332574
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 332574
Автор: Шпади
Текст
О П И С А Н И Е 332574ИЗОБРЕТ ЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Соки Советских Социалистических Республик. К Заявлено 02,11,1970 ( 14с присоединением заявки МПриоритетОпубликовано 14 111,1972. 93026-9) 031 17/70 031 17/80 Комитет по делам аооретений и открытий при Совете Министров СССРДК 621.318,57(088,8 ллетень Мз 10 г опубликования описания 21.17.1972 Авторыизобретени А. Л, Ш иЛ.В.Ш явит ЕЙРИ Изобретение относится к радиоэлектронике. Устройство может быть использовано в телевидении, радиолокационной и вычислительной технике, светящейся рекламе,Известен нейристор, содержащий и параллельно включенных цепочек, состоящих из последовательно соединенных полупроводникового диода, резистора и динистора, с емкостной связью между цепочками, а также и параллельно включенных цепочек на туннельных диодах и трансформаторах.Цель изобретения - однонаправленное распространение импульса коммутации. Достигается она тем, что управляющий сигнал подан на общую точку соединения катодов динисторов и последовательно включенного с источником питания резистора. Анод каждого туннельного диода соединен с последовательно включенными обмотками двух трансформаторов, а управляющий сигнал подан на общую точку соединения резисторов, включенных в цепи катодов туннельных диодов, и анода полупроводникового диода, соединенного последовательно с источником питания.На фиг, 1 изображена функциональная схема нейристора; на фиг. 2 - принципиальная схема нейристора на элементах с 5-образной характеристикой; на фиг. 3 - принципиальная схема нейристора на элементах с М-образной характеристикой; на фиг, 4 - характеристика 5 элемента при различных режимах работы; на фиг. 5 - характеристика И элемента при различных режимах работы.Каскады нейристора состоят из трех эле ментов 1, 2, 8, один из которых имеет характеристику с участком отрицательного сопротивления, а другие определяют режим его работы. Каскады объединены при помощи элементов связи 4 и общего элемента 5, вклю- О ченного последовательно с источником напряжения б. Источник внешних управляющих импульсов 7 подключен к общей шине элементов 3 и 5,15 Принципиальная схема нейристора на основе элементов с 5-образной характеристикой (динисторы, тиристоры, газоразрядные лампы и т. д.) состоит из каскадов, содержащих последовательно включенные диод 8, резистор 9 20 и динистор 10. Общая точка резистора и динистора каждого каскада соединена с общей точкой резистора и диода последующего каскада при помощи конденсатора 11. Все кас кады подключаются параллельно к источнику 25 напряжения 12 через резистор Ы. Источник 14внешних управляющих импульсов подключен к общей шине динисторов,При использовании элементов с М-образнойхарактеристикой нейристор состоит из каска- ЗО дов, содержащих последовательно включен5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 3ные индуктивность 15, туннельный диод 1 б и резистор 17,Индуктивность состоит из двух частей. Большая часть индуктивности каждого каскада связана с меньшей индуктивностью предыдущего каскада за счет взаимной индукции, Все каскады подключаются параллельно к источнику напряжения 18 через диод 19. Источник 20 внешних управляющих импульсов подключен к общей шине резисторов 17 и диода 19.В зависимости от сопротивлений резисторов и питающего напряжения возможны различные режимы работы нейристора. Если линия нагрузки пересекает Ь-образную характеристику динистора в трех точках А, В и С, то динистор может находиться в двух устойчивых состояниях - открытом (В) и закрытом (А).Сопротивление резистора 18 подбирают так, что одновременно в схеме может быть открыт только динистор 10 Ь одного каскада, так как ток этого динистора, протекая по общему резистору 18, вызывает на нем падение напряжения, которое закрывает все остальные динисторы. При этом конденсатор 1 И связан с последующим каскадом (С) заряжается от источника напряжения 12 через проводящий диод 8 с, открытый динистор 10 Ь и резистор 18, а конденсатор 11 а связи с предыдущим каскадом остается в прежнем состоянии, так как потенциал катода проводящего диода 8 Ь существенно не меняется. С приходом положительного импульса достаточной амплитуды от источника 14 внешних управляющих импульсов открытый динистор закрывается и его рабочая точка переходит из состояния В в состояние А, причем заряженный конденсатор 1 И стремится разрядиться по цепи диод 8 с последующего каскада - диод 8 Ь коммутирующего каскада - резистор 9 Ь этого каскада, При этом диод 8 с последующего каскада оказывается смещенным в обратном направлении, поэтому почти все напряжение заряженного конденсатора 11 Ь через резистор 9 с прикладывается к динистору 10 с этого каскада. Этот динистор быстро открывается, так как к нему приложены напряжение источника питания 12 и напряжение заряженного конденсатора 11 Ь. Переход динистора 10 с из закрытого состояния в открытое сопровождается зарядом нового конденсатора 11 с следующего каскада и возвращением в исходное состояниеранее заряженного конденсатора 11 Ь. При подаче новых положительных управляющих импульсов от внешнего источника 14 аналогичный процесс коммутации происходит и с другими каскадами. Благодаря этому достигается одностороннее распространение процесса коммутации в соответствии с частотой управляющих импульсо. Правда, час гь напряжения разряжающего конденсатора 1 И протекает через конденсаторы связи 11 в последующие каскады, но амплитуда этого напряжения в соседних каскадах быстро уменьшается и за счет интегрирующего действия паразитных емкостей диодов 8 достигает максимума позже, чем откроется первый последующий каскад (С). Если же динистор этого каскада испорчен, то с некоторой задержкой открывается другой каскад (д), т. е. процесс коммутации не нарушается и работоспособность схемы сохраняется.Если линия нагрузки пересекает характеристику динистора в одной точке (Й), то нейристор работает в режиме автокоммутации, т. е. с приходом положительного запускающего импульса от предыдущего каскада (а) динистор 10 Ь открывается и переходит в квази- устойчивое состояние, а его конденсатор 11 Ь заряжается от источника напряжения 12 через проводящий диод 8 с, открытый динистор 10 Ь и общий резистор 13. По мере заряда конденсатора 11 Ь напряжение на динисторе падает. Когда оно достигает напряжения выключения, динистор 10 Ь закрывается, а конденсатор 1 И, стремясь разрядиться, открывает последующий динистор 10 с и т, д. В этом режиме длительность импульса и скорость его распространения определяются параметрами цепи.Нейристор на основе элементов с Х-образной характеристикой работает следующим образом.Если линия нагрузки пересекает характеристику в трех точках (А, В, С), он может находиться в двух устойчивых состояниях - открытом (А) и закрытом (В),Первый отрицательный импульс от источ ника 20 внешних управляющих импульсов переводит все туннельные диоды 1 б в закрытое состояние (В).Отрицательный запускающий импульс, поданный на туннельный диод 16 Ь, через взаимную индуктивность переводит туннельный: диод 1 бЬ в открытое состояние (А). Ток че. рез индуктивность 1 бЬ увеличивается, и за счет взаимной индукции в соседних каскадах наводятся положительные запирающие им. пульсы,Следующий отрицательный импульс от источника 20 внешних управляющих импульсов воздействует только на открытый туннельный диод 1 бЬ, переводя его в закрытое состояние (В). Ток через индуктивность 15 Ь уменьшается, и за счет взаимной индукции в соседних каскадах наводятся отрицательные запускающие импульсы, причем в предыдущем каскаде (а) наводится отрицательный импульс меньшей амплитуды, так как взаимная связь в данном случае эквивалентна понижающему трансформатору, и амплитуда этого импульса недостаточна для перевода туннельного диода 1 ба в открытое состояние. В послсдующем каскаде (с) наводится отрицательный импульс большей амплитуды, так как взаимная связь в данном случае эквивалентна повышающему трансформатору, и амплитуда этого импульса достаточна для пере332574 г. 2 вода туннельного диода 1 бс этого каскада в открытое состояние (А).При подаче новых отрицательных импульсов от источника 20 внешних управляющих импульсов аналогичный процесс коммутации происходит и в других каскадах. Благодаря этому происходит процесс коммутации, который односторонне распространяется в соответствии с частотой управляющих импульсов,Если линия нагрузки пересекает характеристику туннельного диода только в одной точке, нейристор работает в режиме автокоммутации,Для улучшения отдельных параметров нейристора возможны различные комбинации между предлагаемыми схемами, однако сущность изобретения от этого не меняется. Предмет изобре 1 ения1. Нейристор, содержа:ций г параллельно включенных цепочек, состоящих из последовательно соединенных полупроводникового диода, резистора и динистора, с емкостной связью между цепочками, отличающийся тем, что, с целью получения однонаправленного 5 распространения импульса коммутации, управляющий сигнал подан на общую точку соединения катодов динисторов и последовательно включенного с источником питания рези стор а.102. Нейристор по п. 1, содержащий и параллельно включенных цепочек на туннельных диодах и трансформатор ах, отличающийся тем, что анод каждого туннельного диода сое динен с последовательно включенными обмотками двух трансформаторов, а управляющий сигнал подан на общую точку соединения резисторов, включенных в цепи катодов туннельных диодов, и анода полупроводникового дио да; соединенного последовательно с источником питания.332574 иг У едактор Б, Федотов Типогра пр. Сапунова,аказ 101410ЦНИИПИ Комитет Составитель А, Горбачев хред А. Камышникова Корректор Т. Гревцов Изд,410 Тираж 448 Подписное делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
1400930
А. Л. Шпади, Л. В. Шпади
МПК / Метки
МПК: H03K 17/80
Метки: 332574
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-332574-332574.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">332574</a>
Предыдущий патент: Полупроводниковый ключ
Следующий патент: Многофункциональный пороговый элемент
Случайный патент: Устройство для закрепления арматурных канатов