Патенты с меткой «электропроводностью»

Номер патента: 470405

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Першина, Ткаченко

МПК: B29F 5/00

Метки: переменной, электропроводностью

...до температуры размягче;ия и ).0 лэтилена, температура второй формун,.щей поверхности был бы вьшц ця) )льк .чтобы в распляве наблюдался перепад тм иератур, например 7 - 10 С при толщие ра плавленной массы 1 мм. Указанный перепад температур сохраняют при дальнейшем ох лаждении, которое ведется, например со скоростью 15 С мин, вследствие че;о фронт От;ержденця полиэтилена постепенно перемс щается по толщине расплава От более холод- ,О ЦОЙ фОРМУОЩЕй ОВ РХЦРСК ООЛСЕ ГОР 51- ей. 1)ри эт. и)Оцсх)д,1 ц:.Вяция сяжц из расплава, создается градиент концентрации сяжц по толщицлст Обловленное цм изменение проводимости по тол 1)ине.1,09 1,06 1,03 0,99 0,95 0,90 0,85 0,80 0 0,03 0,06 0,10 0,14 0,19 0,24 0,29 3,6 3,6 4,8 7,0 9,020,0 65,0 )2000,0 10 В...

Номер патента: 611115

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Батова, Звенигородский, Михайлова, Никиточкин

МПК: G01F 1/64

Метки: высокой, расхода, сред, электропроводностью

...расчеты, к такой точности, чтобы искажениями поня возбуждения, возникающими при измерении расхода сред с высокой эпектропроводностью, можно было пренебречь. Кроме того, при больших диаметрах трубопровода такие расходомеры имеют большие размеры магнитной системы, что существенно затрудняет их реапйзацию.Н 1 епью изобретения является уменьшение погрешности измерения расхода сред с высокой эпектропроводностью, зависящей от Изобретение относится к области измерения расхода с помощью электромагнитных расходомеров.Известны способ и устройство дпя измерения расхода эпектропроводяшей жидкости, 5 основанные на индуцировании ЭЛС в среде, движущейся в магнитйом поле. В них измеряют разности потенциалов большого числа точек по образующей...

Номер патента: 651013

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Рудольф, Ян

МПК: C08G 69/14

Метки: повышенной, полиамидов, электропроводностью

...РЕС,имеет Н = 2,5 10 Ом, а модифицированный только 50 г РЕС = 600 полимеризат без графита - 4 10 " Ом,П р и м е р 2. В стеклянном цилиндрическом реакторе к расплаву130 г капролактама при перемешиваниидобавляют порциями 7,5 г РЕС = 6000,1,5 мл ЗМ бензольного раствора11 аА 1 Н (ОСНСНОСН) (сингидРид Синтезиа Колин), 22,5 г графита маркиСВи 0,3 мл И-ацетил -капролактама. Реактор погружают на 1 ч в ванну, нагретую до 180 С, и затем свободно охлаждают. Полимеризат содержит3,7 экстрагируемых кипящей водой частей и имеет Н = 1 10 Ом. Аналогичнаяпроба, полученная без добавки РЕС,имеет В = 4 10 ф Ом.П р и м е р 3. К расплаву 40 глауринлактама добавляют при 170 С0,4 мл сингидрида, 2 г РЕС = 3000,б г графита марки СВ = 2 и после полного...

Номер патента: 862400

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Лопато, Нигманов, Оболончик, Рубан, Ткаченко, Шевченко

МПК: H05B 3/14

Метки: высокотемпературного, нагревателя, окисного, переменной, сопротивления, электропроводностью

...окисного нагревательного сопротивления, особенно в случае эксплуатации его при температурах выше 2000 С,Кроме того, ресурс службы нагревательного сопротивления в условиях многократных переменных включений и выключенийдополнительно повышается за счет увеличения термостойкости, достигаемой его слоистым строением, включающим чередованиеслоев тонкодисперсной и грубозернистойструктуры.Пример реализации способа.В качестве подложки для формировйниятела нагревателя использовались картонныецилиндры диаметром 20 мм, на которыенаносили слои суспензии окисного наполнителя. В качестве окисного наполнителя суспензии и обсыпочного материала использовали твердые растворы высокоогнеупорных окислов составов: 1 - для концевых участков нагревателя (50...

Номер патента: 1321418

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Андриященко, Яковлев

МПК: A61H 39/02

Метки: зон, кожи, обнаружения, повышенной, электропроводностью

...сверху накладыВают актнВныи электродобеспечив равномерное его давление по всей площади прилегания, затем включают источник тока и проводят электролиз электролита, причем плотность тока нс должнапрсвышать величин, принятых в процедуре лечебного электрофореза 1100 200 А/см, В результате на активном элскт20 роде в зависимости от вида электролита и полярности приложенного напряжения образуется определенный химический элемент или химическое соединение, причс м в точках с повышенной электропроводностыо 25 в соответствии с законом Фарадея для электролиза выделится болынее количество всщсства, Далее ток вьгклгочак)т и активный электрод обрабатывают реактивом, который образует с выделивНимся при электролизе всгцеством устойчивое видимое...

Номер патента: 1452657

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Величко, Глуховский, Казанский, Краснянский, Максунов, Рунова

МПК: B22F 3/02

Метки: диэлектрика, заданной, металла, состоящих, электропроводностью

...ат дав.5 ления прессования, Для этого используют индикаторы часового типа, позволяющие Фиксировать перемещение плиты пресса при увеличении давления но времени прессования образца, Затем определяют значение 3 по Формуле1 37,/ = - , При увеличении давленияЧ 4 Рот 600 до 1000 ИПа объем гидросили ката кальция уменьшается с 3,92 до32,20 см .Тогда значение /3 составит1 2 20 3 92 3,а-- 1,1О МПа3,92 1000-60020При заданном значении Х = 0,141 0 22 .1 Р = 100 + --- 31 п+ -- х 1,1 10 0,14 0,22 0 7 А 1,2 10 6,4510 ф Р = 635 МПа,повышается трудоемкость за счет увеличения числа предварительных измерений.С увеличением шага выше 0,02уменьшается трудоемкость, хотя значительно падает точность получениязаданной электропронодности.Таким образом, величина...

Номер патента: 1467054

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Ахметзянов, Золотухин, Лачинов, Салазкин, Сангалов, Султанова, Толстиков, Шакирова

МПК: C07C 143/525, C08G 75/20

Метки: допирования, используемых, йодом, качестве, кислоты, мономеров, о-сульфобензойной, обладающих, полимеров, получении, после, производные, промежуточных, растворимых, синтеза, соединений, электропроводностью

...фпуоренаои синтез ведут при 90 С в течение6 ч. Продукт выгружают в охлажденную воду, Далее аналогично примеру 1.После сушки (80 С, 10 ч), двукратной перекристаллизации из этиловогоспирта, промывки сернистым эфиром,сушки (80 С, О ч) получают 10 г(50% от теоретического) целевого продукта в виде белого аморфноговещества. с т,пл. 330-332 СНайдено, %: С 63,7; Н 3,65;Я 8 2; Ма 5,94.СН,ЯО,ЯаВычислено, Х: С 64,5; Н 3,48;Я 8,6; Юа 6,18,ИКС, см : Эзо=1205, 1 с о =1670,П р и м е р 3. Получение мономера2, 1-бензоксатиол-хлор-дифенилил 1, 1-диоксида.В колбу, снабженную обратным водяным холодильником, загружают 5 г(0,000248 моль) пиридина, нагреваюто,при 90 С в течение 3 ч, Горячий раствор отфильтровывают от хлористогонатрия, Фильтрат упаривают до...

Номер патента: 1467060

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Ахметзянов, Золотухин, Лачинов, Салазкин, Сангалов, Толстиков, Халилов, Шакирова

МПК: C07D 327/04, C08G 75/20

Метки: допирования, иодом, качестве, кислоты, мономеров, о-сульфобензойной, обладающих, полимеров, после, производные, растворимых, синтеза, электропроводностью

...г (86,8% от теоретического) целевого продукта в виде белого кристалолического порошка с т.пл.168-170 С.Найдено,%: С 63,38; Н 3,64;Б 8,10;С 1 9,73,СН, БО,С 1Вычислено%: С 63,95; Н 3,59;Б 8,97; С 1 9.95.ИКС, см 1: во =1200; 1 боцз =1365,П р и м е р 2, Получение 2,1-бензоксатиол-З-хлор-З-флуоренил,1-диоксида, 40 В колбу, снабженную обратным водяным холодильником, помещают 5,24 г (0,0140 моль) натриевой соли 2-12 - Флуореноил ) сульфобензойной кислоты,15 мл (0,208 моль) хлористого тионила, 25 л бензола, 0,034 мл триэтилоамина, нагревают при 90 С в течение 3 ч, Горячий раствор отфильтровывают от выпавшего хлористого натрия, промывают гексаном и сушат в вакууме (50 С, 6 ч). После сушки получают 4,25 г (82% от теоретического) целевого...

Номер патента: 1610361

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Маслов, Павленко

МПК: G01M 7/08

Метки: внешнее, давление, диэлектрика, замкнутой, импульсное, испытания, низкой, оболочки, цилиндрической, электропроводностью

...1 внешнего давления определяют из соотношения 1=(1 ЯЦ)/ИЬ 1),где 1 - момент инерции оболочки сзаглушками относительно оси подвеса;1 11 с тензодатчиками угол у отклонения"оболочки 1. Величину внешнего давления 1 на оболочку 1 определяют изсоотношения 1 ЯС1ЙЫфгде 1 - момент инерции оболочки сзаглушками относительно осиподвеса;Я - частота свободных колебанийоболочки с заглушками;Й - диаметр оболочки;Ь - ширина пояса покрытия у торца оболочки;1 - расстояние от оси подвесадо пояса покрытия у торцаоболочки.По сравнению с известным спосо 5 ом, предусматривающим размещение на поверхности оболочки датчиков магнитной индукции, измерение параметров магнитного поля и пересчет этих параметров в величину механического давления на оболочку,...

Номер патента: 1770008

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Абайдулина, Баранов, Глущенков, Жидков, Паршиков, Усольцев

МПК: B21D 26/14

Метки: композиционных, низкой, формования, электропроводностью

...Рижский политехнический институт, 1984,часть), который после воздействия электромагнитного поля возвращается в исходное положение, Недостатком данного способа формования материала является невозможность его применения при изготовлении деталей из композиционных материалов, так как здесь требуется значительное время выдержки с заданным усилием при определенной температуре отверждения связующего. Время выдержки в сотни раз больше времени действия импульса электромагнитного поля.Целью изобретения является расширение технологических возможностей за счет обеспечения постоянного давления на деталь и простоты сьема спутника с детали,указанных температур фазовых превращений.Сопоставленный анализ заявляемогорешения с прототипом показывает, что...

Номер патента: 1777044

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Кубасов, Шихмурзаев

МПК: G01N 15/00

Метки: дисперсиях, жидкостях, меньшей, нестратифицированных, низкочастотный, размера, сферических, частиц, электрогидродинамический, электропроводностью, электропроводных, эффективного

...проницаемость жидкой фазы ео на фиксированной частоте щ и коэффициентдиффузии ионов О в этой фазе, после чего, используя последовательную схему замецения электролитической ячейки сопротивлением Я и емкостью С, на той же частоте в при одном межэлектродном расстоянии 1 определяют Я 1 и С 1, а при другом межэлектродном расстоянии И 2 измеряют С 2, и в результате эффективный размер частиц а определяют по формуле1 1 4 ЛО 23 С 1 С 2йР(ь - ы) 15 О= О/В 18 - электропроводность дисперсии; а - объемная концентрация, 8 - площадь электрода; в - круговая частота приложенного к электродам переменного электрического напряжения; а =г /г", где 20о О мкм а 100 А; Р =г"ф)бг; (и - 3, 4)-и-йо момент функции распределения частиц по размерами(г);0 в100...

Номер патента: 1503167

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Глущенков, Москалев, Самохвалов

МПК: B21D 26/14

Метки: магнитно-импульсной, низкой, электропроводностью

Способ магнитно-импульсной обработки деталей из материалов с низкой электропроводностью, заключающийся в установке между индуктором и заготовкой в зоне деформирования последней спутника переменной толщины из материала с высокой электропроводностью и последующего воздействия на него давлением импульсного магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения качества получаемых деталей и снижения себестоимости их изготовления, толщину спутника по длине обрабатываемой зоны заготовки определяют из следующего соотношениягде S1 - текущее значение толщины спутника;

Номер патента: 1568351

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Глущенков, Исарович, Самохвалов

МПК: B21D 26/14

Метки: заготовок, магнитно-импульсной, низкой, электропроводностью

1. Способ магнитно-импульсной обработки заготовок из материалов с низкой электропроводностью, заключающийся в намотке на заготовку спутника из нескольких слоев фольги из материала с высокой электропроводностью, предварительном уплотнении фольги и последующем деформировании заготовки посредством спутника давлением импульсного магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью снижения технологической себестоимости получаемых деталей за счет повышения стойкости спутника, предварительное уплотнение спутника из фольги осуществляют квазистатическим давлением, а деформирование заготовки осуществляют при этом давлении.2. Устройство для магнитно-импульсной обработки заготовок из материалов с...

Номер патента: 1628339

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Исаченков, Самохвалов

МПК: B21D 28/14

Метки: заготовок, индуктор, магнитно-импульсной, низкой, электропроводностью

Индуктор для магнитно-импульсной обработки заготовок из материалов с низкой электропроводностью, содержащий эластичную токопроводящую спираль с эластичной электрической изоляцией и бандаж, размещенный с нерабочей стороны эластичной токопроводящей спирали, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности обработки заготовок из материала с низкой электропроводностью, бандаж выполнен из материала с высокой электропроводностью.

Номер патента: 1531313

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Глущенков, Лебедев, Разумов, Стукалов

МПК: B21D 26/14

Метки: заготовок, калибровки, магнитно-импульсной, многоразовый, низкой, спутник, трубчатых, электропроводностью

Многоразовый спутник для магнитно-импульсной калибровки трубчатых заготовок из материалов с низкой электропроводностью, выполненный в виде многослойной втулки из фольги с высокой электропроводностью, отличающийся тем, что, с целью повышения ресурса работы, втулка выполнена с равномерно изменяющейся шириной слоев, расположенных симметрично плоскости, перпендикулярной оси спутника и проходящей через его середину, при этом разность между шириной двух соседних слоев составляет от двух до четырех толщин фольги.

Номер патента: 1760679

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Голиусов, Лебедев, Самохвалов, Цуканов

МПК: B21D 26/14

Метки: заготовок, магнитно-импульсной, низкой, штамповки, электропроводностью

Способ магнитно-импульсной штамповки заготовок из материалов с низкой электропроводностью, заключающийся в размещении на обрабатываемой заготовке технологического спутника из материала с высокой электропроводностью, установке заготовки со спутником в матрицу и последующем деформировании заготовки посредством спутника при воздействии на него импульсного магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления деталей из высокопрочных материалов, деформирование заготовки осуществляют в два этапа, на первом этапе производят предварительное деформирование при энергии разряда, обеспечивающей минимальную скорость соударения заготовки с матрицей, затем удаляют...

Номер патента: 1518993

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Лебедев, Саморуков, Самохвалов

МПК: B21D 26/14

Метки: магнитно-импульсной, низкой, спутник, трубчатых, электропроводностью

1. Спутник для магнитно-импульсной обработки трубчатых деталей из материалов с низкой электропроводностью, содержащий ленточную намотку по замкнутому контуру из материала с высокой электропроводностью, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости, намотка выполнена в виде цилиндрической спирали с витками прямоугольного сечения, контактирующими по межвитковым поверхностям.2. Спутник по п.1, отличающийся тем, что, с целью обеспечения надежности контакта между межвитковыми поверхностями, высота витков составляет от 0,8 до 1,2 мм.