Способ культивирования фитопатогенного гриба sертоriа nоdоruм

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 45 19) (11) А С 12 1 1/14 ОБ ТЕН У СВИДЕ ВТОР К 16 педоватепьно-ис толог а и В Дятлов 1 кег Н ).посц 1 ).е 1 с 1 во 1. осцсСегсо,1,. Ргп 1 оГцс 11 е75 СУЛЫИВРОВАНИЯ ФИТ БЕРТОК 1 А ИО)ОЮЛ ние относится к сп ия микроорганизмов технологии культи(54) Иэобрет собам преи- ирокультинирован муцественно к вания итопач изводогенных грибов, про о инокулюма для сеп циии.: ству споров о ако лекции Цел удельн Наи ого выхода спор фиг. 1 изображе ния лавсановой пл 1) и Э(2) и ра ения лампы ЛБи Э(3) спектр пнки марок п ность поток ерез пленки2 - относинок Эи излу Этель на фиание пл е про ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯ)1ПРИ ГННТ СССР ОПИСАНИЕ(46) 30. 04, 91. Бюп. (71) Всесоюзный науский институт фитоп (72) Т.И, Курахтано(56) Воуесе С.). Исюп апй згога 8 е оГврога К 11 цс 111 аког Р)уСорас 1 о 1 о 1,у, 198 р, 183-185. растений на устойчивость к боле1 Изобретение относится к технологии ьтивирования Фптопатогенных грибов астности к производству спороного кулюма возбудителя септориозав Бер.ог 1.а пойогцп Вег) для сена устойчивость к болезни.ь изобретения - увеличение 2Цепью изобретения является увеличение удельного выхода спор гриба. Способ заключается в том, что споры гриба Берлога посопхш за евают на твердую питательную среду, на которой осуществляют выращивание грибов в условиях непрерывного искусственного освещения лучистой энергией с максимумом излучения в области длип волн 310-320 нм и аэрации с поспедуюгрж сбором спор и их сушкой Облучение грибов при выращивании осуществляют с двух противо попохных сторон. Емкость для выращивания гриба может быть выполнена иэ лавсановий пленки Облучение фитопатогенных грибов Бер.огра пос 1 огцт в период их выращивания лучистой энергией в облас ти длин волн 310-320 нм существенно увеличивает удельный выход спор укаэанного гриба. 1 з,п. Ф-лы, 2 табл., 4 ип. Э(1) и спектральный КПД лампы типа 1 Б (2)на опт. 3 - динамика споруляции изолята гриба Вя/10 на соломенном субстрате при различных условиях освещения; на Фиг. 4 - относительное спектральное распределение энергии излучения эритемной лампы.Сущность способа заключается в том, что споры гриба Берога подогцш сеют на твердую питательную среду на которой осуществляют выращивание грибов в условиях непрерывного искусственного освещения лучистой энергией с максимумом излучения в области длинволн 310-320 ни и аэрации с последующим сбором спор и их сувкой. Облучение грибов при выращивании осуществляют с двух противопололных сторон,Установлено, что наиболее благоприятным реювюм освещения грибов является облучение в области 310-320 нм.П р к м е р 1. Споры гриба Зерйогъа пойогцш, иэолят В, -4/10, засевают на соломенный субстрат и выращивают в условиях непрерывного искусственного освещения: в двух вариантахэритемньвв ламнзии ЛЭ 30 с максимумом излучения И области длин волн 310 15320 нм (фиг. 4) согласно предлагаемому способу и в одном варианте лампамиЛБ, имеющих иаксимуи излучения вобласти длин волн 360-370 нм и более400.ни (табл. 1) по известному способу. Иэ данных, приведенных на фнг. 3,видно, что обпучение грибов в периодих выращивания излучением в областидлин волн 310-320 нм (освещение с одной стороны) обеспечивает увеличение 25удельного выхода спор гриба в два раза, при освещении с двух сторон - в 45 раз,П р и м е р 2. Аналогичный эффект мощет быть достигнут при использовании люиинесцентных лаип (ЛБ),имеющих максимум излучения в областидлин волн 360-370 нм и более 400 нм(табл. 1), йо при условии, что потоклучистой энергии от этих ламп проходит через фильтр, которвй обеспечиваетмаксимум излучения в области длинволн 310-320 нм, В качестве такогофильтра (покрытие культиватора) мохетбыть использована лавсановая пленкамарки ПЭГ-Ю. При культивированииизопята гриба 8. пск 1 огцш на зерне встеклянных колбах (известный способ)и в емкости из пленки толщиной 10,20, 50 мкм выход спор соответственносоставил 300, 100 и 8 Х от выхода вконтроле (известный способ) при оди-,наковых прочих условиях культивирования и освещении ламнаии ЛБ.Анализ спектров пропускания пленки10 (Э) и 20 (Э) мки и иэлуче 50ния ламп ЛБ (фкг. 1 и 2) показывает,что расчетная разность потока излучения лампы, пропускаемого нпенкой 10и 20 мкм (фиг. 1, кривая 3), составляет около 8 мЗт (порядка 0,013 отпотребляемой лампой энергии) в диапазоне 310-320 ни. Разница в спорообраэованнн обусловлена различием в светопропускании именно в этой области, так как с увеличением данны волны относительная разность светопропускания пленок 10 и 20 мкм резко сникается (фиг. 2, кривая 1), а КПД лампы ЛБ возрастает.П р и м е р 3. В табл. 2 приведены сравнительные экспериментальные данные по выращиванию гриба Б. подогцш (10 изолятов) на зерне в культиваторе из лавсановой пленки толщиной 10 мкм при культивировании в условиях непрерывного искусственного освещения. Испольэовали два типа лам: ЛЭи ЛБ(известный способ). Установленная мощность ламп ЛЭбыла меньше в 3,3 раза. Из данных табл. 2 видно, что достигается увеличение выхода спор гриба на 1"2 порядка (макс.) при облучении их лучистой энергией с максимумом излучения в области 310-320 нм (эритемные ламы ЛЭ) согласно предлагаемому способу по сравнению с облучением лампамк ЛБ(максимум излучения в области 360-370 нм и более 400 нм).В биологических свойствах спор (прорастаемость, морфолого-культураяь" ная идентичность с исходной культурой) гриба Я.пойогиш при облучении его лучистой энергией с длиной волны 310-320 ни отклонений не имелось.Таким образом, освещение фитопатогенного гриба 8. пойогцш лучистой энергией с максниумои излучения в области длин волн 310-320 нм в период его культивирования на твердой питательной среде обеспечивает увеличение удельного выхода спор указанного гриба.формула изобретения1. Способ культивирования фитопатогенного гриба Зерйога пооогцш, включающий посев спор гриба на твердую питательную среду, выращивание их в условиях непрерывного нскусствейного освещения в емкости, выполненной из светопрозрачного материала, и аэрации с последуюцнм сбором спор к их сушкой, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения удельного выхода спор гриба, их освещение осуществляют лучистой энергией с максимумом излучения в области длин волн 310-320 нм,2. Способ по и, 1, о т л и ч а ю " щ и й с я тем, чтоосвещение осуществляют с двух противополозиых сторон, а в качестве светспроэрачного материала используют лавсановую пленку,1645290 Таблица 1 Спектр ламп типа ЛБ Диапазон длиныволны излучения, нм Доля потребляемой энергии, преобразуемой в излучение,10 З 0,39 750-760 Та блица 2 Спорообразование изолятов Б.пойогцщв культиваторе из лавсановой пленкитолщиной 10 мкм в зависимости отисточника света (выход в 1 ФК 10 спор/г субстрата) Тип ламп Изоляты 1 ЛБ ЛЭ, Щароаи орре Заказ 13 ВНИИПИ Г да Производств О Ь г Ъ,Фиг.Фоставитель Р. Андрееехред М.Дидык Тираж 378венного комитета по изобретениям 113035, Москва, Ж, Раушская н тельский комбинат "Патент Подписное и открытиям при ГКНТ СССРаб., д. 4/5 Ужгород, ул. Гагари