Масс-спектрометр

Номер патента: 562770

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Балаухин, Второв, Рыбальченко

МПК: G01N 31/08

Метки: газового, детекторе, ионов, источника, состав, термононном, хроматографа

...заявки Изобретение относится к анализу фосфор- и азотсодержащих соединений.Известен источник ионов для термоионно го детектора в газовом хроматографе, используемого для анализа фосфор- и азотсодержа щих веществпредставляющий собой монокристалл солей щелочных металлов (1.Недостатком этого источника является недолговечность и быстрое, разрушение при воздействии температуры.Известен также источник ионов содержащий инертный наподнитель и соль щелочного металла 2.В этом источнике соль и наполнитель сме. шивают и прессуют под давлением. Наполни- тель обычно берут от 2 до 8%.Недостатками этого источника являются малая механическая прочность, недолговечность, низкая термостабильность и малая пороговая чувствительность детектора.Целью...

Номер патента: 935845

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Темный, Усиков

МПК: G01T 1/24

Метки: детектора, ионов, мертвого, слоя, спектрометрического, толщин

...конкретного иона, например ионов гелия (двух- зарядных, т.е. ОЬ-частиц) и сравнения этих амппитуд при нормальном и наклонном падении этих ионов не лицевую поверхность ППД 1 2 1.Этот способ позволяет измерять толщины а пределах 1-0,0 мкм с точ- Зф , ностью 7-14%, однако позволяет при его доступности определить толщину мертвого слоя только для с(,-частиц.Цель изобретения - расширение диапазона определяемых толщин мертво" го слоя в сторону их меньший значений (измерения толщины производят для множества конкретных ионов в.энергетических единицах).4Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определе" ния толщин мертвого слоя спектрометрического детектора ионов в энергетических единицах путем измерения амплитуд сигналов...

Номер патента: 436673

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Бляхер, Вайсбейн, Гофман, Шишко

МПК: B01J 9/18

Метки: аппарат, кипящем, массо, многокамерный, проведения, процессов, слое, теплообмена

...результате изменения живогосечения решетки создается пульсация газового потока, а пульсирующий газовый потокспособствует разрушению газовых пузырей,интенсифицирует процесс перемешивания ча 2стиц в слое, уменьшая каналообразование, и стабилизирует режим псевдоожижения.На фиг. 1 изображен описываемый аппарат, вертикальный разрез; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1.Описываемый аппарат представляет собой корытообразный корпус 1 и может быть разделен на секции. Газораспределительное устройство 2 выполнено в виде перфорированного желоба, в котором смонтирован транспортирующий шнек 3. Газораспределительное устройство установлено над газовой камерой 4.Отверстия в газораспределительной решетке расположены по винтовой линии шнека с шагом,...

Номер патента: 625509

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Симашкевич, Циуляну, Чукова

МПК: H01L 21/20

Метки: осаждения, слоев, теллурида, цинка

...в ампулу подложки и вещества, из расплава которого производят осаждение, откачку и отпайку ампулы, нагрев ее до температуры растворения и выдержку при постоянной температуре, после 35 дующую эпитаксию в процессе понижения температуры с определенной скоростью, слив раствора с подложки и освобождение подложки со слоем от остатков растворителя 2 . Способ позволяет получать слои теллу рида цинка из раствора в расплаве металлов висмута и цинка. мещают в один конец графитовой лодочки, а подложку - в другой ее конец. Лодочку помещают в кварцевую ампулу, которую откачивают и отпаивают, Систему нагревают до температуры 950-1050 С. При такой температуре в течение 1 ч проводят растворение теллурида цинка, Затем лодочку наклоняют и заливают...

Номер патента: 75190

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Сизов

МПК: C23C 8/20

Метки: газового, диффузионного, металлических, насыщения, поверхностных, слоев

...состоянии, и еще быстрее, если он близок к на рообразному Состоянию или уже начинает испаряться. В таких условнях процессы требуют лишь долей секунды, но для этого необходимо обеспечить высокую концентрацию тепла на единицу нагреваемой илощади изделия и подвергать нагреву лишь очень тонкую пленку металла. Она должна быть нагрета столь быстро, чтобы тепло не успело передатьтся нижележащим слоям. металла.Для такого нагрева поверхностного слоя требуется мощность не менее двух киловатт на квадратныйсантиметр поверхности изделия. Для доведения поверхностного слоя металла до оплавления удобнее всего применять индукционный нагрев токами высокой частоты.Оптимальная частота тока для проведения такого нагрева должна быть порядка 1 млн. периодов...