Патенты с меткой «полевого»

Номер патента: 1677323

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Иванов, Кузнецова

МПК: C10F 7/00, E21C 49/00

Метки: влажность, навалов, опробования, полевого, торфа

...этим самым повысить оперативность получения информации о влажности навала в целом в38,5 раз.Способ может быть реализован на любом торфодобывающем предприятии,Использование способа наиболее эффективно для предприятий по добыче торфасредней и большой мощности, а также длявновь проектируемых торфопредприятий 10на Северо-Западе и в Западной Сибири.Примеры осуществления способа дляразличных известных технологических схемдобычи фрезерного торфа,П р и м е р 1. Осуществляют добычу, 15сушку и уборку фрезерного торфа на топливо, на подстилку или на удобрение по известной технологической схеме. При этомопределяют в полевых условиях механизированным способом влажность убранной 20фрезерной крошки в навалах длиной до 72м перед складированием торфа в...

Номер патента: 1775658

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Власов, Кручинин, Тарантов

МПК: G01N 27/414

Метки: изменения, мембраны, основе, полевого, потенциала, регистрации, сенсора, транзистора, химического

...значение добротности порядка 1 реализуется при емкостиэлектрода сравнения менее 1 нФ, включаятот случай,когда эта емкость не сосредоточена в специальном радиотехническом изделии конденсаторе), а представляет собой 10распределительнуа между окружающимипредметами паразитную емкость величинойв единицы пикофарад, Рассчитанная такимобразом величина добротности характеризует измерительную цепь известного устройства в целом. Следует, однако, учесть,что добротность цепи из нескольких элементов определяет тот из них, у которогоона минимальна. В известном устройстветаким элементам является емкость электрода сравнения 3, т.к, ее изменение оказываетопределяющее влияние на величину добротности всей цепи,В процессе использования...

Номер патента: 1786402

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Бахрамов, Коххаров, Тихоненко

МПК: G01N 21/21

Метки: атома, изменения, линии, перехода, поле, полевого, резонансного, световом, сильном, уширения

...0,4 см длительность импульса на полувысоте 20 нс), частота которого перестраивалась в широкой окрестности исследуемого перехода 531 п - 5 Рзп,Измерение угла самовращения эллипса поляризации, прошедшего область взаимодействия излучения ЛК, производилось двумя взаимно скрещенными поляризационными призмами Франка-Риттера и установленным за ними ФПУ на базе фотодиода ФДГ. Коэффициент экстинкции измерительной схемы был не хуже 10 Степень эллиптичности излучения ЛК(отношение малой и большой полуосей эллипса поляризации) составляла величину 0=5 10 4,На чертеже приведены крив .е частотной зависимости угла самоиндуцированно 5 го вращения эллипса поляризации р(и) длятрех фиксированных значений интенсивности при перестройке частоты...

Номер патента: 1807438

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Балдин

МПК: G01T 1/40, G01V 5/00

Метки: излучений, ионизирующих, полевого, спектрометра, стабилизации, типа, шкалы, энергетической

...Устройство работает следующим обранию его применения в полевых условиях, зом.:П р и м е р. Необходимо стабилизиро- Гамма-кванты реперного источника 1,вать гамма-спектрометр с рабочим диапа- регистрируемые детектором 2, ФЭУ 3 презоном 0,1-3,0 МэВ. Выбираем в качестве 50 образуют в электрические сигналы пропорреперного источника америцийс циональной амплитуды, которые черезэнергией гамма-квантов 0,06 МэВ, т;е, ни- предусилитель 4 подаются на омическую неже нижней границы рабочего диапазона.грузку от резистора 5 и 6, причемУстанавливаем коэффициент преобразования спектрометра равным 45, Это означает, 55 В 2 Еб,что излучение 0,06 МэВ на шкале спект- й 1 + Й 2 Еспектр.рометра в режиме стабилизации будетрасполагаться в точке,...

Номер патента: 1335047

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Егудин, Лихтман, Полянов, Смирнов

МПК: H01L 21/338

Метки: барьера, виде, затвором, полевого, транзистора, шоттки

...соответственно 0,05 мкм и 0,4 мкм, Затем методом Фотолитографии с применением ионно-химического и химического способов травления формируютэлектроды истока.и стока которые за 9отем вжигают при температуре 480 С втечение 30 с с целью получения омических контактов, имеющих низкое переходное сопротивление. После этогона всю поверхность подложки последовательно напыляют слои Т 1, Ч соответствующей толйины и слой Ац толщиной0,5 мкм. Затем методом Фотолитографиина поверхности слоя Ац Формировали 47 2Фоторезистивную маску, через которую производили ионное травление Ац. Затем последовательно удаляли не защищенную Ац часть слоев Ч и Т 1, Травление слоя Ч осуществляли в плазме СР+ 0 в течение 3,5 мин, что обеспечивало боковое подтравлнвание...