Способ изготовления гексаферритовой текстурированной пленки и композиционный материал для ее изготовления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1467579
Авторы: Братчиков, Лавров, Подковырин, Смирнов
Текст
СОЮЗ СОНЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК ЯО 1467579(51)4 Н 01 Р 1 Е К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ вентилей и других устроиств миллиметрового диапазона. Цель изобретения - повьппение технологическойстабильности параметров пленки, ееэлектродинамических характеристик,адгезии пленки с основанием, еемеханической прочности и устойчивости пленки к органическим растворителям. Композиционный материал, включающий, мас. : функциональный материал 30-80; стеклосвязующее 5-50,органическое связующее - остальное,наносят методом трафаретной печати на диэлектрическое основание,сушат при 150-200 С, вжигают в течение 10-15 мин при 520-900 С и охлаж"дают, причем сушку, вжигание и охлаждение проводят в постоянном магнитном поле напряженностью не менее2 кЭ, силовые линии которого параллельны плоскости пленки. 2 с.п.ф-лы, 1 табл. иэлект- переда.Изобретение и изготовлен оло отно сится к тя гиромагнитныбыть использо элемент созд рован вент рово в и может ння гекса ж текс рри для зонансныхойств милл ых плено метилеи и друг о диапазон их ст ль изоб повьппение ьности па ия- таби ехнологическ инамически ле ов пленки, ее арактеристик, лектрическим дихани пленким, ее м гез нова ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И 031 РЬПИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗ(56) Исследование элементов дрических структур для приемоющих устройств. Отчет МАИГР78076809,М., 1982, с. 94.Поллак Б,П,и др. Поликристаллические гексаферритовые пленки какгиромагнитные резонаторы для не"взаимных устройств: Труды 7 Между-народной конференции по гиромагнитной электронике и злектродинамике,Вильнюс, 1980,(54) СПОСОБ. ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕКСАФЕРРИТОВОЙ ТЕКСТУРИРОВАННОЙ ППЕНКИ И КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ(57) Изобретение относится к технологни изготовления гиромагнитных элементов и может быть использовано ля создания гексаферритовых текстированных пленок для резонансных 2 ф ческой прочности и устойчивости к органическим растворителям.П р и м е р. Композиционный материал, включающий в себя мелкодисперсный (0,3-10 мкм, лучше 1-3 мкм) порошок гексаферрита марки 04 С 4 А 1, - е стеклосвязующее Рц 34 ПАЦ.024.006 ТУфо с температурой размягчения 450 С и органическое связующее - 4 -ный раствор этилцеллюлозы в терпинеоле, наносят методом трафаретной печати на диэлектрическое основание, сушат при 140-210 С 20-25 мин, вжигают приустановки контролировалась о индикатору КСВН и ослабления Я 2 Р"67 1 мак-симуму обратных потерь резонатора). Размер пленки 0,05" 0,920 мм, погрешность измерений 0,05 дБ.Результаты испытаний представлены в таблице.Как иэ таблицы следует, поставленная цель достигается лишь при вполне определенных значениях параметров техпроцесса изготовления гексаферритовой пленки. з1467579 510-900 С в течение 10-15 мин, охлаждают 20-25 мин, причем сушку, вжигание и охлаждение осуществляют в магнитном поле 1-4 кЭ.5Толщина наносимого за один проход ракеля слоя составляет 8-100 мкм. Если требуется получить пленки больших толщин, первоначальный слой су" шат в магнитном пале, а затем нано . сят новый слой поверх первого, который сушат в постоянном магнитном поле того же направления и т.д. В процессе сушки органическое связукпцее выгорает., После нанесения последнего слоя пленку сушат, вжигают. и охлаждают по приведенной схеме.Консистенция предлагаемого материала (его вязкость и растекаемость) подобраны таким образом, чтобы обес 1печить воспроизводимость заданной конфигурации пленки и в то же время не вызывать частой очистки трафарета,Напряженность постоянного магнитного поля Нп, в котором производят 25 сушку, вжигание и охлаждение пленок, составляет 2-4 кЭ. При Нп2 кЭ не происходит полной ориентации магнитных моментов кристаллов в вяз" ком стекле вдоль приложенного маг". 30 нитного поля. При Нр Ъ 2 кЭ эта ориентация оказывается практически стопроцентной. Наиболее оптимальной является Н2,5-3,5 кЭ. Использова ние магнитного поля напряженностью более 4 кЭ является экономически нецелесообразно.Испытания электродинамических характеристик проводились на измерителе КСВН и ослабления Р 2-69 при помощи измерительной камеры, которая представляет собой отрезок прямоугольного металлического волновода сечением 3,6 х 1,8 мм, верхняя стенка которого свободно перемещается отно" 45 сительно канала волновода в направлении, перпендикулярном оси канала волновода. Гиромагнитнаяпленка наносится на поликоровый вкладьпп 0,31,630 мм, который приклеивается к верхней крьппке волновода перпендикулярно к ней. Крьппка устанавливается на волновод и при помощи микрометрического винта располагается так, чтобы гиромагнитный резонатор (пленка ) оказался точно в области с круговой поляризацией СИ 1-маг" нитного поля в волноводе. Точность Формула изобретений1. Способ .изготовления гексафер" ритовой текстурированной пленки, включакщий нанесение пленки из композиционного материала на диэлектрическое основание и сушку в постоянном магнитном поле, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения технологической стабильности параметров пленки, ее электродинами" ,ческих характеристик, адгезии пленки с диэлектрическим основанием, ее механических свойств и устойчивости пленки к органическим растворителям композиционный материал, содержащий мелкодисперсный порошок поликристал" лического гексаферрита и связующее, наносят методом трафаретной печати на диэлектрическое основание,сушатпри 150-200 С, вжигают в течениеб10"15 мин при 520-900 С и охлаждают, причем сушку, вжигание и охлаждение проводят в постоянном магнитном поле напряженностью не менее 2 кЭ2, Композиционный материал для изготовления гексаферритовой текстурированной пленки, содержащий мелкодисперсный порошок поликристаллического гексаферрита и связующее, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения технологической стабильности параметров пленки, ее электродинамических характеристик, адгезии пленки с основанием, ее механической прочности и устойчивости пленки к органическим растворителям в качестве связукщего используют смесь стеклосвязующего и органического связующего при.следующем соотношении компонентов, масД:Гексаферрит 30-80Стеклосвязующее 5-50Органическое1467579 ф ИцЪфцЪвЛффсЧ Фф ОООО вве О вОсСЧ СЧ М СЧ СЧО ффлФе в О Ме е ввСЧ СЧЧ ИИМ О О О Оъ 01 ОвООО ИЮИ О О ОО в в в ООО ОО Л О 01 ОО О ОООО О О Ф ф 01 О О О ев ОООО х Ф ффйИДИИд МЛМО цЪ О И л сЧСЧ е ев ОООО ОО ОООО О в 88 О О Э Х 43 ОцЪ цЪ И И цЪ 1 ФЪ М СЧ СЧ СЧСЧСЧ О (б Р 3 с О О Х01 Х 0 Х Ха с Х Ен 5 Ос ссЪ цЪ И цЪ И И И Ю йс а О й О ОХ Э О СООООО О Ж %00 10 ф ЛЛЛЛЛЛ1-ОООО ф фЧСОМ 0 ОООООО М СЪ М СЧ Ф ЦЪ О О й сЧ ИО Лф ММ ММ сч фоофЙ И И ЧС Й И ЦЪ ЦЪ М И Ф С Ч Ч Ч Ч 4ООООцЪфо ООООООв в вв в в в е в М М МСЧ сЪ М М М М М й Хв; оВХ .с- Х эаз о ххО О а8 Х 2 и лв 1 Х в О СЧ СС аХ Щ сЧ 35МО Х 1 ъ"36 О 0 33О ЦИОООООООО ИМИ СЧ 0 сЧОИ еа ве в в. есщ вц 3 фщ в вО Е 0 ф 0 43 Е л щ в л л л л в,0 л ф ф ф М ЧМ Ч ЧММмсчмОфООевеффффс фЛеч сч сч сч сч сч И 0 МЪ3 щ Л О Л О Л Л ще СЧ С Сщ ф О ф СЧ М СЧ ф Л ф ф СЧ ф Л Л Л МЪв а а аав еввев ево о о о о о сч сч о о о о - о о сч сч еч сч о о о м сч ч ч л СЪ щщ М О Ч О О О 0 И МЪ МЪФ И ЦЪ Ю И ЦЪ И И О ОООО 0 СО 0 ОССОСООООООООС О О 0303 В; 3ф 00 Е 3 33 ОЪ 000 Ф 30 000 еее вве в в ввве с о о с о о о о о с с о о о о о о о с о с о м м еъ м м ооооо 3 0 О 0 03 ооосо СЧ-ОЧОЛИИ 0 ф 030-М 03 фМЪ МЪ И И И И ,Е ЦЪ ЦЪ -Е МЪЕ М С Ъ М И т МЪ И ИЬОССООССССООООООООСОООа в в вССОСООООООСОСОООООООСО- СЧОф - О ИИИМЪЕ ЦИ ООООООО в аСОООС.ОО ОООС СОИЛОЪОИО ОООО О О СО О О С ОС ОООО в ав в ав е ав в В аа в в вв вв вМ М СЩ М М М-щ С 4 Ч М Ф М С", СЩ СЪ СЩЪ М СЪ М Ъ СфЪ СЩЪ СЩ М М ЩЪ ЧИИИИИИИ МЪИИ ч ч ч еч сч сч ч ч сч ч о о Ь Ь Ь Ь о Ь Ь Ь сч сч сч сч сч ч сч сч сч ч ИИИсч ч сч сч 1 чЧЧЧ О и сч сч сч сч сч ч ч сч сч ч сч цъ И И И О сЧ И И С О С О С С О С С С С С С О 0 О 0 0 С 0 О ъ. 0 0 0 0 СЛ Л С Л ЛЛ Л С ССССОООО 3030 ЧС 0 03030 л Л МЪ ВЛЛ ССОСОО с .- -- 0 О Л МЪ И И Л Л И МЪ МЪ МЪ МЪ МЪ И МЪ МЪ И И И ц 3 МЪ Р И МЪ И МЪ И МЪ МЪ И И И И МЪ МЪ И ч сч сч ч еч еч сч сч сч ч сч ч сч сч ч ч сч сч сч сч ч чсч сч сч ч сч сч сч С 1 о 3 с Ь А А о Ь 1 О 1 о о о Ь Ь с с о с 1 с с о 1- с о с с 1 Ч СЧ СЧ СЧ Ч СЧ Сч СЧ СЧ Ч Ч Ч Ч СЧ СЧ Ч Ч Ч Ч ЕЧ СЧ Ч СЧ Ч 4 Ч СЧ Ч СЧООООООООООООООООООООООООООООиоьфффффффффффффффффффффффффсч 3 Х 43 ы хоз и43 а 4О 43 О.О мъсч сч о ЧО .е М щ 3 М щ О 0 И щщ щ щщ щщ И И.Ощ щщ Ч ОО 00 ЯЗЯЗЗффЗ 0 Л О МЪ щщ вщ щщщ щщ 00 Ъ 0щм еч ф ф ф ф ч ч сч ф ф ф ф ф ч ч сч ч мЪ мъ мъ мъ мс мъ сч - О О О О Оо И ооИ ЧЕ МЪ О ф И щщ Ч 0 О О 0 О О. ЧМ Ф,И 0 Лф 0 О. ЕЧМИ 03 фМЪ 0 Л Ю 0 ее Ев щщ ЕЩ ещ ще щщ СЧ 4 Сч Ч Ч Сч СЧ Ч СЧ вЫ 4Х Х 14 е4 Ы О Х 1 1 Е Е 43 ОХ О вЫ Х 4 щ Ц 3 йф м Ч ОО в щ оо И ц 3 Ъ МЪ И И цЪ И И И МЪ И МЪ Ч СЧ СЧ Ч Ч Ч Ч СЧ Ч Г 4 Ч Ч Ч С О О С С С 1 С С С 1 С Ь С Ь СЧ СЧ Ч СЧ СЧ Ч СЧ СЧ Е 3 СЧ СЧ СЧ СЧ
СмотретьЗаявка
4246557, 02.03.1987
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8828
ЛАВРОВ МИХАИЛ СТАНИСЛАВОВИЧ, ПОДКОВЫРИН СЕРГЕЙ ИВАНОВИЧ, СМИРНОВ ВАСИЛИЙ НИКОЛАЕВИЧ, БРАТЧИКОВ ВЯЧЕСЛАВ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01F 10/13, H01F 41/22
Метки: гексаферритовой, композиционный, материал, пленки, текстурированной
Опубликовано: 23.03.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1467579-sposob-izgotovleniya-geksaferritovojj-teksturirovannojj-plenki-i-kompozicionnyjj-material-dlya-ee-izgotovleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления гексаферритовой текстурированной пленки и композиционный материал для ее изготовления</a>
Предыдущий патент: Устройство для управления приводным электромагнитным механизмом
Следующий патент: Устройство для размагничивания
Случайный патент: Способ перегонки гидролизной бражки