Патенты с меткой «инжекционный»

Номер патента: 1539992

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Брайцара, Ерохин

МПК: H03K 19/091

Метки: инжекционный, сумматор

...п-р-и-транзисторов 12и 20, Аналогично, если сумма операн"дов, поступивших на входные шины 855и 9,=С+П 431, то откРыт и-Р-итранзистор 21 и шунтирует базы и-р-итранэисторов 13 и 22. Если сумма входных операндов, поступивших навходные шины 6 и 7, ), 41 , -р-итранзистор 19 закрыт и от базы п-р-итранзистора 14 п-р-и-транзистором 12отводится ток, равный 41 р. При этомв базу и-р-и-транзистора 20 инжектором задается ток Р =1 , а его коллектором такой же по велйцине ток отводится из Ьазы р-и-р-транзистора 24,Если сумма входных операндов, поступивших на входные шины 8 и 9, Е ==С+0 ъ 41, то и-р-и-транзистор 21закрыт и от базы и-р-п-транзистора 14и-р-п-транзистором 13 отводится ток,равный 41, При этом в базу и-р-итранзистора 23 инжектором...

Номер патента: 1493034

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Аршинов, Векшина, Стафеев

МПК: H01L 33/00

Метки: инжекционный, полупроводниковый, прибор, светоизлучающий

...подвижных носителей для инверсногоф55 канала, примыкающего к ним,устройство работает следующийобразом. При прямом см.шенин, подаваемом напереход между подобластями 4 н 5,неоснояные носители ннжектируются имв область инверсного канала, гдерекомбинируют с основными носителями.Рекомбинация электронно-дырочных парсопровождается излучением квантовсвета, энергия которых зависит отширины запрещенной зоны уэкоэонногополупроводника с прямой структуройэнергетчческих эон. Непрокомбинированные неосновные носители выбрасываются встроенным полем пространственного заряда перехода поцобласть4 - слой 2 из активной области инверсного канала в примыкающую к ней область слоя 2 и уходят во внешнююцепь. Ускоренный вывод непрокомбинировавших неосновных...

Номер патента: 1744738

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Петросянц, Трубочкина

МПК: H01L 27/04

Метки: инжекционный, элемент

...совмещены база переключательного и - р - и-транзистора 23 иколлектор дополнительного второго инжектирующего р - и - р-транзистора 22. Областьр эа содержит, во-первых, диффузионнуюобласть из 13, к которой подключен выходной электрод 14, во-вгорых, диффузионнуюподконтактную область р 2 17. К области р 2+ +17 подключен металл изи рован н ый проводник 15, соединяющий базу переключательного и - р - и-транзистора 23 и коллектормногоэмиттерного и-р-и-транзистора 20,Для отделения областей р эп 1 6 и р эп 2 12 отразделяющей диффузионной области р 11+(7 сквозь эпитаксиальную пленку р эп прово+дится диффузия и с концентрацией 5 10см, формирующая боковые коллекторные+эмиттерную область и 12 19 переключательного и -р - и-транзистора 23, Области и 12...

Номер патента: 1829853

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Вагнер, Давыдова, Капсамун, Кобякова, Пак, Филипов, Шишкин

МПК: H01S 3/19

Метки: излучатель, инжекционный, многолучевой, полупроводниковый

...методом термокомпрессии. Для этого предложено выполнение разделительной области из двух частей, окружающих пло щадку для термокомпрессии и электрическиразделяющих каналы генерации.Для создания трехлучевого полупроводникового инжекционного излучателя в двойной гетероструктуре Ао,з 40 аобзА 3 - 30 Ао,оббао,94 Аз - А 1 о,мбао,б 6 Аз с эпитаксиальным контактным слоем р-ОаАз методом ионно-химического травления через фоторезистивную маску вытравлены три отстоящих друг от друга на 100 мкм параллельно 35 расположенные мезаполоски шириной 6мкм каждая, причем глубина травления выбрана с таким расчетом, чтобы толщина рэмиттера вне мезы была равной 0,6 мкм.Вокруг мез нанесен изолирующий и погло щающий слои, а на вершины мезаполосковые омические...

Номер патента: 1831211

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Бородкин, Дмитриев, Пак, Поповичев, Хлопотин, Швейкин, Шишкин

МПК: H01S 3/18

Метки: инжекционный, лазер

...результаты измерения предельной мощности излучения каждой из групп лазеров с покрытиями,Лазеры первой группы имели интерференционное покрытие с оптической толщиной Л/2, которое не меняет коэффициент отражения выходной грани. В соответствии с этим предельная мощность таких лазеров не увеличивалась в сравнении с лазерами без покрытий. Лазеры второй группы имели на выходной грани интерференционное покрытое 310, с оптической толщиной Л/4, уменьшающее коэффициент отражения до 7,5, В этом случае, который соответствует выбранному прототипу, наблюдалось увеличение предельной мощности за счет просветления выходной грани в 1,8-1,9 раза.Более эффективно использование конструкции с монокристачлическим, эпитаксиальным покрытием селенида цинка...