Перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскинСоциалнстическикРеспублик р 900316(51)ф. К,ф,а 11 С 17/аа Гоеударетеенный кеынтет СССР но делен нзебретеннй н аткрытнй(53) УЙК 681, .327.6(088.8) Б.Я. Розман, Л.Л. Утяков, Б.В, Шехватов и С,Н. Шустенко -.:,(72) Авторы изобретения Институт океанологии им. П.П. Ширшова АН СССР(54) ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕУСТРОИСТВО Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть исполь. зовано в автоматике и вычислительной технике, главным образом для хранения цифровой информации,Известны перепрограммируемые запоминающие устройства (ППЗУ) матричного типа, выполнение в виде больших интенгральных схем на ИНОП (металлнитрид-окисел-полупроводник) приборах (11.10Недостатком этих устройств является ограниченный срок хранения записанной информации, в связи с чем возникает необходимость восстановления13 информации через определенное время.Указанный недостаток устранен в ППЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым излучением, содержащим матрицу запоминающих элементов, схемы адресации и буферный блок 21.Недостатком известного устройст" ва является малая информационная емкость каждого запоминающего элемента, предназначенного для хранениятолько одного бита информации в видедвух уровней заряда, соответствующимлогическим "0" и "1". 8 результатепроблема повынтения информационной емкости кристалла ППЗУ сопряжена с пропорциональным увеличением числа запоминающих элементов и усложнением схемадресации. Это, в свою очередь, приводит к увеличению площади кристалла ППЗУ и к повышению стоимости устройства. Недостатком устройства является также низкая надежность работы при считывании из-за влияния навеличину выходного напряжения различных дестабилизирующих факторов(температурного и временного дрейфа,старения и тп.),Цель изобретения - повышение инФормационной емкости и надежности перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства.Поставленная цель достигается тем,что в перепрограммируемое постоянное90031запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, входы которого подключены к выходам адресного блока, коммутатор, первый вход-выход которого подключен к соответствующему выходу блока усилителей, а вторые входы-выходы коммутатора подключены ко входам-выходам матричного накопителя, дополнительно введены аналогоцифровой преобразователь и блок памя ти эталонных напряжений, входы которых подключены к соответствующим выходам адресного блока, входы-выходы блока памяти эталонных напряжений подклюцены к первому входу аналого цифрового преобразователя и к соответствующему входу блока усилителей, второй вход аналого-цифрового преобра. зователя подключен к первому входу коммутатора, выходы аналого-цифрово го преобразователя подключены к соот/ветствующим входам блока усилителей.На чертеже представлена блок-схема перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства. 25Изобретение содержит матричный накопитель 1, адресный блок 2, адресные шины 3, коммутатор 4, аналогоцифровой преобразователь 5 с информационными 6 и опорным 7 входами, 30 блок 8 усилителей, информационные шины 9, шину 10 управления, шину 11 записи и блок 12 памяти эталонных напряжений.Облучение устройства ультрафиолетовым светом стирает всю информацию, ранее хранимую в ППЗУ. При этом все запоминающие элементы матричного накопителя 1 устанавливаются в начальное положение, представляемое на выходе как логический нуль. Запись информации производится следующим образом. После поступления адреса на шины 3 адресный блок 2 и коммутатор 4 выбирают информационный запоминающий 45 элемент матричного накопителя 1, к которому произошло обращение. Одновременно: выбирается дополнительный запоминающий элемент из блока памятиэталонных напряжений 12, принадлежа щий этой же строке. На шине 1 О управ- ленив присутствует потенциал, разрешающий режим записи, и блок усилителей через коммутатор 4 подключает ин" формационные шины 9 с присутствующим 55 на них кодом к матрице запоминающих ,элементов матричного накопителя 1 и к соответствующему дополнительному 6 фзапоминающему элементу блока 10 памяти эталонных напряжений. С поступлением импульса записи на шину 11 в запоминающи элементы, на входе которых присутствует потенциал логической единицы (код на информационных шинах 9), заносится определенный заряд. Величина этого заряда определяется длительностью и числом импульсов записи, Варьируя эти параметры при адресации к различным запоминающим элементам, можно записать в каждую ячейку памяти информацию, представленную соответствующим уровнем заряда, т,е. в многознацном виде. Одновременно с записью информации в информационнчю ячейку матричного накопителя 1, в дополнительные запоминающие элементы блока 12 памяти эталонных напряжений, принадлежащий этой строке, записывается максимальный уровень заряда.В режиме считывания, адресный блок 2 и коммутатор 4 в соответствии с кодом, присутствующим на шинах 3, выбирают необходимый информационный элемент матричного накопителя 1 и подключают его выход к информационному входу 6 аналого-цифрового преобразователя 5. Одновременно с этим выход дополнительного запоминающего элемента блока 12 памяти эталонных напряжений, принадлежащего этой строке, подключается к опорному входу 7 аналого-цифрового преобразователя 5. Зашифрованная аналого-цифровым преобразователем 5 информация в двоичном коде, при наличии соответствующего разрешающего потенциала на шине 1 О управления, поступает через буферный блок усилителей 8 на информационные вины 9. Представление информации в К-значном алфавите, т.е. в виде К уровней, повышает информационную емкость каждого запоминающего элемента в (оддК раз. При этом общая информационная емкость ППЗУ, по сравнению с известными ППЗУ, содержащими то же количество ячеек памяти, повышается в И (И)1 од К- Р, аво строк, а И - количество столбцов матричного накопителя.Дестабилизирующие факторы пропорционально влияют как на опорный уровень напряжений, считываемый из блока памяти эталонных напряжений, так5 9003 и на уровень напряжения, считываемый из информационной ячейки памяти, При достаточной линейности аналого-цифрового преобразователя код на его выходе будет оставаться достоверным, тем самым, повывается надежность перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства.1 ОФормула изобретенияПерепрограммируемое постоянное запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, входы которо го подключены к выходам адресного блока, коммутатор, первый вход - выход которого подключен к соответствующему выходу блока усилителей, а вторые входы-выходы коммутатора под- гО ключены ко Ьходам-выходам матричного накопителя, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повыщения инфор 16мационной емкости и надежности устройства, оно содержит аналого-цифровой преоОразователь и Ьлок памяти эталонных напряжений, входы которых подключены к соответствующим выходам адресного блока, входы-выходы блока памяти эталонных напряжений подключены к первому входу аналого-цифрового преобразователя и к соответствующему выходу блока усилителей, второй вход аналого-цифрового преобразователя подключен к первому входу коммутатора, выходы аналого-цифрового преобразователя подключены к соответствующим входам блока усилителей.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент США М 39061161,кл. С 11 С 17/00, опублик. 1975.2, Первое ППЗУ емкостью 16384 битсо стиранием информации Уф-светом.
СмотретьЗаявка
2888360, 29.02.1980
ИНСТИТУТ ОКЕАНОЛОГИИ ИМ. П. П. ШИРШОВА АН СССР
РОЗМАН БОРИС ЯКОВЛЕВИЧ, УТЯКОВ ЛЕВ ЛАЗАРЕВИЧ, ШЕХВАТОВ БОРИС ВАСИЛЬЕВИЧ, ШУСТЕНКО СЕРГЕЙ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее, перепрограммируемое, постоянное
Опубликовано: 23.01.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-900316-pereprogrammiruemoe-postoyannoe-zapominayushhee-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство</a>
Предыдущий патент: Ассоциативное запоминающее устройство
Следующий патент: Запоминающее устройство
Случайный патент: N, n-диалкилзамещенные 1-нитронафталин-5-сульфамиды в качестве полупродуктов для получения 1-аминонафталин-5 сульфамидов