Патенты с меткой «гибридный»

Номер патента: 1679798

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Горн, Плетнев, Пугачев, Ямщиков

МПК: C12N 1/21, C12N 15/33, C12N 15/52 ...

Метки: 1-белок, вируса, галактозидаза-ns, гибридный, днк, клещевого, кодирующая, конструирования, плазмидная, полипептид, рекомбинантная, энцефалита

1. Рекомбинантная плазмидная ДНК pUR 290 S E, кодирующая гибридный полипептид галактозидаза NSI-белок вируса клещевого энцефалита, размером 6447 п.о. и мол.м. 4,25 МД, содержащая: Hin d III Sal I-фрагмент ДНК плазмиды pUR 290 размером 5200 п.о. Hind III-конец которого достроен фрагментом Кленова ДНК-полимеразы 1 E.coli; Alu I Msp I-фрагмент ДНК-плазмиды pTBE 2 размером 109 п.о. Alu I-конец которого заменен на Sal I-конец; Msp I Cfr 10 I-фрагмент ДНК-вируса клещевого энцефалита размером 572 п.о. Cfr 10 I Hind III фрагмент ДНК-плазмиды p621-11 размером 540 п.о. Hind III EcoRI синтетический фрагмент ДНК,...

Номер патента: 1829796

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Аветисян, Вето, Клемин, Куликов, Якушев

МПК: H01L 27/148

Метки: гибридный, фотопреобразователь

...большой ток позволяет уменьшить входное сопротивление, регулировать ВС-цепочку на входе и тем самым улучшать частотные характеристики гибридной фоточувствительной схемы.Фотоприемник и коммутатор в предлагаемой конструкции соединены так же, как и в прототипе, за тем лишь исключением, что между точкой их соединения и "землей" включена емкость, выполненная в виде МДП структуры на поверхности фотоприемника (см. фиг,2), Накопление заряда, обусловленное протеканием фототока через фоторезистор, первоначально происходит в МДП-структуре,Перед подачей напряжения на ФП емкость Смдп заряжается посредством подачи отрицательного напряжения (насхеме это осуществляется замыканием ключа В), Это осуществляется за один такт, если СмдпСпзс, либо за...

Номер патента: 1482485

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Байков, Горохов, Троцко, Федоров

МПК: H01L 39/22

Метки: высокочастотный, гибридный, сквид

Гибридный высокочастотный сквид, содержащий параллельно соединенные контуры квантования в виде полостей, образованных двумя цилиндрами и стенками в массивном корпусе из сверхпроводника, подложку с пленочными электродами и контактом Джозефсона между ними и заглушку, прижимающую электроды к элементам сквида, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности сквида к входному току, цилиндры установлены вдоль одной оси и разделены перегородкой с отверстием, внутри которого размещен с зазором стержень, соединяющий цилиндры, причем в перегородке снаружи корпуса выполнен паз, соединенный с отверстием, а внутри паза установлены подложка и заглушка, прижимающая один электрод контакта...