Способ измерения напряженности магнитного поля

568915 ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬ СТВУ Союз Советских Социалистических Республик(23) Приоритет Совета Министров СССпо делам изобретениии открытий 53) У 3) Опубликовано 15,08.77, Б 5) Дата опубликования опи 1.317.421,288.8) ллетеньия 27.12.77 2) Авторы изобретени В. Филиппо С, Петров, М, М ко 1) Заявитель 4) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТ МАГНИТНОГО ПОЛЯИзобретение относится к области измери. тельной техники, в частности, к технике измерения напряяенности магнитного поля в зазоре магнитной головки.Известен способ определения магнитного поля, использующий пленочный датчик с полосовыми или цилиндрическими магнитными доменами 11.Согласно этому способу на поверхность предварительно намагниченного материала 1 наносят индикатор, монокристаллическую пленку магний-марганцевого феррита с лоло- совой доменной структуройи по рисунку, образованному под воздействием полей рассеяния, судят о качестве изделий, Однако такойспособ не позволяет измерить величину напряженности магнитного поля.Известен способ измерений магнитных полей путем помещения в выбранную точку монокристаллической магнитноодноосной плас тины с полосчатой доменной структурой 121.,Пластину освещают поляризованным светом и по изменению ширины доменной полосы или смещению ее центра относительно начала отсчета судят о величине измеряемого 2 магнитного поля Н,Недостатком такого способа является сравнительно малая точность, связанная с погрешностью в измерениях линейных разме. ров доменов в пластине.3 Целью изобретения является повышение точности измерения напряженности магнитного поля.Это достигается тем, что по способу измерения напряженности магнитного поля путем регистрации изменений доменной структуры монокристаллического пленочного датчика при помещении последнего в измеряемое поле, изменяют температуру датчика до тех пор, пока граница исчезновения доменов в пленке не пройдет через определенную точку, и по величине температуры определяют значение магнитного поля в данной точке пространства.Способ основан на том, что домены, существующие в монокристаллической пленке, стабильны в определенном диапазоне полей, перпендикулярных плоскости и при полях, превышающих критическую величину (Н,), онп исчезают. Величина Н, для данной пленки изменяется с изменением температуры, Изменяя температуру датчика. добиваются исчезновения доменов в исследуемой точке прос транства, По известной температуре датчика и зависимости Н; от температуры определяют величину Н;, Домены исчезают в области полей рассеяния (Н ), граница которой определяется соотношением Н= Н,На фиг. 1 приведена схема устройства для измерения напряженности магнитного поля попредлагаемому способу; на фиг. 2 - зависимость Н; от температуры (Т) для магнитной монокристаллической пленки составаЪ 2 л В 10,Заев,вша ь 20,. выращенной на немагнитной подложке из гадолиний-галиевого граната.Выращивание производилось на поверхности (Ш) подложки.Датчик 1 (фиг. 1) состоит из монокристаллической подложки 2, с нанесенными на нее монокристаллической магнитной пленкой 3 и нагревательным пленочным элементом (пленка ЯпО) 4. В состав датчика также входит термопара 5. Датчик помещают в зону действия полей рассеяния от исследуемого образца б. Наблюдение за ЦИД ведут в проходящем поляризованном свете за счет эффекта Фарадея. Свет от источника 7 через поляризатор 8, датчик и анализатор 9 попадает на микроскоп 10.Процесс измерения напряженности магнитных полей рассеяния от исследуемого образца сводится к следующему, Сначала, фокусируя микроскоп 10 и меняя угол между плоскостями поляризатора 8 и анализатора 9, добиваются резкого, контрастного изображе. ния доменов в магнитной пленке 3 датчика 1, В тех участках пленки, где нормальная к поверхности пленки составляющая напряженности поля рассеяния (Н,) от исследуемого образца б больше, чем критическая величина поля (Н,)будет наблюдаться разрушение доменов. Граница области существования доменов в пленке определяется соотношением Нр -- Н Для измерения напряженности поля рассеяния (Нр) в данной точке изменяюттемпературу датчика до тех пор, пока граница области существования доменов не прой 5 дет через данную точку. Значение Усоответствующее данной температуре, определяют по известной зависимости Н, = (Т) (фиг,2). Напряженность поля рассеяния в исследуемой точке пространства определяется ра 10 венством Нр - НДинамические измерения производят путем скоростной киносъемки или путем фотографирования при стробоскопическом освещении,15Формула изобретенияСпособ измерения напряженности магнитного поля путем регистрации изменений до менной структуры монокристаллического пленочного датчика при помещении последнего в измеряемое поле, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, изменяют температуру датчика до тех пор, 25 пока граница исчезновения доменов в пленкене пройдет через определяемую точку, и по величине температуры определяют значение магнитного поля в данной точке пространства.30 Источники иноформации, принятые во внимание при экспертизе:1. Авторское свидетельство СССРМв 457786, кл. 6 01 К,ЗЗ/02, 1973.2, Авторское свидетельство СССР 35 М 459999, кл, С 1 01 Я 33/02, 1973.