Патенты с меткой «рассеянных»

Номер патента: 135220

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Зуев, Красов, Ласкорин, Скороваров, Смирнов, Хлуденев

МПК: C22B 3/26

Метки: металлов, рассеянных, растворов, редких, смеситель-отстойник, цветных, экстракции

...процесса и изменить соотношение смешиваемых в нем фаз.Обеспечивается это за счет того, что камеры смесителя снабжены заслонками, которые могут при помощи винтов, соединенных с приводами, подниматься или опускаться, а всасывающий патрубок на турбинной мешалке монтирован подвижным в вертикальной плоскости.На чертеже показана схема смесителя-отстойника.Турбинная мешалка 1 смесителя-отстойника, вращаясь, всасывает из форкамеры 2 тяжелую фазу (ТФ) и выбрасывает ее в камеру смешения 3, куда поступает так же легкая фаза (ЛФ). Здесь происходит смешивание обеих фаз, при этом часть смеси через жалюзийную перегородку 4 поступает в отстойную камеру, а другая, возвращаясь в форкамеру, снова вводится в процесс смешивания с новыми порциями...

Номер патента: 207224

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Поль

МПК: C01G 15/00

Метки: выделения, рассеянных, растворов, содержащих, элементов

...0,005О, 0005 О, 0005 Олово Галлий 1 О ИндийМедь 0,1 0,030,02 0,008О, 0005 О, 0003 Предмет изобретени 5 Способ выдел содержащих их что, с целью по средственно из гример Карабуг0 батывают аммиа полученного про от 200 до 750 С тов из я тем, непо. в, на.обра. гонкой ератур элемен аюигийс ементов рассоло рассоль ей воз че темп ения рассеянных растворов, отлич лучения этих эл хлормагниевых аза, указанныеком с последуюш, дукта в интерва Известны способы извлечения рассеянных элементов, например индия, из отходов производства цветных металлов.Предложенный способ позволяет выделить рассеянные элементы из хлормагнисвых рассолов, например залива Карабугаз, путем обработки рассолов аммиаком до получения твердого продукта с последующим...

Номер патента: 447367

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Бельский, Галкина, Доломанов, Звягин, Константинова, Конюков, Маркова

МПК: C01G 15/00

Метки: галлия, гидроокисей, подгруппы, рассеянных, элементов

...б технологии получения сое дия и таллия. Известен способ получ лия, заключающийся в а металлического галлия в чение 20 час с последую створа и выделением из лия. Цель изобретения - ус Это достигается благод клавную обработку осу растворами кислот в при например перекиси водоро Пример. 20 г мет 50 мл 0,2 н. раствора сол30%-ного раство щают в автокла обработку в тече охлаждения и вск сталлы гидрооки отделяют от раст дукта близок к 99 к способам полученых элементов подыть использовано в динений галлия, ина перекиси водорода помеи производят автоклавную ие 2,5 час при 180 С, После рытия автоклава белые крии индия в количестве 19,8 г вора. Выход конечного про 1 о/ ения ги втоклав одой п щим ох него ги дроокиси гал ной обработке ри 200 С в...

Номер патента: 1171735

Опубликовано: 07.08.1985

Автор: Закорин

МПК: G01S 13/95

Метки: ионосферой, корреляционной, некогерентно, рассеянных, сигналов, функции

...8и значения ее аргументов 1 = мд; . Далее принимают радиолокатором 1 рассеянные ионосферой сигналы, пропускают их через широкополос"ный Фильтр 3 промежуточной частоты,оцифровывают в преобразователе 4 сзаданным тактом. Задерживают после-довательность сдвоенных принятых сигналов соответственно на время 1 з д 35 2спомощью линии 5 задержки,щпри этом 1 - . Формируют сигналы, пропорциональные произведению пар принятых сигналов, смещенных на времят. эад, взаА, 4 1 Ь и 1 д; -Ь в умножителях 6;, 6, , 61 , соединенныхс соответствующими отводами линии 5задержек. Далее сигналы, полученныев умножителях 6, раздельно суммируют в соответствующих сумматорах7, общее количество которых равнор 2 +1) и которые отпираются синхронизатором 2....

Номер патента: 1205208

Опубликовано: 15.01.1986

Авторы: Амелина, Аристархова, Волков, Гутенко

МПК: H01J 49/26

Метки: анализа, ионов, методом, низких, обратно, поверхности, рассеянных, спектроскопии, энергий

...пушки, а величины й и В постоянные, то Е 1 определяется еез равенстваЕ, (, ГЕ,-Е (3)где С - постоянная для данной конструкции,Для того чтобы награвлять на по верхность исследуемого объекта поочередно пучки ионов разного сорта ( .е , е , Хг и т.д.1, необходи+мо с помощью источника 19 изменять величину ,Р ступенчато согласно формуле (3и как показано нафиг, 2 б, а также с учетом величин масс ионов и ускоряющее напряжение 13 пушки, чтобы обеспечить про хождение через Фильтр ионов одногосорта, при изменениях ускоряющего напряжения, на управляющий вход источника 19 поступает выходное напряжение из источника 17, изменяющее 0 с помощью делителя в источнике 9 согласно формуле ( 3). В простейшем случае на управляющий вход источника 19 подается...

Номер патента: 1215144

Опубликовано: 28.02.1986

Авторы: Аристархова, Волков, Толстогузов

МПК: H01J 49/26

Метки: ионов, низких, обратно, рассеянных, спектрометр, энергий

...выставляется в фокус анализатора с помощью подвижного держателя 1,Сталкиваясь с атомами внешнегомонослоя поьерхности образца 2, ионыпервичного пучка в результате упругого парного соударения рассеиваются в разные стороны. Рассеянные ионы,прошедшие через входную щель во внут реннем цилиндре 5 анализатора 3 впространство между электродами. 4и 5, разделяются по энергиям. Ионыс определенной энергией, траекториикоторых ограничены крайними траекториями по всему азимуту, проходятчерез выходную щель внутреннегоэлектрода 5 и фокусируются в отверстие выходной диафрагмы 6 анализатора 3.Пройдя через отверстие диафрагмы 6, ионы, двигаясь в эквипотен-.:циальном пространстве по прямолинейным траекториям, попадают на коллектор 7, Далее импульсы...

Номер патента: 1471233

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Бабанская, Маньковский, Черепин

МПК: H01J 49/44

Метки: анализа, анализатор, ионов, разрешением, рассеянных, угловым, энергетический

...16 и 19 заземлены. Расстояние между диаграммами и потенциал 7 на диафрагме 18 выбираются из условия, что фокус Й лежит в плоскости щелевой диафрагмы 20, Приближенное значение можно получить из выражения1 3 еУ2К 80 К.где Е - энергия электронов;Э - расстояние между диафраг"мами.Щели в диафрагмах 16, 18 и 19лежат в исследуемой плоскости (плоскости рассеяния ионов). Щель в щелевой диафрагме 20 находится под углом оС к исследуемой плоскости (Фиг. 3), Чем больше угол Ы и чем меньше ши" рина щели Й в щелевой диаграмме 20, тем лучше разрешающая способность по углам. Но необходимо учитывать, что уменьшение ширины щели Й уменьшает чувствительность анализатора, а величина угла ы, ограничена расстоянием Ь между отклоняющими пластинами 2 1 н 22...