Устройство для кристаллизации из раствора
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
,ш И 2449 Е ИЗОБРЕТЕСВИДЕтепьСтау ОПИСАН АВТОРСКОМ 11.2 Г. А. Кардашев,Шаталовна Трудовоготитут химичеако. Кристаллизацияеской промьпплеи 968, с.57796,1 (прототип) истАплизА",мкость,ной плите,церы, вьг" ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ, СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ 1,2 1) 372862/23-26(54) С 57) УстРойство ДЛЯ ЦИИ ИЗ. РАСТВОРА, имеюще установленную на фундам подводящие,и.отводящие грузное приспособление и низкочастот" .ный вибратор со штоком, о т л и.ч а ю щ е е с я тем; что, с цельюполучения кристаллов моновысокодисперсного состава и формы, близкой ксферической,. путем исключения колебаний емкости и создания стоячихповерхностно-капиллярных волн, фчыдаментная плита снабжена стойкой извукопоглощающими прокладками, размещенными.между стойкой и ем 1;остьювыполненной со сливиьи отверстием,в боковой. стенке, прп зтом низкочастотный вибратор закреплен на стойке.и. снабжен насадком, выполненным вниде обечайки прямоугольного сечения, установленной на расстоянииот стенок емкости, а нижняя кромкаобечайки установлена ниже сливногоотверстия, 1162449Изобретение относится к области химического машиностроения и может быть использовано для получения кристаллов из неорганических солей растворов в химической, пищевой 5 промышленности, а также других отраслях народного хозяйства.Целью изобретения является получение кристаллов моновысокодисперсного состава и формы, близкой к сфе- О рической, путем исключения колебаний емкости и создания стоячих поверхностно-капиллярных волн.На фиг. 1 представлено устройство - для кристаллизации из раствора, об щнй вид; на фиг,.2 - вариант выполнения устройства с несколькими на" садками, расположенными параллельно,Устройство для кристаллизации из раствора содержит фупдамептную плиту 201, на которой через звукопоглощающие прокладки 2 установлена емкость 3 с . подводящим штуцером 4,рубашкой охл ь;делся (теермостятпрованиф, (пе по./ казана, вьп рузяым приспособлением 5.25 Па боковой стенке емкости гаризоц" тальло расположено отверстие 6 (урояепО и сливной карман 7 с отводяшимшту.,аром В, Иа фундаментной плите за" крепляе гся стойка 9 с прикрепленным к ней низкочастотный вибратором 10, соединенным через шток 11 с насадком 12, При этом насадок опускается в сосуд не касаясь его стенок на глуби" ну равную длине поверхностно-капил)35 лярпой волны.Устройство работает следующим образом.Через щтуцер 4 емкость 3 заполняется нагретым раствором до отверстия 40 6, частично притапливая нижнюю часть насадка. Излишки раствора сливаются через отверстие и попадают в сливной карман l, С помощью рубашки термостатнрования устанавливается температура 45 кристаллизации раствора, Далее вклю" чается низкочастотный вибратор 10- колебания которого через шток 11 перед;цотся на насадку 12 и поверхностную пленку раствора, Звукологлощающая 50 прокладка 2 звукоизолирует емкость 3 от возможных колебаний вибратора 10, которые могут быть переданы через стойку 9 фундаментной плите. 1, Таким образом, колебания от вибратора О 55 .передаются только поверхностному слов жидкой пленки, создавая на поверхно стп. раствора волны. Конструктивная особенность насадка состоит в том,что он выполнен в виде обечайки прямоугольного сечения, Только такоевыполнение насадка позволяет получатьна поверхности раствора не простоволны, а когерентиые поверхностнокапиллярные волны, распространяющиесяво взаимно перпендикулярных иаюравлениях и одновременно с его помощью цир.куляциониые макропотоки раствора.Когерентные волны, распространяющиеся внутри насадка по поверхностираствора, интерферируют н создаютстоячие поверхностно-капиллярные волны с правильно расположенными узлами,пучностями и четко обозначеннымиячейками.Длина поверхностно-капиллярной волны оПределяется из соотношенияЯЯЙгде- длина поверхностно-капнллярной волны;б - коэффициент поверхностногонатяжения жидкости- плотность жидкости,й - частота низкочастотного воз"действия.Расстояние между двумя узловымиточкамиравно9 2 ТТ где % - длина поверхностно-капиллярной волны. Для получения стоячих поверхностно-капиллярных. волн размерсторон основания прямоугольногопараллелепипеда должен быть кратендлине поверхностно-капиллярных волн,Б связи с тем, что на поверхностижидкости существуют одновременностоячие поверхностно-капиллярныеволны и макропотоки, то происходитразделение макропотоков на микропотоки, циркулирующие внутри ячеекэтих волн, При этом момент количест"ва движения макропотоков и образую-щихся микропотоков микровихрей одийаков,К особенности данного явленияотносится тот факт, что микровихривозникают одного размера, в одииако"вых ячейках, с центрами в узле, оди"иаковых скоростей и имеют встречноевращение. Величина скорости враще"1 ния микровихрей достигает максимумаз . 1162449 4при условии равенства глубины погру-", . Таким образом, цикл образования жения насадки (Ь) длине поверхностно нового кристалла повторяется, а скокапиллярной волны 9),: пившиеся на дне кристаллы выводятсяВ поверхностных слоях раствора из раствора с помощью выгрузиого привследствие низкочастотной вибрации, , способления 5, В связи с тем, что име" испарения жидкости и наличия гради- ется большое число одинаковых ячеек, ента температур между холодным газом в которых созданы одинаковые гидро- и жидкостью возникают зародыши кри- . динамические условия для вращения сталлиэации. Зародыш кристалла, на- кристаллов, то и кристаллы получаются ходящийся в поверхностных слоях жид монодисперсного состава. В связи скости и при наличий на поверхности . тем, что растущий кристалл и раствор жидкости стоячих волн, вынужден пе- , находятся непрерывно во вращательном ремещаться в узел. Любая частица, , движении и застойныв зоны отсутствуют, в том числе и зародыш кристалла, рас" то и кристаллы получаются однородного положенный вблизи колеблющейся по . состава с формой, близкой к СФеричес-.верхности раствора, находится в не-, .кой. В связи с гем, что размер ячейки устойчивом состоянии, а следователь- зависит от частоты колебаний, та.ве- . но, будет перемещаться в место с ми- сом каждого кристалла можно управлять, иимальной энергией, т.е. в узел и там а так как вес связан с размером крис- будет удерживаться, чем исключаетсяталлов, то можно получать кристаллы.его горизонтальное перемещение. Та- разных размеров вплоть до высакодиским образом, осуществляется иепрерьв : персного состава. В связи с тем, что ная транспортировка зародыша крис- выросшие кристаллы выводятся из растталлиэации к узлу, т.е, месту роста . вора, концентрация раствора в верхних кристалла и удержание его от гори- юц слоях понижается. Подачей свежего зонтальных перемещений. раствора через подводящий штуцер 4и свободным переливам обедненногоПопав в узел,. зародыш начинает . . поверхностного слоя через отверстие быстро расти, так как находится в6 (уровень) восстанавливается концент" вихре, который вращается на поверх- . рационное равновесие. Обедненный раст" .ности жидкости с центром в узле. Пе- : вор попадает в сливной карман 7 и черемещение раствора относительно обра- реэ штуцер 8 удаляется из негоэующегося кристалла, а также и враще : Для того, чтобы управлять процесние самого кристалла относительно ра сом кристаллизации на большей поверХ- створа, способствует его росту во , ности раствора можно использовать .всех направлениях одинаково за счетвибрирующий элемент с несколькими отвода от его поверхности пленки обед- насадками 12 фиг. 2), которые распо,ненного, слабонасыщенного раствора ложены параллельно один другому па и притока свежего раствора, имеющего расстояниях, кратных длине паверхпересыщение. ;ностна-капиллярнай волны, жестка:связанными между собой, например сиРастущий кристалл удерживается до стемой прутков 13 и подсоединенных определенного момента, времени на по- к штоку 11 вибратора, Насадки, не верхности раствора, На кристалл, на- , касаясь стенок, опущены в емкость ходящийся на поверхности раствора, в .ниже отверстия уровня на глубину43й узле действует сила тяжести, силаравную длине поверхностно-капилляр- выталкивающая и сила, обусловленная , ной волны.градиентом давления между слоем враща- : При такам расположении насадок ющейся в вихре жидкости и покоящимся . стоячие поверхностно"капиллярные раствором. Сила тяжести уравновешива"волны, образуются не только на поется этимй двумя силами, что устраня ,верхностн раствора, ограниченного ет вертикальное перемещениерастуще насадками, но и между ними.Это приго кристалла, В тот момент, когдаводит к увеличению количества элесила тяжести превысит действие этих . ментарных ячеек иа поверхности радвух сил, кристалл выпадает на дно иствора с микровихрям 1 в центре, яв-. его место занимает новый зародыш, . ляющимися центрами кристаллизации, 116244911 б 2449Составитель Л. ЭпштейнРедактор О. Зайцева ТехредИ.Йароцай Корректор И, СамборскаЗаказ 3985/4 .Тираж б 59 ПодписноеКИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений н открытий035, Москва, Ж 35, Раушская наб д.лиал ЙПП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная
СмотретьЗаявка
3728627, 06.02.1984
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ
САЛОСИН АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ, КАРДАШЕВ ГЕНРИХ АРУТЮНОВИЧ, ПЕРШИНА МАРГАРИТА АНДРЕЕВНА, ШАТАЛОВ АЛЕКСАНДР ЛЕОНИДОВИЧ, МАНУКЯН СУРЕН ГУРГЕНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: B01D 9/02
Метки: кристаллизации, раствора
Опубликовано: 23.06.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/5-1162449-ustrojjstvo-dlya-kristallizacii-iz-rastvora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для кристаллизации из раствора</a>
Предыдущий патент: Колонный кристаллизатор
Следующий патент: Экстрактор
Случайный патент: Резиновая смесь на основе этиленпропилендиенового каучука