Антимонид самария sм sв и способ его получения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 912649
Авторы: Абдусалямова, Власов, Нигматулин, Смирнов
Текст
Химический состав БЬТеоре- Зкспетицес- рименкий таль- ный Плот- Плотност ь иост ь Структура Структурныйтип Параметр решетки,Тео кспе имен тич кий пи крентген альый ном 5 73 5,81 35,05 34,82 64,85 65,3.1 Кубическая Анти-П 11 9,321 Формула изобретения 1 ч, выдерживают 5-6 ч, повышаютАнтимонид самария ВпБЬ 1 для температуру от 310-330 С до 390- использования в полупроводниковой 410 ОС в течение 1 ч и выдерживают технике. 5-6 ч, вновь поднимают температуру2. Способ получения антимонида от 390-410 С до 490-510 С в течение самария БпфЬ, о т л и ц а ю - 1 ч и выдерживают 3 ч с последующим45щ и й с я тем, что исходную смесь охлаждением, затем смесь растирают самария и сурьмы, взятых в стехио- в порошок, прессуют, нагревают от метрических соотношениях, откачи- комнатной температуры до 1600-1620 С вают и нагревают от комнатной тем- в атмосфере инертного газа в течепературы до 310-3300 С в течение ние 30-35 мин и охлаждают.Составитель В. ПополитовРе аедактор А. Гулько Техред Ж.Кастелевич Корректор и Демчик Заказ 1297/30 Тираж 514 Подпи сноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Иосква, М, Раушская наб д, 4/5 Филиал ППП "Патент, г, Ужгород, ул, Прое ктная, 4 3 91заданной стехиометрией и гомогенностью.П р и м е р, Шихту Яцф 1) общимвесом 4,5708 г Игл 3,0855 г и ЯЬ16653 г) тщательно смешивают, помещают в ампулу из молибденового стекла, откачивают до 10 4 мм рт.стзапаивают и нагревают в электропечиСШОЪ 6/12 по следующему режиму: в течение 60 мин шихту нагревают до комнатной температуры до 320 С и выдерживают 5-6 ч, в течение 60 мин шихтунагревают от 320 до 400 С и выдерживают 5-6 ч, в течение 60 мин шихтунагревают от 400 до 500 С, выдерживают 3 ч и охлаждают до комнатнойтемпературы,Затем ампулу с шихтой разбивают,шихту растирают в порошок, прессуютв таблетку, загружают в молибденовый тигель, который помещают вэлектропець СШВЛ 0,62/25, заполняют гелием, после чего нагревают откомнатной температуры до 1600-1620 Со Полученное соединение подверга 5 ют термическому, металлографицескому, химическому и рентгеноструктурному анализам. Результаты анализов показывают, что соединениеБпфЬкристаллизуется в кубической1 О структуре типа анти-ТЕ 1, В таблице приводятся основные характеристики ЯиБЬ,Приведенные данные показывают,что 5 цБЬ представляет собой новыйтип соединения. Выход продукта приданном способе его получения составляет, в пределах ошибок методованализа, практически 1003, Новоесоединение Бп 15 Ьрасширяет номенклатуру полупроводниковых соединений и может быть использовано припроизводстве магнитных материаловразличного назначения,
СмотретьЗаявка
2893956, 17.03.1980
ИНСТИТУТ ХИМИИ ИМ. В. И. НИКИТИНА АН ТАДЖИКСКОЙ ССР
АБДУСАЛЯМОВА МАКСУДА НИГМАТУЛЛАЕВНА, ВЛАСОВ НИКОЛАЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, НИГМАТУЛИН РАВКАТ ВАФЕЕВИЧ, СМИРНОВ ИГОРЬ АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C01F 17/00
Опубликовано: 15.03.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-912649-antimonid-samariya-sm-sv-i-sposob-ego-polucheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Антимонид самария sм sв и способ его получения</a>
Предыдущий патент: Способ получения карбоната бария
Следующий патент: Способ экстракционного извлечения висмута
Случайный патент: Способ очистки сплава от окисных плен