напряжение на его коллекторе начинает увеличи ваться, следовательно увеличивается инапряжение на третьей управляющей шине 5. Первый конденсатор 12 дополнительно заряжается по цепи; третья управляющая шина 5, третий конденсатор 14, первый кон денсатор 12, второй диод 10 и первый резистор 15.Таким образом, напрякение на...

Номер патента: 1812632

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Долинский, Мачинский, Сидорович

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...13, последний отпирается и подключает реле 24 к общей шине, Реле 24 срабатывает, его нормально разомкнутые контакты 25 замыкаются и подсоединяют эмиттер транзистора 2 к выходной шине 9. При этом отпирается транзистор 2 и ега коллекторный ток поступает на базу транзистора 3, По истечении положительного импульса, сформированногб одновибратором 23, открытое состояние транзистора 3 поддерживается коллекторным током транзис."ара 2,При подаче на входную шину 10 запирающего сигнала положительной полярности открывается транзистор 14 и шунтирует базаэмиттерный переход транзистора 3, который, закрываясь, вызывает запирание транзистора 1 и отключение питания от выходной шины 9; Одновременно с транзистором 14 отпирается транзистор 12,...

Номер патента: 1815775

Опубликовано: 15.05.1993

Автор: Скачко

МПК: H02M 7/538

Метки: инвертор, транзисторный

...коллектора транзистора 1 понизится, транзисторы 11 и 3 будут оставаться закрытыми и после окончания всплеска от ЯС-цепи 13, так как падение напряжения перехода коллектор -эмиттер открытого (до насыщения) транзистора 1, даже если он мощный, меньше суммарного напряжения переходов база - эмиттер двух маломощных транзисторов 11 и 3, На время закрытого состояния транзистора 11 второй вход логического элемента 10 примет положительный потенциал благодаря его связи через резистор 21 с положительной шиной питания. Если напряжение первичной сети повышено (515 В), то во избежание дополнительных потерь мощности на резисторах 19, 20 целесообразно уменьшить падение напряжения на этих резисторах за счет противофазного включения в цепи их тока...

Номер патента: 1817236

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Комаров, Мартынов, Салацкий

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, силовой, транзисторный

...существенно меньше тока на грузки, что значительно снижает мощностьпотерь в цепях управления, а следовательно повышает КПД устройства в целом.При подаче отрицательного сигнала управления на входную клемму 11, отрицательный потенциал через резистор 7Силовой транзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, два управляющих транзистора, источники отпирающего и запирающего напряжения, резистор, диод, база силового транзистора соединена с эмиттерами управляющих транзисторов, эмиттер силового транзистора - со средней точкой источников отпирающего и запирающего напряжений, а базы управляющих транзисторов соединены с одним из выводов резистора, егораЪ вывод которого подключен к входной клемме, коллектор одного йэ управляющих транзисторов...

Номер патента: 1818673

Опубликовано: 30.05.1993

Автор: Скачко

МПК: H02M 7/538

Метки: инвертор, транзисторный

...включение транзисторов 24 и 2,Включение транзисторов 24, 25 по отношению к транзисторам 2, 3 близко к составному(эмиттеры первых соединены с базами последних), Но составное включение транзисторов, решая задачу согласования выходов логических элементов в микросхемном исполнении с базами силовых транзисторов (при непосредственном соединении коллекторов основного и согласующего транзисторов) не позволяет достичь их насыщения и снизить потери мощности. Известно (см. например, О. А, Коссов. Усилители мощности на транзисторах в режиме переключений. М.: Энергия, 1971, с. 114), что насыщение получается, если напряжение коллектора согласующего транзистора будет выше на 5 10 15 20 25 30 35 40 пряжения коллектора основного трэнзистоВ заявленном...

Номер патента: 1823115

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Мордвинов

МПК: H02M 7/5387

Метки: инвертор, транзисторный

...эмиттерам силовых транзисторов 1-4, каж выполнения сердечников иэ одинакового дый согласующий трансформатор усилите- материала). Например при рабочей частоте лей мощности 16, 17 выполнен на двух инвертора 20 кГц и времени выключения сердечниках 31.1(31.2),32,1(32.2), причем на транзисторов 2 - 3 мкс сечения сердечников одном сердечнике 31.1 (31,2), имеющем могут отличаться в 8-12 раз. В практике большую магнитную проводимость распо из-за ограниченной номенклатуры сердечложены две базовые и две блокирующие ников можно применять сердечники из разобмотки 33,1 - 36.1 (33.2-36,2), а на другом личных материалов. Таким образом с сердечнике 32.1(32,2), имеющем малую маг- момента времени т 1 к транзистору 2 прикланитную проводимость,...

Номер патента: 1823136

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Игумнов, Масловский, Соловьев

МПК: H03K 17/687

Метки: ключ, силовой, транзисторный

...1, Выходные выводы датчика тока 6 подключены к соответствующим управляющим выводом схемы защиты 3,Схема защиты 3 может быть выполнена различным образом. Например, ее выходная часть может быть выполнена с помощью МДП-транзистора, сток и исток которогоподключены к выходным выводам схемы, а на его затвор подается управляющий сигнал с датчика тока 6, который и открывает этот МДП-транзистор в аварийной ситуации, Могут быть использованы и другие, болеесложные варианты схемы защиты, Датчиктока 6 может быть выполнен как в виде резистора, так и и ином виде,Заявляемое устройство работает следующим образом. В рабочем состоянии за 5 10 152025 3035 потерям. В заявляемом устройстве в рабочем режиме биполярный и-р-и транзистор будет шунтировать...

Номер патента: 1824661

Опубликовано: 30.06.1993

Автор: Леонович

МПК: H02M 3/335

Метки: ключевой, транзисторный

...сопротивление 82 резистивного датчика тока 2, т.е. величина напряжения на резистивном датчике тока 2 прямо пропорциональна току силового транзистора 4.Если в момент времени 11 величина тока силового транзистора 4 находится в допустимых пределах, то состояние порогового 5 и триггерного 6 элементов не изменяется и преобразователь продолжает работать.Если в момент времени с 1 величина тока силового транзистора 4 оказалась выше допустимой, то пороговый элемент 5 переключается во второе состояние ч переключает своим сигналом триггерный элемент 6 во второе состояние, что приводит к запиранию силового транзистора 4, т.е. к отключению преобразователя до устранения перегрузки и включения преобразователя пусковым импульсом.При нормальной...

Номер патента: 1824673

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Головин, Сергеев

МПК: H03K 17/687

Метки: ключ, транзисторный

...на первом резисторе 2, что обусловливает ток базы биполярного транзистора б, так как конденсатор 7 заряжается от падения напряжения на резисторе 2, Открывается биполярный транзистор б, что вызыоает увеличение напряжения на затворе транзистора 1, так как через резистор 5 затвор соединяется со,стоком, Степень увеличения напряжения на затворе определяется внутренним сопротивлением источника управляющих Отр имгульсов и емкостью затвор-истокТаким образом на этапе включения МДП-транзистора, когда он входит в линейный режим и должно было бы проявиться5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 негагивное влияние эффекта Миллера, на. пряжение на затворе форсированно увеличивается, чем исключается влияние этого эффекта, Причем увеличение...

Номер патента: 1827049

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Дарчинянц, Ленский

МПК: H03F 3/60

Метки: свч-усилитель, транзисторный

...наличия диэлектрического покрытия на металлической пластинке (или на диэлектрической подложке в зоне полосков 11); Элементы 10 согласования установлены на полосках 8, 9 и 11, Вторые концы полоскав 8 и 9 подключены, соответственно, .к выводу затвора первого транзистора и к выводу с стока четвертого транзистора. Выводы стока полевого транзистора каждого предыдущего каскада (т.е первого, второго и третьего) и выводы затвора полевого транзистора соответствующего последующего каскада (т.е.второго, третьего и четвертого) подключены к разомкнутым концам соответствующих палосков 11. Выводы истока всех полевых транзисторов соединены с кольцевым выступом основания. Металлизированные отверстия 15 выполнены в диэлектрической подложке 6 и...

Номер патента: 1827707

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гураль, Мельничук

МПК: H02M 1/08

Метки: однотактный, транзисторный

...при широтно-импульсном регулировании уменьшение тока коллектора соответствует уменьшению времени открытого состояния силового транзистора 1 (интервал времени 12-М, фиг.2), то при применении устройства в источниках вторичного электропитания, построенных на основе однотактных широтно-импульсных преобразователей, в случае изменения тока нагрузки в широких пределах функционирование предлагаемого устройства не нарушается,ЭДС наведенная в обмотке 5 управляющего трансформатора 2, поддерживает диод б в закрытом состоянии в течение всего полупериода положительного управля ющего импульса (интервал времени 1-14, фиг.2) и накапливает энергию для форсированного закрывания силового транзистора 1 в течение полупериода отрицательного управляющего...

Номер патента: 2001495

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Рязановский, Чупин

МПК: H02M 7/538

Метки: транзисторный

...путем предотвращения воэможности ложных переключений силовых транзисторов.В известном транзисторном преобрвзо вателе, содержащем по меньшей мере двасиловых транзистора, включенных по схеме полумоста, цепь базы каждого из которых соединена через промежуточный усилитель с выходом оптрона, светодиод которого 25 подключен к выходу блока управления, согласно изобретения, каждый оптрон выдоянен в виде транзисторной оптопары, а промежуточный усилитель одного иэ силовых транзисторов выполнен логически ин вертирующим по отношению кпромежуточному усилителю другого силового транзистора, первые выводы светодиодов всех оптопар и один из питающих выводов блока управления подключены к 35 точке соединения двух введенных конденсаторов,...

Номер патента: 2001512

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Джус

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...напряжение смещение, прикладываемое к базе транзистора, Т,е осуществляется большееотрицательное смещение, базы, чем достигается более надежное закрытие транзистора, Такие новые связи не обнаружены, 35На чертеже приведена схема устройства,Последовательно с транзистором 1 взмиттерную цепь включен диод 2 смещения,Параллельно этой цепи включена РС-цепь, 40состоящая из конденсатора 3 и резистора 4.Средняя точка КС-цепи через диод 5 соединена с эмиттерол транзистора 5. Блок уп% 45Формула изобретениятрднзистог ный ключ, содержащий транзи-, стор, первый диод, включенный между первой шиной питания и эмиттером транзистора, коллектор которого соединен с 50 второй шиной питания, отличающийся тем,равления 6 включен между базой...