Анод для оксидно-полупроводникового конденсатора
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Й И Е ц 47 ООООЙЗОБРЕТЕН Ия Союз Советских Социалистицеских Республик) М. Кл. Н 01 д 90 вкис присоединением Гасударственный камит Совета Министрав ССС ао делам изобретений и открытий(088,8) убликовано 05.05.7 Бюллетень17 Дата опубликования описания 26.08.75НИКОВОГО я это- ерную д и е обретени лупроводникового конй в виде проволочной о металла, отличаю- елью повышения станк конденсатора, спиезков проволоки, скруоксидно-по ыполненнь ентильног что,сц рактерист ена из отрАнод для денсатора, в спирали из в щийся тем 5 бильности ха раль выполи ченных в жгт. Изобретение относится к радиотехнике, может быть использовано при изготовлении малогабаритных конденсаторов большой емкости.Известны аноды для оксидно-полупроводниковых конденсаторов, выполненные в виде проволочной спирали из вентильного металла.Цель изобретения - повышение стабильности характеристик конденсатора в достигается тем, что спираль предлагаемого анода выполнена из отрезков проволоки, скрученных в жгут.На фиг. 1 приведена конструкция анода; на фиг. 2 - общий вид.Анод оксидно-полупроводникового конденсатора выполнен в виде проволочной спирали 1 из вентильного металла диаметром 10 - 40 мкм. Две такие проволоки, скрученные вместе, образуют заготовку 2. 1000 - 10000 заготовок, скрученных вместе, образуют жгут диаметром 1 - 10 мм. Анод 3 получают разрезанием жгута на части длиной 2 - 20 мм. Вывод 4 приваривают к аноду контактной сваркой.Резать жгут на части необходимо так, чтобы все проволоки в торцовых частях анода приваривались одна к другой, а потери вентильного металла были минимальны. Дл го можно, например, применить лаз уста новку или ультразвук.Так как анод состоит из ряда заготовок, содержащих по две проволоки, то структура его однородна, т. е. все проволоки одинакового диаметра, поры также одинаковы, причем все они сквозные.Это обеспечивает стабильность электрических характеристик конденсатора.Одинаковый диаметр проволоки позволяет подобрать оптимальную температуру спекания анода, а также получить оксидную пленку одинаковой толщины, так как при формовке анода падение напряжения во всех порах одно и то же.470000 иг г Составитель Н. БлинковаРедактор Б. федотов Техред В. Рыбакова Корректор Н. Учаки Заказ 2010/2ЦНИ Изд. М 736 Тираж 833 И Государственного комитета Совета Министров С по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
1946555, 20.07.1973
СВЯЦКИЙ ВИТАЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, СВЯЦКАЯ ЛЮДМИЛА ПАВЛОВНА
МПК / Метки
МПК: H01G 9/04
Метки: анод, конденсатора, оксидно-полупроводникового
Опубликовано: 05.05.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-470000-anod-dlya-oksidno-poluprovodnikovogo-kondensatora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Анод для оксидно-полупроводникового конденсатора</a>
Предыдущий патент: Вакуумный конденсатор переменной емкости
Следующий патент: Быстродействующий переключающий механизм
Случайный патент: Способ испытаний на герметичность изделий с замкнутой полостью