Газоразрядная индикаторная панель

аю с 11) СОКИ СОВЕТСКИХцел аюнюРЕСПУБЛИК 49 5,ОСУДАРСТВЕНКЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(54)(57) 1, ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКТОРНАЯ ПАНЕЛЬ, содержащая верхнююи нижнюю диэлектрические лластины, отогональные системы электродов, образ-ющие в перекрестьях ячейки индикации, и фокусирующую систему, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью расширения области применения, повышения яр. кости и уменьшения искажения изображения, фокусирующая система размещена между верхней диэлектрической пластиной и системами электродов, при этом еефокусирующне элементы расположены над ячейками индикации.2. Панель лв и. 1, о т и и ч а ющ а я с я тем что фокусирующая система выполнена в виде перекрещивающихся систем цилиндрических линз.Изобретение относится к техйике газэразрядных приборов и может быть иолользовано при конструировании газоразрядных индикаторных панепей, способныйвоспроизводить знакографические и полу 5тоновые изображения,Известна газоразрядная индикаторнаяпанель (ГИП), содержащая диэпектричеокие пластины, на которые нанесены двеортогонапьные системы электродов. ГИПпозволяет воспроизводить различные видыинформации 1 11.Недостатком этой ГИП явпяется невозможность осуществления подсветки накпадываемых мнемосхем, что сужает ее15функциональные возможности.Наибопее близкой к предйагаемой потехнической сущиости явпяется ГИП, содержащая верхнюю и нижнюю .диэпектрические ппастины, ортогоюпьные системыэлектродов, образукицие в перекрестьяхячейки индикации, и фокусирующую систему 2.Недостатком этой ГИП явпяется невозможность осуществпения подсветки мне 25мосхемы, что сужает ее функционапьныевозможности,Цепь,изобретения -,расширение обпасти применения, повышения яркостй иуменьшения искажения изображения.Поставленная цепь достигается тем,что в ГИП, содержащей верхнюю и нижнюю аиэпектрические пластины, ортогональные системы эпектродов, образующиев перекрестьях ячейки индикации, и фИксирующую систему, поспедняя размещеюмежду верхней.диэпектрической ппастинойи системами эпектродов, при этом фокусирующие эпементы распопожены над ячейками индикации. 40Фокусирующая система может бытьвыполнена в виде перекрещивающихсясистем ципиндрических пинз.Фокусное расстояние пинз выбираетсяиз соотношения 45д ьГс 22,где Г - фокусное расотояние пинз;д - расстояние между электродами;Р толшию верхней ппастиные 50На фнг, 1 изображена ГИП; на фиг.2 то же, вид сверху; на фиг. 3 принцип.фокусировки; на фиг. 4 - ГИП с ципиюрическими пинзами; на фиг. 5 - то же,вид сверку; на фиг, 6 - принцип фокусировки цилиндрическими пиизами; на фиг.7участок мнемосхемы, вид сверху.Гип оиержит верхнюю 1 и нижнюю 2диэлектрические пластины, ортогонапьные системы электродов 3 (аноды) и 4 (катоды), образующие в перекрестьях ячейки5 индикации, систему 6 с фокусирующимиэпементами 7, которые расположены надячейками 5 индикации.Между эпектродами 3 и 4 помещеюматричная решетка 8 с отверстиями 9,эпектроды 3 и 4 и отверстия 9 матричной решетки образуют ячейки 5 индикации.Фокусирующие эпемеиты 7 распопожееа против перекрестий эпектродов 3и 4.ЭГИП работает спедующим образом.На требуемые электроды 3 и 4 подается разнопопярное импульсное напряжение, в резупьтате чего возбуждаетсясвечение в соответствующих ячейках индикации. Эпементы 7 фокусируют световой поток ячейки индикации на мнемосхеме 10, накладываемой ю поверхность ппастины 1,Принцип фокусировки поясняется нафиг. 3, где применяются следующие обозначения: 11 - источник света (ячейкаиндикации); 12 - фокусирующий элемент(динза); 13 - световой конус ячейки индикации, фокусируемый на мнемосхеме;14 - верхняя защитная пластина; 18Mрепомпенный в защитной пластине световой конус, выходящий за. препелы фокусисирующего эпемента 12.При отсутствии фокусирующего элемента 12 распредепение яркости (о)мнемосхемы, попоженной на верхнюю .ппастину ГИП, имеет вид кривой 16.Участок с максимапьной яркостью раоположен над ячейками индикации 11. Однако по мере удапения от ячейки яркостьизменяется ппавно, и опредапить точноеместоположение подсветки невозможно,Распопоженный над ячейкой индикацииепемент 12 фокусирует световой поток,падающий ю этот элемент на участке ав,еспи источник света распопожен в фокусеэпемента 12, а интенсивность подсветкимнемосхемы. имеет вид кривой 17 надячейкой индикации и кривой 16 (за иокпючением участка, обозначенного штриховой линией), как видно, подсветка научастке над ячейкой индикации значитепьно выше паразитного фона (сппошнойу асток кривой 16) и имеет четкие границыЕсли источник помещен между фоку -сом и двойным фокусом эпемента 12,то интенсивность подсветки мнемосхемына участке юд ячейкой индикации будетеще бопьше, (кривая 18), а ппощадь ееменыде.3 101В случае выполнения основы фокуси, рутощей системы 6 (фиг. 1 ) из непрозрачного материала царазитный фон( сппошной участок кривой) практическиотсутствует.РаствОрим другой вариант выпопненияГИП (фиг. 4).ГИП содержит верхнюю диалектрическую цпастину 1 и нижнюю диапектричеокую пластину 2, между которвми помещены две системы апектродов 3 и 4,расположена матричная решетка 8, образованная диалектрическими вопокнами; 19 и 20, вынесенными за пределы ячеекиндикации, фокусирующая система образована ципиидрическими линзами 21 и22, распопоженаами вдопь алектродовсистем. таким образом, что перекрестьяцилиндрических пию распопожены противперекрестий апектродов.Весь пакет скреплен диалектрическимивопокнами 23. Такая конструкция ГИПнаиболее технопогична, так как может.быть изготовлена методом плетения наткацких станках.Принцип фокусировки светового изпучения ячеек етого варианта ГИП проде.монстрирован фиг. 6, где обозначено:11 - индикаторная ячейка; 24 - поперечное сечение ципиндрической пинзы 21(фиг 5); 25 - поперечное сечение ци-линдрической лиюы 22 (фиг. 5); 16-1и 16-2 - распределение яркости мнемэсхемы цо плошади при отсутствии фокусирующей системы; 26 - распредепение .яркости на участке мнемосхемы, распопоженной над индикаторной ячейкой,, Особенность фокусировки световогоизпучения ячейки закпючается в спедующем.Бипиндрическая пинза (фиг. 6) фокусирует иэпучение в ппоскости, перпендикупярной ее дпине, и имеет вид сппошного участка кривой 16-1, Е , Е, Ро, Р,т.е. в атой ппоисости фокусировка происходит как и в предыдущем спучае. Вплоскости, проходящей вдопь ципиндричеокой пинзы 21, фокусировки изпучения непроисходитВ этой ппоскости изпучение фокусируется цилиндрической пинзой 22 анацогично, как и в предыдущем случае. Суммарная фокусировка ортогонапьно распопоженными цилиндрическими линзами дает распредепение яркости изпучения поппоскости мйемосхемы изображенной фигурой, в основании которой лежит квадрат (ипи прямоугопьник) АВСЭ, а абсопютная вепичина этой яркости ограниче н 6 поверхностью 26. Паразитный фон,вызываемый несфокусированным иэпучением ячейки, занимает поверхность, лежащую вне квадрата А, ВСоЗо н быстро убывающую по мере удапения от него.Абсопютное значение этой яркости ограничено поверхностью А В С Э,Участок мнемосхемв, пежащего надячейкой индикации, изображена фигурой1 а АВСЭ, а паразитный фон пежит внеучастка АоВоСоЭоМаксимапьная интенсивность этого фона дпя реапьных конструкций ГИП можетбыть оценена из спедующих вепичин: тол .15 шина защитного стекла 5 мм, расстояниемежду ячейкой индикации и ципиндрической пийзой 0,5 мм,Пусть интенсивность светового нэпучения, падающего на пинэу равна.Известно, что интенсивность ненаправленного источника иэпучения обратнопропорционапьна квадрату расстояния,спедоватепьно, даже без учета косинусаугпа падения интенсивность фона составит () = 0,01 от интенсивностиподсвечиваемого участка АВСЪ .фокусное расстояние пинэ выбираетсяиз следующих соображений.В ряде конструкций ГИП, в особенЗй . ности с люминофором, протяженность;изпучающей части расположена междуапектродами и занимает все ато расстояние. Дня. того, чтобы сфокусированное на мнемосхему свечейие ячейки эаЭ 5нимапо дцину не бопее шага ячеекнеобходимо, чтобы источник изпучениянаходипся междуна фокусом и двойным фокусом, а в случае, когда. протяженностьисточника равна аС .фокусное расстояние(Р) Допжно быть не меньше 0(,.С другой стороны сфокусированное иэображение ячейки на мнемосхему отстоитот линзы на расстояние не меньше топшинй верхней защитной ппастнны, равной45Р. Иэ усповия того, что изображениеячейки на мнемосхеме должно быть небопыпе шага этих ячеек (условие, Прикотором не происходит спияния двух рядом горящих точек), фокусное расстояниепинз Г должно быть не бопьше 2 В ,50 спедоватепьно,(3 й ГП).Интенсивность подсветки Может бытьуйеньшена путем введения светоцогпощающего материапа в вопокна 19 и 20(фиг, 3).,Предпагаемое изобретение цепесообразно испопьэовать в системах, требующих отображения оперативной изменщощейся информации на фоне постоянной, 3 101 например, отображение информации о технологическом процессе на фоне мнемосхемы объекта. По предлагаемому изобретению можно создавать ГИП как постоянного, так и переменного тока, а также индикаторы, ф построенные на иных принципах: алектро6170 . 4 люминесцентн (е, жидкокристаллические и др.Исполюование предлагаемого изобретения позволяет создать инцикаторы 5 практически любых размеров с высоким разрешением, с возможностью отображения оперативной информации на фоне статической.