Патенты с меткой «наносекундных»

Номер патента: 1014132

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Герценштейн, Долженков, Кобзев

МПК: H03K 3/53

Метки: видеоимпульсов, генерации, наносекундных

...к скорости света. Электроны с такими скоростями сильно взаимодействуют с магнитным полем волны. Магнитное поле поворачивает электроны и нарушает режим зарядки внутреннего проводника линии, что вызывает падение КПД возбуждения.Целью изобретения является повышение КПД устройства.Поставленная цель достигается гем, что в устройстве для генерации наносекундных видеоимпульсов, содержащем источник электронов, систему формирования и фокусировки элек" тронного пучка, систему отклонения электронного пучка и линию передачи с внешним проводником со щелью для прохождения электронного пучха, внутренним проводником и разъемами на входе и выходе, на наружной сто роне внешнего проводника линий передачи укреплен дополнительно введенный постоянный...

Номер патента: 1087902

Опубликовано: 23.04.1984

Автор: Синчук

МПК: G01R 13/34

Метки: измеритель, импульсов, наносекундных, параметров, стробоскопический

...соединен свторым неподвижным контактом первойсекции, Первый неподвижный контакткоммутатора 7 подключен к выходуинтегрирующего блока 10 и входу бло.ка 15 выборки и запоминания, второйнеподвижный контакт - к общей шине,а подвижный контакт - к второму входу аналогового сумматора 16, первыйвход которого связан с выходом блока15 выборки и,запоминания, а выходс первым неподвижным контактом втоУстройство работает следующим обр разом,Генератор 1 импульсов с задержкой, задаваемой блоком 2, запускает формирователь 4 испытательных импульсов и с задержкой задаваемой блоком 3, запускает преобразователь напряже ние - задержка. Испытательный импульс с выхода формирователя 4 поступает на вход блока 5 подключения испытуемого элемента для его возбуж"...

Номер патента: 1133561

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Данилевич, Третьяк, Чернявский

МПК: G01R 19/04

Метки: амплитуды, импульсов, наносекундных, фиксации

...Т 8 ПодписноУжгород, ул.Проектная ад ШШ фиате компенсируя погрешность фиксацииамплитуды входного импульса диодноконденсаторной запоминающей ячейкой 4. 1133561 4денсатора ячейки 4 и сбрасываетсяв исходное состояние блок 11.По сравнению с известным предложенное устройство фиксации амплитудынаносекундных импульсов обладаетсущественно лучшими метрологическими характеристиками. Компенсацияпадения величины коэффициента передачи диодно-конденсаторной запоминающей ячейки, обусловленного уменьшением длительности входных сигналов,позволяет с высокой точностью фиксировать импульсы длительностью до10 с и менее, причем не предъявляются требования к форме входногосигнала и к отношению амплитудывходного импульса к его длительности.Относительная...

Номер патента: 1290244

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Баламатов, Надеждин, Немиткин

МПК: G04F 10/04

Метки: длительностей, измеритель, интервалов, наносекундных, разности

...ключи 14,15 и 22 разомкнуты, ключ 13 замкнут,конденсатор 2 заряжен до уровня И(в интеграторе 1 и блоке 3), счетчик 5 обнулен, на выходе компаратора 4 формируется уровень логического нуля.В течение длительности входногоимпульса ,(, -Т ) (фиг.2 а,б), поступающего на шину 7 измерителя, накопительный конденсатор 2 подключается ключом 14 к источнику 16 стабильного положительного тока 1 Потенциал конденсатора 2 при этом получает положительное приращение,равное1 огде С - емкость накопительного коннденсатора 2,При поступлении входного импульсатриггер 12 через элемент ИЛИ 9 интегратора 1 переключается в единичное состояние и разрывает контакты ключа 13, отключая источник опорного напряжения О, от накопительного конденсатора 2,...

Номер патента: 1330736

Опубликовано: 15.08.1987

Автор: Николин

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, наносекундных, расширитель

...тр;Нэ/Стор 1, :(:Т г КО Г(Ч ОГО ( ОСГПв ПорОй гПК 5 С( . (И 1 1/,.1/Г .сЛ ,1 П.(СДОМ,.;,;1 1 .1 г,пл(Нрусгэ /ги, (:с бс;(ь,С( 1,ПпС:" . 1, ПО КО .(Бг ОТКРЫ,1.1 л1 со; 7 1( .1(1 р//1.тс 5Е С 1Д Г (( ( з. ратора б тока отключдется от эранэис тора 1 и, протекая через транзистор 5, вь/эывает дополнительное смещение эмиттереого перехода трацзистора 10,В случае идентичности характеристик транзисторов 1 и 10 увеличение падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора 10 компенсирует поеьшенпе напряжения ца коцденсаторе 2 иэ-эд уменьшения падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора 1, тдк как токи смещения транзисторов 1 и 10 в исходном состоянии соответственно 1, и с 10-100) мкА, а в состоянии хранения входного напряжения...

Номер патента: 1432750

Опубликовано: 23.10.1988

Автор: Киракосян

МПК: H03K 5/08

Метки: импульсов, калиброванных, наносекундных, формирователь

...13, Это приводит к выравниванию потенциалов в точках 22 и 23 моста с перекомпенсацией, определяемой величиной младшего разряда ЦАП 19 с учетом влияния резистора 13.При этом КН 16 переключается в обратное состояние. Изменение уровня напряжения на его выходе через оптронный ключ 17 блокирует регистр 18 сдвига. Это приводит в итоге к фиксации наВ результате с импульсного выходамоста выдаются импульсы с амплитудой,равной Бы, а с потенциального - поспряжения на выходе 1 Я 1 19 и, какследствие, фиксации статической балансировки моста 1. В результатеца диагонали моста 1 в точках 22 и23 устанавливаются равные между собой потенциалы, предназначенные длядальнейшего формирования импульсного и потенциального напряжений.Коммутатор 7 и замыкающий...

Номер патента: 1541758

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Комин, Морозов, Целищева

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтных, генератор, импульсов, наносекундных

...равного , = шгде Ог и волновые сопротивления генератора и каждой полосковой линии, а также изгде с - скорость света;Т - длительность формируемогоимпульса;1 - длина полосковой линии;свернутой в спираль,Е - диэлектрическая проницаемостьс, - диэлектрическая постояннаяпри этом длительность импульса может составить до 1000 не.Генератор работает следующим образом.Сначала зарядное устройство 10 (Фиг,4) заряжает полосковые формирующие линии до необходимого напряжения. При этом на каждом из пакетов .3 напряжение равно 0, а на каждой линии П = П /щ.,В необходимый момент времени срабатывает коммутатор 11. В Формирующих линиях ближайшего к нагрузке 12 (К) пакета начинают распространяться волны снятия напряжения, в результате чего на согласованной...

Номер патента: 1571702

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Разин, Шиян

МПК: H01P 1/14, H03K 3/64

Метки: генератор, импульсов, мощных, наносекундных, радиочастотный

...к второму плечу 6 через формирующую линию 7 подключена согласованная нагрузка 8, а третье плечо 9 является выходом радиочастотного генератора, при этом формирующая линия 7 выполнена в виде участков 10 центрального проводника 4 равной длины , разделенных рабочими разрядными промежутками 11, элемент 12 связи с зведенным СВЧ-генератором 13 и фильтры 14 нижних частот,Радиочастотный генератор мощных наносекундных импульсов работает следующим образом.При подаче высокого напряжения на накопитель 5 через развязывающий разрядный промежуток 3 происходит возбуждение первого плеча 2 тройника 1 и вдоль коаксиальной линии начинает распространяться бегущая волна, одна часть энергии которой отражается от каждого рабочего разрядного промежутка 11,...

Номер патента: 1698961

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Аристов, Шляпин

МПК: H03K 5/007

Метки: генератор, импульсов, наносекундных

...к Выходу задающего(фиг, 2 а) поступают на усилитель 3 черезформирОВЯтель 2 Опорных импульсОВ.,Этиже импульсы через линию 8 задержки (фиг.2 В) поступают нэ ВХОД Обострителя 7 запускающих импульсов, С выхода усилителя 3ОПОрНЫй ИМПУЛЬГфИГ, 2 б) С УВВЛИЧЕННОй Ви раз амплитудой,п коэффициент усиления усилителя) поступает через соглэсуюций аскяд 4 на сум Втор 5. Нэ второй входсумматора 5 поступают также импульсц запуска фиг. 2 г), подаваемые с Выхода обострителя 7 импчльсов запуска,Импульсы с Выхода сумматора 5 фиг.2 Д) ДВЙствуют на Я-диод таким ОбРЯзом, чтопод действием опорного импульса напряжение на Я-диоде возрастает по зкспоненциэльному закону, но не достигает значения пробоя З-диода, При пояьлении импульса запуска фиг, 2 д) суммарное...

Номер патента: 1756981

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Новиков, Разин, Чумерин

МПК: H01P 1/14, H01P 7/04

Метки: наносекундных, свч-импульсов, формирования

...тем, что согласно способу энергию накапливают в резонаторе путем подачи нэ его вход50 СВЧ-импульса накачки и передают накопленную энергию в нагрузку, передачу накопленной энергии осуществляют в моментокончания СВЧ-импульсэ накацки.По всем известным методом формиро 55 вания СВЧ-импульсов и во всех известныхустройствах большая связь с нагрузкой устанавливается в момент нарастания амплитуды поля в резонаторе или же в моментдостижения максимальной змплитуды приокончании действия плоской части вершины1756981огибающей СВЧ-импульса накачки, По:. ния действия импульса СВЧ-генераторапредлагаемому способу большая связь и пе- свободно затухают,редача энергии в нагрузку происходит в мо- После полного окончания действия иммент полного окончания...

Номер патента: 1757088

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Белкин, Шульженко

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, наносекундных, формирователь

...на промежутке 11-ь 2 был много меньше амплитуды тока заряда конденсатора и, насыщение трансформатора происходило в какой-либо момент времени на промежутке т 2-13, причем тз-т 2 т 4-12, В момент 12 ключ тока выключают, Конденсатор разряжается на промежутке 12-т 4 через диод и индуктивность насыщенного трансформатора величинойм, Ток через диод при этом обратный, Если 142 Р, обратный ток диода больше прямого, В момент равенства площадей прямого и обратного токов (кривая б на фиг. 2) диод перестает проводить и на нагрузке 7, параллельной диоду, формируется импульс (кривая е нэ фиг, 2). 25 ЗО 35 40 45 50 55 4Для каскадирования схемы вместо нагрузки подключается первичная обмотка второго насыщающегося трансформатора, вторичная...

Номер патента: 2004064

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Белкин, Шульженко

МПК: H03K 3/33, H03K 3/45

Метки: импульсов, наносекундных, формирователь

...меньше заряда, проходящего через первый, поскольку амплитуда обратного тока второго диода (т,е, тока нагрузки) может быть только меньше амплитуды обратного 40 тока первого диода (или равна при сопротивлении нагрузки Вр), а длительность обратного тока второго диода много меньше длительности обратного тока первого. Поскольку для ДНЗ и ДДРВ должно выпол- "5 няться равенство прошедших в прямом и вобратном направлениях зарядов,то прямой ток второго диода должен быть много меньше прямого тока первого. Отсюда следует, что накачка прямого тока второго диода, 50 производимая в предлагаемом решении через резистор от вторичной обмотки трансформатора, не приводит к каким-либо существенным затратам энергии и не снижает заметным образом...

Номер патента: 1487774

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Брылевский, Грехов, Ефанов, Кардо-Сысоев, Смирнова, Шендерей

МПК: H03K 3/53

Метки: генератор, импульсов, мощных, наносекундных

ГЕНЕРАТОР МОЩНЫХ НАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ, содержащий последовательно соединенные между первой и общей шинами источник постоянного тока, зарядный элемент, первый ключ, первый индуктивный накопитель и первый размыкающий элемент, выход зарядного элемента подключен через первый конденсатор к общей шине источника постоянного тока, второй индуктивный накопитель последовательно соединен с вторым размыкающим элементом, который подключен к общей шине источника постоянного тока, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения возможности регулирования частоты следования импульсов, в него введены третий и четвертый индуктивные накопители, второй и третий конденсаторы, разделительный диод, второй и третий...

Номер патента: 725537

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Пак, Ремнев, Цветков, Шатанов

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтных, генератор, импульсов, наносекундных

ГЕНЕРАТОР НАНОСЕКУНДНЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ИМПУЛЬСОВ, содержащий источник питания, двойную формирующую линию с коммутатором, зарядные индуктивности, отличающийся тем, что, с целью повышения предимпульса напряжения наносекундной длительности любой полярности без уменьшения амплитуды основного импульса, к выводным электродам двойной формирующей линии подключен спиральный генератор, причем одна пластина спирального генератора соединена с внешним, а другая пластина - с внутренним электродом двойной формирующей линии.

Номер патента: 1804271

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Грехов, Ефанов, Кардо-Сысоев

МПК: H03K 3/53

Метки: генератор, импульсов, мощных, наносекундных

...З 1 (б)Как следует из вышесказанного в предлагаемом изобретении ДДРВ 1 является не только размыкающим элементом, но и промежуточным накопителем энергии, которая в дальнейшем расходуется на формирование выходного импульса, Следовательно, потери накопительной энергии непосредственно в самом ДДРВ 1 должны быть малы, Это требование обеспечивается, если толщина базовой области ДДРВ 1 ж равна или меньше ширины области объемного заряда в ней ю, т,е, чю Максимальные потери составляют 250 от накопленной энергии, При ю1 эти потери еще меньше. Указанное условие может быть приведено к виду (7) иЕе(7)Кроме того, должны быть малы потери и в дополнительном диоде 9, который выполняет функции ключа. Основная доля энергии, рассеиваемой в диоде 9,...

Номер патента: 1301275

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Лисин

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтных, генератор, импульсов, наносекундных

Генератор высоковольтных наносекундных импульсов, содержащий зарядный блок, N двухступенчатых формирующих линий, первая и вторая ступени каждой из которых выполнены в виде отрезков коаксиального кабеля, коммутатор, первый вывод которого соединен с внутренним проводником отрезка коаксиального кабеля на входе первой ступени первой двухступенчатой формирующей линии, при этом отрезки коаксиальных кабелей первых ступеней двухступенчатых формирующих линий охвачены магнитопроводами из ферромагнитного материала, внутренние проводники отрезков коаксиального кабеля на выходе первой ступени и на входе второй ступени N-й двухступенчатой формирующей линии соединены между собой, а первый выходной вывод...