Способ выращивания микроводоросли хлорелла

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1711734 19) 00, С 12 й 13/О 5 А САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ка ов ОВО- иоло- ть исаключается в ования микрольной среде в ешивания сусподвергается зкочастотного а следования сть импульса 000 Гс. анов ые микз сбор- воду 2 рез нарам усшка 5 с тупает в езначи, под- сного ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Институт ботаники АН УЗССР и Итут энергетики и автоматики АН УЗССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 699014, кл, С 12 й 13/00, 1979,(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МИКРДОРОСЛИ ХЛОРЕЛЛА(57) Изобретение относится к микробгической промышленности и может бы Изобретение относится к микробиологической промышленности и может быть ис-пользовано в сельском хозяйстве дляполучения биомассы микроводорослей.Известны способы получения биомассымикроводорослей на жидкой питательнойсреде в установках лоточного типа, включающих выращивание биомассы на жидкойпитательной среде в установке для культи-,вирования.Недостатком способа является незначительный выход конечного продукта.Наиболее близким к предлагаемому является способ, в процессе которого на микроорганизмы воздействует импульсное магнитноеполе с частотой 80 - 120 Гц при индукции полядо 240 Гс и экспозиции 1 - 3 ч.Недостатком данного способа является.недостаточно высокий выход биомассы мик.роводорослей,Целью изобретения является повышение выхода целевого продукта,пользовано для получения биомассы микро- водорослей, Цель изобретения - повышение выхода целевого продукта, Способ предусматривает культивирование микро- водорослей на жидкой питательной среде в условиях освещения и перемешивания при воздействии импульсного низкочастотного магнитного поля,с магнитной индукцией 2000 Гс при частоте импульсов 10 Гц и длительности его 10 мкс. Способ обеспечивает повышение выхода целевого продукта на 41% в сравнении с контролем (без омагничивания суспензии микроводорослей), что на 130 больше, чем при культивировании известным способом, 1 ил., 3 табл. Предлагаемый способ том, что в процессе культиви водорослей на жидкой питат условиях освещения и перем пензия микроводорослей воздействию импульсного н поля с параметрами; часто импульсов 10 Гц, длительн 10 мкс, магнитная индукция На чертеже показана схема уст для осуществления способа.Одноклеточные или колониальн роводоросли, в частности хлорелла и ника 1 по всасывающему трубопро центробежным электронасосом 3 че гнетательный трубопровод 4, на кото тановлена электромагнитная кату импульсным блоком 6 питания, пос лабиринтовый лоток 7, имеющий н тельный уклон в сторону сборника вергаясь воздействию импуль1711734 Влияние воздействия низкочастотного импульсного магнитного поля на продуктивностьхпореппылабораторных усповняхфтаммы водорослей Способ выращивания Таблица 1Прирост водорослейВ1 и Продоп-Плотность водорос- Плотность водорослейв конце опытовкитель"лей в начале пен ностьтов, По копичест-По сухому ву клеток веществумагнитного поля с указанными параметрами,П р и м е р 1. Хлореллу выращивают в лабораторных условиях в культуральных сосудах объемом 1 л на жидкой питатетельной среде Тамийя, разбавленной в два раза, Освещение обеспечивается лампами в течение 12 ч, интенсивность освещения 8 клк, температура 28 - 30 С, Суспензия продувается воздухом, через 30 мин чистой углекислотой (200-250 мл/мин) в течение 3 мин.В опытном варианте на культуральном сосуде установлена электромагнитная катушка, подкдюченная к импульсному источнику питания. При барботировании клетки попадают в область воздействия импульсного магнитного поля с параметрами: частота следования импульса 10 Гц, длительность импульса 10 мкс, магнитная индукция 2000 Гс, ток в катушке 300 А.В контроле микроводоросли не подвергались воздействию магнитного поля.Установлено (табл.1), что воздействие низкочастотного импульсного магнитного поля повышает продуктивность хлореллы (по количеству клеток) на 53 - 67 о .П р и м е р 2, Микроводоросли хлорелла выращивают в лабиринтовом лотке 7 под открытым небом при воздействии на суспензию импульсным электромагнитным полем с частотой следования импульсов 10 Гц, длительности импульса 10 мкс, магнитной индукции 2000 Гс. Площадь установки 52,9 м, объем жидкости 10,6 м. Перемешивание суспензии и воздействие магнитным полем осуществляется в дневное время в течение 11 ч световогопериода с 8 ч утра до 19 ч вечера). Питательная среда Тамийя (разбавленная в два раза).Температура 18 - 29 С. Интенсивность ос 5 вещения в дневное время - 82 - 107 клк,Днем подается чистая углекислота в количестве 0,07 - 12.л на м 2/мин.Установлено (табл.2), что продуктивность хлореллы при воздействии низкоча 10 стотного импульсного магнитного полясоставляет 20,7 г/м асв в сутки, что на 32 о выше по сравнению с контролем.В табл.3 приведены сравнительныеэкспериментальные данные по выходу био 15 массы микроводоросли хлореллы, полученной по известному и предлагаемомуспособу. Условия культивирования аналогичные тем, что приведены в примере 2.Увеличение выхода биомассы (в г/л асв)20 по известному способу (прототип) составило в среднем 28 опротив контроля (безомагничивания культуры), а по предлагаетмому способу - 41%, т.е. на 13 обольше,чем по известному способу выращивания25 микроводоросли хлорелла.Формула изобретенияСпособ выращивания микроводорослихлорелла на жидкой питательной среде вусловиях перемешивания и освещения при30 воздействии на суспензию микроводорослей электромагнитным полеМ, о т л и ч а ю-щ и й с я тем, что, с целью повышениявыхода целевого продукта, воздействиеэлектромагнитным полем осуществляют им 35 пульсно с магнитной индукцией 2000 Гс причастоте импульсов 10 Гц и длительности его10 мкс,1711734 Таблица 3Сравнительные экспериментальныеданные по выходу биомассы микроводоросли хлореллы, полученнойразличными способами Способ выращиваниябиомассы Выход биомассы, г/л асв ИсходнаяКонечная Контроль (без омагничивания) 0,610 0,02 Известный способ(100 Гц) 0,02 0,780 0,860 Предлагаемый способ 0,02 Составитель Р,Андрееваедактор Ю,Середа Техред М,Моргентал Корректор Т.Па роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгоро гарина, 101 з 477 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5