Капсамун

Номер патента: 1829853

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Вагнер, Давыдова, Капсамун, Кобякова, Пак, Филипов, Шишкин

МПК: H01S 3/19

Метки: излучатель, инжекционный, многолучевой, полупроводниковый

...методом термокомпрессии. Для этого предложено выполнение разделительной области из двух частей, окружающих пло щадку для термокомпрессии и электрическиразделяющих каналы генерации.Для создания трехлучевого полупроводникового инжекционного излучателя в двойной гетероструктуре Ао,з 40 аобзА 3 - 30 Ао,оббао,94 Аз - А 1 о,мбао,б 6 Аз с эпитаксиальным контактным слоем р-ОаАз методом ионно-химического травления через фоторезистивную маску вытравлены три отстоящих друг от друга на 100 мкм параллельно 35 расположенные мезаполоски шириной 6мкм каждая, причем глубина травления выбрана с таким расчетом, чтобы толщина рэмиттера вне мезы была равной 0,6 мкм.Вокруг мез нанесен изолирующий и погло щающий слои, а на вершины мезаполосковые омические...