Патенты с меткой «раскрыва»

Номер патента: 441528

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Биричевский, Бойко, Сарычев, Щепкин

МПК: G01R 29/14

Метки: антенны, безэховых, камерах, коэффициента, отражения, раскрыва

...при таком способе возникает "эффект тени" при размещении отражателя перед исследуемой антенной, который приводит к раскомпенсации.С целью подавления раскомпенсации паразитного когерентного 4 она, возникающего при разВА АНТЕННЫ В БЕЗЭХОВЫХАМЕРАХ 2мещении отражателя на пути излучения в условиях безэховой каирц /"эффект тени"/, и повышения точности производят дополнительную компенсацию, для чего в предлагаемом устройстве используют отражатель в виде пирамиды /конуса/. Такой отражатель при расположении к раскрыву антенны вершиной рассеивает ее излучение и .позволяет произвести компенсацию иэцекта тени" по известной методике. Затем отражатель поворачивают основанием к раскрыву и про изводят измерение.На чертеже показана схемапредлагаемого...

Номер патента: 672584

Опубликовано: 05.07.1979

Авторы: Сарычев, Щепкин

МПК: G01R 29/14

Метки: антенны, безэховой, камере, коэффициента, отражения, раскрыва

...ции, передающий и приемный блоки, блок перемещения и блок регистрации, причем отражатель выполнен в виде вращающейся пирамиды, линейные раэме. ры основания которой соизмеривши с длиной волны, на основании пирамиды О 2отражателя установлена основанием дополнительно введенная пирамида с размерами, равными размерам пирамиды отражателя.На чертеже приведена структурная электрическая схема предложенного устройства.Устройство для измерения коэффицйента отражения от раскрыва антенны в безэховой камере содержит отражатель 1, бЛок 2 компенсации, йб= редающий блок 3, приемный блок 4, блок 5 регистрации, блок б перемещения. На чертеже показана также ис" следуемая антенна 7.Устройство работает следующим образом.В режиме компенсации переД...

Номер патента: 1377771

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Антипин, Полухин, Серяков, Шубов

МПК: G01R 29/10

Метки: антенной, волны, коэффициента, отражательной, отражения, раскрыва, решетки, управляемыми, фазированной, фазовращателями, электрически, электромагнитной

...Для равномерного возбуждения области фазированной антенной решетки Я, = 51 1 /Ь, где /1длина волны. При выборе д а 2 6(положение нуля между первыми и вторыми боковыми лепестками и более,/11/Г) достигается уменьшениеошибки определ ния коэффициента от" ражения, обусловленной влиянием боковых лепестков диаграммы направленности области фазированной антеннойрешетки. Диаграмма направленностиимеет максимумы напряженности поля излучения, величина которых определяется коэффициентом отражения от излучателей фазированной антенной решетки для ряда угловых положений".для зеркального отражения падающейволны - / Г( Ц )/, а для отраженныхволн, соответствующих первому и второму прохождению волн через фаэовраг (в,+д ) / 4-/г(в,)/ и Ы/1-/Г ( О, + 2 д) /,...

Номер патента: 1469473

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Брандт, Власов, Обтемперанский, Чайковский

МПК: G01R 29/08

Метки: амплитудно-фазового, зоне, многомодового, поля, раскрыва, распределения, тракта, электромагнитного

...в полупроводниковой пластине 5электронным лучом формируют и перемещают зонд 10, размеры которогоменьше длины волны (изотропный рассеиватель) . Рассеянное зондом 10 полечастично излучается через поверхностьдиэлектрического слоя 6, а частичнораспространяется в объеме диэлектрического слоя б и через переход 7 возбуждает одномодовый волновод 8, выход которого подключен к входу СВЧприемника 9. Электрофизические параметры слоев структуры экрана электронно-лучевой трубки 3 выбираютсяисходя из условия квазисогласования,структуры в диапазоне углов Вриллюэна, распространяющихся в исследуемом многомодовом тракте 2 мод, что предполагает малое возмущение исследуемого поля. В то же время диэлектрический слой (планарный основной диэлектрический...

Номер патента: 1506391

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Антипин, Полухин, Серяков, Шубов

МПК: G01R 29/10

Метки: антенной, волны, коэффициента, отражательной, отражения, раскрыва, решетки, управляемыми, фазированной, фазовращателями, электромагнитной

...рупор. 10 ЗО ного уровня, соответствующих г: авному и зеркальному:гучдм (кривые 4 и5), величина которых определяетсякоэффиц 11 ентом отражении: для зеркального отражения падаюей долныг = К 1 Г(9 ),дпя отраженных волн, соответствующиходнократному прохождению волн черезфязоврсс 1 а,) .Д:1 гГа,+ь)1 =,: К (1-Г(Я.И,40 гд а - амплдтудцый коэффициент передачи по напряжению фазовращателей трджательного типа; К - коэффициент пр"порциоцальцости. При фаэировании излучателей области ОФАР по линейному или кцазилицейному закону (в соотвс.тствии с типом облучдющей антенны) ОФАР формирует 15 главный (кривая 4) и зеркальный (кривая 5) лучи. Зеркальный луч (кривая 5) расцоложен под углом 9 по нормали апертуры согласно законам зеркального отражения....

Номер патента: 1606947

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Батанов, Зубков, Карцев, Сазонов, Фролов

МПК: G01R 29/10

Метки: антенной, коэффициентов, отражательной, отражения, передачи, раскрыва, решетки, фазированной

...Формулы, выражающей(1 через измеренные значения Ц)цы Бвыражаются через изме(н 011атрицу ц), определенные чематрицы К и Т, а также ортою матрицу А, ОртогональнаяА имеет вид (12);А= ( ), гдеа а =+1,.ОО а2Такой вид матрицы А позволяетопределить полную матрицу рассеяния раскрыва ОФАР, причем столбцы матрицы Я и недиагональные элементы матрицы (22)Б определяются с точностью до знака, Для произвольной ортогональной матрицы А определение матрицы Б было бы невозможно,Получим соотношение (12), Для . этого предположимчто матрица име 15 ет вид: э= ( ) (14) и продифференцируем выражение (1)по ), и по 3Ь :+( н )(16) В = (ЬФг. Ь 12 Ьгг) ЬЬЬг,р - (ь г) Ьг, Ь Ь Ь (Ь Ь 1Ъ 45 Используя выражения (16), запишем соотношение для К, положив-ф=Ь(Ъ +Ь)( Ь ) - =...

Номер патента: 1689881

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Батанов, Зубков, Карцев, Сазонов, Фролов

МПК: G01R 29/10

Метки: антенной, коэффициента, отражательной, отражения, раскрыва, решетки, фазированной

...диагональным элементом матрицы, заключенной в квадратные скобки в соотношении (5). Ввиду того, что матрица Яд имеет вид0) (4), коэффициенты отражения Га можно выразить только через элементы матрицы Яд, характеризующие раскрыв ОФАР:Га = ба /(1-Гса), (6) где са=Е - ГЯд)ЯА(7)Для ЯА заранее известна диагонализирующая ортогональная матрица Т, зависящая только от геометрии фрагмента, а не от конкретного вида излучателей, Матрица Т является прямым произведением Т = 1 вЮ 1 с двух матриц Ь и Ь, имеющих видг где Г - коэффициент отражения на выходеотражательного фаэовращателя. ставитель Е, Скорохохред М.Моргентал 2фвг.1вдактор Е, Папп Фиг.2ректор М,Д Заказ 3811 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при...