Одновибратор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1188858
Автор: Гусев
Текст
(56) Авторское свидетельство СССРВ 832710, кл. Н 03 К 3/284, 1980;(54)(57) ОДНОВИБРАТОР, содержащийдва транзистора прямой проводимости,два транзистора обратной проводимос.ти и первый конденсатор, выводы которого подключены соответственно кобщей шине и точке соединения первого вывода первого резистора с эмиттером первого транзистора прямойпроводимости, коллектор и база которого соединены соответственно с базой и коллектором первого транзистора обратной проводимости, эмиттеркоторого соединен с.общей шиной, аколлектор. через второй резистор -с первой выходной шиной и коллектором второго транзистора прямой проводимости, эмиттер которого подключен к шине питания, а база черезтретий резистор подключен к шинепитания и через четвертый резисторк второй выходной шине и коллекторувторого транзистора обратной проводимости, эмиттер которого подключенк общей шине, а база - к шине входГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИ АВТОРСКОМУ СВ Я 0118885 ного сигнала и через пятый резисторк общей шине, о т л и ч а ю щ и й -с я тем, что, с целью повышениястабильности длительности выходныхимпульсов за счет повышения крутизны нарастания напряжения на входепорогового элемента, в него введенывторой конденсатор, третий транзистор прямой проводимости, три диода,шестой и седьмой резисторы, причемпервая обкладка второго конденсатора подключена к коллектору второготранзистора обратной проводимости,а вторая обкладка - к коллекторутретьего транзистора прямой проводимости и второму выводу первого резистора, эмиттер третьего транзистора прямой проводимости подключенчерез шестой резистор к шине питания, а база - к точке соединенияпервого вывода седьмого резистора икатода первого диода, анод которогосоединен с шиной питания, второй вывод седьмого резистора подключен кколлектору второго транзистора обратной проводимости, анод второгодиода, соединенного последовательнос третьим диодом, подключен к базепервого транзистора прямой проводимости, а катод третьего диода - кбазе второго транзистора обратнойпроводимости.1 О 15 20 25 30 35 40 Нзобретение относится к импульс ной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и вычислительной техники.Цельизобретения - повышение стабильности длительности выходных импульсов одновибратора за счет стабилизации величины напряжения срабатывания порогового элемента, увеличения крутизны нарастания напряжения на входе порогового элемента в точке его срабатывания и стабилизации величины тока заряда времязадающих конденсаторов.На фиг. 1 приведена принципиальная схема одновибратора; на фиг. 2- временные диаграммы, поясняющие его работу.Одновибратор содержит первый транзистор 1, эмиттер которого соединен с плюсовой шиной 2 питания, база транзистора 1 через первый резистор 3 соединена с шиной 2, а также через второй резистор 4 соединена с коллектором второго транзистора 5, эмиттер которого соединен с общей шиной 6, база которого через третий резистор 7 соединена с шиной 6, коллектор транзистора 1 через четвертый резистор 8 соединен с базой третьего транзистора 9 и коллектором четвертого транзистора 10, эмиттер транзистора 10 соединен с шиной 6, база которого соединена с коллектором транзистора 9, эмиттер которого соединен с одним выводом пятого резистора 11 и одной обкладкой первого конденсатора 12, другая обкладка которого соединена с шиной 6, второй конденсатор 13, одна обкладка которо. го соединена с коллектором транзистора 5, а другая - с другим выводом резистора 11 и коллектором пятого транзистора 14, эмиттер которого через шестой резистор 15 соединен с шиной 2, база транзистора 14 через седьмой резистор 16 соединена с коллектором транзистора 5, а также с катодом первого диода 17, анод которого соединен с шиной 2, база транзистора 9 соединена с анодом второго диода 18, катод которого соединен с анодом третьего диода 19, катод которого соединен с базой транзистора 5, а также выходные шины 20 и 21 и входную шину 22.Одновибратор работает следующим образом. В исходном состоянии все транзисторы одновибратора закрыты, конденса тор 12 заряжен до напряжения 0,2 - 1 В, а конденсатор 13 - до напряжения, величина которого на 0,5-1 В меньше величины напряжения источника питания. На шине 21 низкий потенциал, на шине 20 высокий.При поступлении на шину 22 положи. тельного запускающего импульса (фиг.2 ц) транзистор 5 открывается, потенциал на-выходной шине 20 падает практически до нуля. Через резистор 4 начинает протекать ток, часть которого протекает через переход эмиттер-база транзистора 1 и открывает его. Потенциал на выходной шине 21 (фиг.28) возрастает до величины напряжения питания. Через резистор 8, диоды 18 и 19 начинает протекать ток, часть которого протекает через переход база-эмиттер транзистора 5 и удерживает последний, а сле. довательно, и транзистор 1 в открытом состоянии. Через резистор 16 также начинает протекать ток, часть которого протекает через резистор 15 и переход эмиттер-база транзистора 14, а другая - через диод 17. Транзистор 14 открывается и через него начинает протекать ток, величина которого определяется номиналом резистора 15. Напряжение на его коллекторе в этот момент времени(фиг.2 г) становится отрицательнымза счет подключения положительнозаряженной обкладки конденсатора 13к общей шине 6. Конденсатор 13 начинает перезаряжаться током, величинакоторого складывается из величиныколлекторного тока транзистора 14 .и величины тока разряда конденсатора 12, протекающего через резистор 11. По мере заряда конденсатора 13величина тока, протекающего черезрезистор 11, уменьшается, а послетого, как величины напряжений наконденсаторах 13 и 12 сравниваются,ток через резистор 11 меняет свое 50 .направление. С этого момента времени конденсатор 12 начинает заряжаться (фиг,28). На начальном участке его заряда скорость нарастания напряжения на нем меньше, чем на конденсаторе 13 (фиг.22), однако далее по мере их заряда напряжение на резисторе 11 увеличивается и к моменту достижения напряжением на конденса3 11 торе пороговой величины напряжение на последнем нарастает практически линейно. Когда величина напряжения на конденсаторе 12 превышает величину напряжения на базе транзистора 9, .транзисторы 9 и 10 открываются и входят в насыщение. Транзистор 1 О шунтирует цепь, состоящую из диодов 18 и 19 и перехода база-эмиттер транзистора 5, в результате чего последний закрывается и вызывает закрывание транзисторов 14 и 1. Конденсатор 12 разряжается через открытые транзисторы 9 и 10, а конденсатор 13 88858 4перезаряжается через эти же транзисторы и резисторы 11, 4 и 3. По окончании перезаряда конденсатора 13 транзисторы 9 и 10 закрываются и схема возвращается в исходное состояние,Таким образом, в предлагаемом уст.ройстве повышается стабильность длительности выходных импульсов за счет повышения крутизны нарастания напря О жения на входе порогового элемента. в точке его срабатывания, а такжеуменьшения зависимости величины порогового напряжения от величины напряжения источника питания..Чеснокой актор Ю.Ко орректор С.Шекмар каз 67 ПодписноССР тииаб д.4/5 илиад ППП Патент", г.ужгород, ул,Проектная,57 Тираж 87 ВНИИПИ Государстло делам изоб 13035, Москва, Ж нного комит тений и отк 5, Раушская
СмотретьЗаявка
3686715, 06.01.1984
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8916
ГУСЕВ ВАЛЕРИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03K 3/284
Метки: одновибратор
Опубликовано: 30.10.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1188858-odnovibrator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Одновибратор</a>
Предыдущий патент: Управляемый генератор импульсов
Следующий патент: @ -триггер
Случайный патент: Способ соединения керамического материала с металлической деталью