Импульсно-потенциальный логический элемент

ОП ИСАНИНА ИЗОБРЕТЕНИЯ еиетеи 1 ио тс Союз Советских Социалистичвских Ртеспубаик) Заявлено 15,02,74 (21) 1999362/ М, КлН 03 К 1.9 Л 4 присоединением заяв Гвеудеественнвй кетметет Веавте Минеетрев СССР ее двак езюбретвей н еткрктей(43) Опубликовано 05,05.76,Бюллетень1 (45) Дата опубликования описания 20.05.7, Тявловский кий В. Белорусской титут электроники аявите ИМПУЛЬСНО-ПОТЕНЦИАЛЬНЫИ ЛОГИЧЕСКИЙ ЗЛЕМЕН иулоло Поста вл ря тому, ч теров вхо ,зистора под йледовател чающий ди оптрона, ф Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике.Известны логические элементы, содержащие входной многоэмиттерный транзис-, тор, коллектор которого соединен со входем сложного инверторв, выполненного ив транзисторах.Такие логические элементы являются потенциальными и не могут выполнять импульснпотенцивльных логических функ ций, что во многих случаях необходимо.Цель изобретения - обеспечение имльсно-потенциального функционирования гического элемента, в частности вылнение логической функции енывя цель достигнута блвгодато один или несколько эммнтдного многоэммиттерного транключены к обшей щиие через поьио соединенные резистор й излуд дополнительно введенноготоприемник которого включен,между базой входного транзистора сложного инверторв и обшей шиной,На фиг. 1 поквзана электрическая схе,ма предложенного логического элемента;на фиг, 2 - временные диаграммы работылогического элемента; нв фиг, 3 - экви- .валентная схема логического элемента,Логический элемент содержит входнуюлогическую схему, например многоэммит 1 р терный транзистор 1 с тп потенциальными,входами 2, Импульсно-потенциальный тактовый вход 3 вместе с цепью из последовательно соединенных резистора 4 и излучающего диода 5 оптронв,подключен к одтк ному из эмиттеров транзистора 1. Фотоприемник 6 оптронв включен между базой .входного транзистора 7 и общей шиной.Выход логической схемы также подключен кк базе входного транзистора инвертора,ро выполненного на транзисторах 7; 8, 9.Выход 10 логическот о элемента подключен к коллектору транзистора 8. Увеличение числа импульсно-потенциальных входовможет быть получено путем подключения25 дополнительных .:,почек резистор-излучаюций ди(щк эмиттервм транзистора 1, при этом фотоприемник 6 может быть общим для всех излучающих диодов.При низком потенциале на тактовом входе 3 и высоком потенциале на всех логических входах 2 транзистор 1 насыщенЭ а транзисторы 7 и 8 заперты. Транзистор ;9 открыт, и на выходе. 10 логического элемента поддерживаетсявысокий уровень навряження. Таким образом,при неиэменяюаамся потенциале на тактовом входе ло-ф гический элемент выполняет функцию" И-НКПри возрастании потенциала на тактовом входе 3 одновременно с ростом .нвпряъекия на эммиттере гранзистара 1 возрастает и ток через излучающий диод 5. ф Величина резистора 4 выбрана таким образом, что напряжение на тактовоЫ входе 3, соответствующее порогу срабатывания инвертора, вследствие возрастания фототока приемника 6 больше или равно ЗФ порогу срабатывания по логическим входам . но меньше уровня логической ф 1 ф. Припревышении входным напряжением пороговогоуровня логичэский элемент переходит во включенное состояние вследствие цереходв трап- И эистора 1 в инверсную активную область.Транзисторы 7 и 8 откроются, а транзистор 9 будет заперт. Нв выходе элемента будет действовать низкий уровень напряжения. Но через время, определяемое ЭФинерциащотьюоптрона 5 и фотоприемни ка 6;, Фюжток:йриемника 6 возрастает допороговогозначения и транзисторы 7 и 8закроются На выходе 10 элемента будет дойствовать высокий уровень напряжения. 3Таким образом, на положительный перепад мапряжения на тактовом входе 3 логический элемент вырабатывает отрицательный им; пульс напряжения, т. е. логический элемент,аы цолняет импульсно-потенциальную функциц) цД;где М-"Сигнал на входах 2, Т-сигнал йатактовом входе 3, д. - оператор перехода,соответствующий переключению Т из ф 1 фв фОф. Например, запись Ю означает положительный импульс, формируемый при 45переключении Т иэф 1 ф в фОф. Этот уро" вень будет поддерживаться теперь токомизлучающего диода, Длительность формируемого импульса будет определяться в основ-ном инерционностью оптронной пары оптрон В5 - фотоприемник 6. Для надежного формиро-ванин импульса и запуска этим импульсомследующих логических элементов инерционность оцтронной пары должна в 1,5-2 раза превышать инерционность основного логического элемента.При уменьшении потенциала нв тактовом. входе 3 напряжение .на эмиттере трайзистора 1 ф уменьшится, быстрее, чем исчезнет фотопроводимость приемника 6, Транзистор 1 войдет в нвсыщение.и на базе траизисторв 7 будет действовать низкий уровень напряжения независимо от излучения диода 5. На выходе элемента поддерживается высокий уровень напряжения, т.е. скема не реагирует нв отрицательный перепад напряжения на тактовом входе Б.ли ;же на всод) будет опять подан положитель-:. ный перепад, то повторяются описанные ;процессы, и логический элемент формирует импульс.Временные диаграммы, поясняющие работу элемента, приведены нв фиг. 2, Здесь Т-сйгнал -на тактовом входе . элемейтв, 1 М-сигнвл на потенциальных входах элемена ОБл напряжение на базе транзистора 7, - выходной сигнал, Ц- напряжение порою гв.Операция, выполняемая логическим эле ментом. может. быть записана в виде: 3(ц, М;М Т)7, где операция(М, М,М Т)Тобозначает задержку функции(М М,"МЫЪна времяг,.с -длительность выходного импульса. формула изобретенияИмпульсно-потенциальный логический элемент., содержащий входной многоэми 1 терный трчнэистор, коллектор которого соединен со входом сложного инверторв, вы- полненного нв транзисторах, о т л и ч аю щ и й с я тем, что с целью в щолнения логической функциямиМд Мл Т, Оющ или несколько эмиттеров входного многоэмиттерного транзистора подключены к общей шине .через последовательно соединенные резистор и излучающий диод дополнительно введенного оптрона, фотоприемник которого включан между базой входного транзистора сложного инаертора и обшей шиной.вьевйчук, Корре витель ед 1 й,Сос Тех НБабурка Заказ 710/88, тир 0 НИЙПИ Государственного по делам нзобре 1 13035,Москва, Жаж 1029 Поаии комитета Совета Минис тений и открытий 8, Раушскан наб., д.4/8 ов СССР ал ППП фПатентф ород, ул, Проектнан