Патенты с меткой «магнитоуправляемого»

Номер патента: 1035662

Опубликовано: 15.08.1983

Автор: Бороденко

МПК: H01H 11/04

Метки: контакта, магнитоуправляемого, резонансной, частоты

...периоду.На Фиг. 1 показана схема устройст-ва для реализацик предложенного способа на Фиг. 2 - осциллограмж коле- убаний рабочего магнитного потока на,Фиг. 3 - амплитудно-частотная характеристика веркоиа КЭМ.Устройство для реализации способа, (фкг. 1) содержит источник питания 1 промааленной частоты 50 Рц, кспытуемяй геркон 2 с катушкой управления3 и датчиком рабочего потока 4 в зонеконтактного зазора, подключенным кэлектронно-лучевому осциллограФу 5, например, типа С 1-19 Б. 65 Согласно предложенному способу увеличивают уровень напряжения на катушке 3 до тех,пор, пока контакт- детали геркона не начнут периодически соприкасаться. Фиксируют этот момент, например, акустически (по появлению дребезжания контактов, визуально (по...

Номер патента: 1105950

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Мангутов, Фельмецгер, Эрлихсон

МПК: H01H 1/66

Метки: герметизированного, контакт-деталь, контакта, магнитоуправляемого

...металла, указанный подслой выполнен из материала контакт-детали, легированного материалом эрозионностойкого покрытия.Кроме того, в укаэанной контакт- детали для герметизированного магнитоуправляемого контакта, толщина подслоя может быть в пределах 0,05- 0,1 мкм.Суть предложения заключается в том, что в контакт-детали предлагается исключить драгоценные металлы из состава покрытия. Вместо подслоя из золота на рабочем конце контакт-детали формируется тонкий слой из материала контакт.-детали, легированного металлом эрозионностойкого покрытия, который может быть получен путем ионной. бомбардировки в вакууме поверхности контакт-детали. При этом увеличивается адгезия покрытия в контакт-детали за счет того, что основное эрозионностойкое покрытие...

Номер патента: 1205197

Опубликовано: 15.01.1986

Авторы: Борисова, Нилов, Удалов

МПК: G05B 23/02, H01H 11/04, H01H 49/00 ...

Метки: герметизированного, контакта, контактного, магнитоуправляемого, нажатия, силы

...МУК. На фиг2 97 2показаны: клавиша 14, клинья 15,гнездо для МУК 16, наковальня 17,лепестки 18,боек 19,паэ 20 для ввин.чивания датчика величины ускорения 1демпфирующая пружина 21, ста-кан 22, конусообразные салазки 23,регулировочный винт 24 динамик 25,источник 26 магнитного поля.Внутри источника 26 магнитногоAоля расположен стакан 22, на кото-.ром с помощью демпфирующей пружины 21 укреплена наковальня 17 сгнездом 16 для МУК, в которое входят клинья 15, скрепленные с клавишей 14, и к которому прикреплены лепестки 18, Боек 19, прикрепленныйк диафрагме динамика 25, расположеннад наковальней, в которой сделанпаз 20 для ввинчивания датчикавеличины ускорения. Под основаниемстакана расположены конусообразныесалазки 23, соединенные с...

Номер патента: 1367060

Опубликовано: 15.01.1988

Авторы: Авгученко, Крицкая, Майзельс

МПК: H01H 11/04

Метки: герметизированного, качества, контакта, магнитоуправляемого

...схемой И 16 и через двухвходовую схемуИ 15 с параллельным входом с третьейдвухвходовой схемой И 16. Выходыдвухвходовых схем И 16 соединены свходами индикаторов 13. Блок обработки сигналов работаетследующим образом. Сигналы подаютсяс фильтров 9-11. на двухуровневые ком-.параторы 14, На первый компаратор подается сигнал с первого фильтра 9 на плюсовой вход и параллельно- наплюсовой вход второго компаратора, и,с второго, фильтра 10 на минусовой вход первого компаратора и на плюсо3 1367060 4 вой вход третьего компаратора, а так- массового производства, повышение доже с третьего фильтра 11 на минусо- стоверности результатов. вой вход второго компаратора 14 и параллельно на минусовой вход третье- . Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я...

Номер патента: 1394258

Опубликовано: 07.05.1988

Автор: Фельмецгер

МПК: H01H 11/04

Метки: вакуумного, высоковольтного, контакт-деталь, контакта, контактного, магнитоуправляемого, нанесения, покрытия

...(обычно катода), генерирует интенсивные потоки металлической плазмы, степень ионизации которой в случае вольфрама до достигает 807 При этом энергия ионов, экстрагируемых из плазмы разряда, может регулироваться в широких пределах путем приложения отрицатель ного потенциала к обрабатываемому изделию, При бомбардировке покрытия ускоренными ионами происходит не только распыление микронеровностей на поверхности, но и интенсивный нагрев (преимущественно приповерхностных слоев), стимулирующий удаление из покрытия адсорбированных газов, При последующем осаждении низкоэнергетичнык ионов из плазмы вакуумного ду гового разряда идет зарастание пор и формирование плотного текстурированного поверхностного слоя. Полученный в результате достаточно...

Номер патента: 1458899

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Вишневская, Майзельс, Макаров, Филатов

МПК: H01H 1/66, H01H 11/04

Метки: контакт-деталь, контакта, магнитоуправляемого

...этом зкснернв условиях сопровождающихся образо- ментально подбирается температурнованием разряда, физическая сущность , временной режим заварки с учетомэрозионных процессов носит иной ха-перегрева контактных покрытий в прорактер, цессе заварки и конструктивных осо"Наиболее благоприятные условия 20. бенностей герконовдля возникновения разряда имеют по- Контакт-деталь магнитоуправлялимеры (по сравнению с пассивирован- емого контакта может быть обработаным роднем), т,е, разряд развивается на и другим образом, например очиств первую очередь с локализованных ку и нассивирование родиевого покрыучастков с полимерньвюи пленками. По 2 б тия осуществляют согласно способу,мере выгорания органики на одном при котором контакт-деталь подвергаучастке...

Номер патента: 1589327

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Ахалая, Герливанов, Глухоедов, Демченко, Добринский, Какиашвили, Красюков, Малашин, Хачатрян, Шавленкова, Швец

МПК: C01G 49/08, H01F 1/28

Метки: композиционного, магнитоуправляемого

...кислоту в котве 20 об.Я. Раствор перемешиваютпри 90 С и остаточном давлении рт. ст. ДО и после завершения гаОн 1 еления, продолжающегося 1 ч, берут по 1 м,; магнитоуправляемого композиционного м ериала в культуру золотистого;тафилв.окка при концентрациях дисперсной фазь 5 О" -1 О" частиц на 10 мт/мл и инкуб", г,ц, в гермостате 24 ч при 37 С.В реву. ьтате пробы, взятые до окон,Ппияа,ЫДЕЛЕНИЯ Далн рост МИКрОООВ, 5 10 15 20 фиг 30 .О т. е. продукт не готов, Роста колоний нетв пробах, взятых после окончания газовыделения, с концентрациеи дисперсной фазывыше 0,01 мг, т, е. при соотношении 1 О -10 частиц на 1 микроб, при рН 8,0.Полученный по этому примеру магнитокомпозиционный материал имеет намагниченность насыщения 52 кА/м, оказывает...

Номер патента: 1647677

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Пучков, Рогачиков, Хромов, Шоффа

МПК: G05B 23/02, H01H 11/04

Метки: герметизированного, колебаний, контакт, контакта, магнитоуправляемого, собственных, частоты

...аналогичная представленной на фиг. 4 и 5. 8 этом случае измерения прекращают, выделяют значения 1 л, соответствующие двум экстремумам зависимости тз (т л), например двум ближайшим минимумам (или максимуму и минимуму), вычисляют их разность и считывают ее равной периоду (полупериоду) собственных колебаний контакт-деталей Тс (фиг, 4). Частоту собственных колебаний контакт-деталей определяют как обратную величину.Сущность физических процессов, происходящих при таком измерении, заключается в следующемПри подаче в катушку 2 первого управляющего импульса на замыкание контакт- детали магнитоуправляемого контакта 1 через некоторое время Ь замыкаются и после некоторого дребезга остаются в таком состоянии: для геркона - до снятия...

Номер патента: 1653016

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Алаев, Карпов, Кузнецов, Кучин, Островская, Родин

МПК: H01H 1/08, H01H 1/66

Метки: жидкометаллического, контакт-деталь, контакта, магнитоуправляемого

...1 табл,Титан 0,1 - 10,0 Никель Остальное Большая долговечность контакта достигается за счет введения в сплав контактной поверхности титана, что значительно снижает растворимость сплава в ртути при температурах в диапазоне 100 - 3000 С повышает корроэионную стойкость сплава и Количество титана в сплаве огранич ется, с одной стороны, достижением тр емого эффекта - коррозионной стойкос с другой стороны, нежелательностью избытка, приводящего к ухудшению чиваемости (увеличение краевого угла чивания более 20).Содержание в сплаве меди более 50 м не обеспечивает достаточной коррозио стойкости контактной поверхности, а содержании менее 30 мас. наблюда1653016 ставитель М.Трофимовахред М.Моргентал Корректор О.Ципл Редактор А,Лежни каз 1774...

Номер патента: 1721651

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Карпов, Погребняк, Фельмецгер

МПК: H01H 1/66

Метки: герметизированного, контакта, контактного, магнитоуправляемого, покрытия

...срок службы МК средней жаются в подвески (кассеты) и электрохимимощности в наиболее тяжелых режимах ческим осаждением на них наносяткоммутации, При использовании известно последовательно слой никеля и слой золота.госпосаба полученоувеличениесрокаслуж- Затем в этих же кассетах контакт-деталибы в 3 раза при эксплуатации МК в режиме помещаются в рабочую камеру ускорителя,60 В - 0,025 А постоянного тока по сравне- откачивают камеру до технического вакууманиюсконтрольнымиприборами,неподвер торр и облучают контактную поверх гшимися ионному легированию. В данном 45 ность контакт-деталей одним импульсомспособе для легирования используются МИП ионов углерода и водорода или азотаионы тугоплавких металлов (вольфрам, мо- с энергией .0,2-0,5...