Формирователь импульсов

(71) Заявител 54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ Изобной техвано вдля полс амплико раз ится к импульс"быть использотение о ке и мо или генераторах дных импульсов силителл чения вы удой, пр апряжени ающеи в нескольточника питания. По основному авт.св. в". 445138 известен формирователь импульсов, используемый для получения выходных импульсов с амплитудой, превышающей 1 в несколько раэ напряжение источника питания, содержащий входной транзистор с коллекторным резистором и цепь умножения напряжения, состоящую из нескольких ячеек, каждая из которых содержит транзистор и его базовый резистор, конденсатор, шунтирующий и зарядный диоды. В известном устройстве в одну часть периода следования импульсов конденсаторы заряжаются в параллельном соединении от источника питания, а в другую часть периода источник питания, коллекторный реэистор входного транзистора и эаряженные конденсаторы соединяются последовательно по отношению к внешней на грузке, в результате чего на ней образуется выходной импульс, амплитуда которого может в несколько раз превышать величину напряжения источника питания 1 1Недостатком известного устройства является то,что на коллекторном резисторе входного транзистора теряется значительная часть амплитуды выходного импульса, особенно, при сравни" тельно больших величинах тока нагрузки, что приводит к уменьшению амплитуды выходного импульса, Кроме того, на указанном коллекторном резисторе бесполезно расходуется значительная мощность как в паузе между импульсами, так и во время формиро-. вания выходного импульса, что приводит к снижению коэффициента полезного действия КПД ) устройства, Целью изобретения является повышение КПД и увеличение амплитуды выходных импульсов устройства.Поставленная цель достигается тем,что"в формирователь импульсов введены дополнительные транзистор идиод, который включен между конденсатором и анодом зарядного диода первой ячейки, а параллельно дополнительному диоду включен баэо-эмиттерный переход дополнительного транзистора, коллектор которого соединен с незаземленным полюсом источника питания.На чертеже приведена принципиаль юная электрическая схема формирователя импульсов,формирователь содержит транзистор1, цепь умножения напряжеыия, состоящую из ячеек, каждая из которыхсодержит транзистор 2, шунтирующийдиод 3, конденсатор 4, зарядный диод5, базовый резистор 6, нагрузку7 коллекторный резистор 8, диоднотранзисторный ключ на дополнительных диоде 9 и транзисторе 10.Формирователь импульсов работаетследующим образом.В исходном состоянии при отсутствии входных импульсов отрицательнойполярности транзистор 1 открыт положительным напряжением, поданнымнапример, через резистор не показанна его базу от незаэемленногополюса истоцника питания. В это время транзисторы 2 и транзистор 10 закрыты обратным смещением на их базоэмиттерных переходах, создаваемымпрямым падением напряжения на диодах3 и 9, а конденсаторы 4 заряжаютсяот источника питания через диоды3,5,9 и открытый транзистор 1, Напряжение на внешней нагрузке 7 равно падению напряжения на коллекторно-эмиттерном переходе открытого транзисто 45ра 1 и близко к нулю.При подаче на базу транзистора 1входного импульса отрицательной полярности транзистор 1 закрывается,а транзисторы 2 и 10 открываются.ИТранзистор 10 открывается за счетпротекания части разрядного токаконденсаторов 4 по цепи: переходбаза-эмиттер транзистора 10, конденсатор 4, переход эмиттер-базатранзистора 2, резистор 6, резистор58. Аналогично открываются транзисторы 2. Диоды 3,5 и 9 закрыты в этовремя напряжениями на конденсаторах 104, приложенными к диодам в запираю.щем направлении.Таким образом, во время действиявходного отрицательного импульсаисточник питания Е, коллекторноэмиттерный переход транзистора 10и заряженные конденсаторы 4 черезоткрытые транзисторы 2 оказываютсявключенными последовательно по отношению к внешней нагрузке 7 и создают на этой нагрузке импульс напряжения, амплитуда которого близка квеличине 4 Е, где Е - напряжение источника питания.С окончанием входного импульса транзистор 1 открывается, а транзисторы 2 .и 10 закрываются,в результате чего напряжение на нагрузке 7 падает до величины, близкой к нулю, При подаче на базу транзистора 1 последующих входных импульсов отрицательной полярности формирователь импульсов работает аналогично,Формирователь может работать такжеи от импульсов положительной поляоности, если на базу транзисторане подавать положительного. напряжения смещения. В этом случае, выходные импульсыповышенной амплитуды будут формироваться в паузах между входными импульсами,При использовании источника питания отрицательной полярности диоды3,5 и. 9 необходимо включить в обратном направлении, а транзисторы заменить транзисторами противоположноготипа проводимости.Для ускорения процесса открытиятранзистора 2 параллельно базовомурезистору 6 в каждой ячейке можетбыть включен конденсатор.Изменением количества ячеек вцепи умножения напряжения можно получить необходимую величину амплитуды выходных импульсов,В устройстве во время формированиявыходного импульса ток нагрузки протекает преимущественно не через коллекторный резистор 8,а через переходколлектор-эмиттер открытого транзистора 10. Сопротивление коллекторноэмиттерного перехода открытого транзистора 10 имеет малую велицину и,.следовательно, на нем теряется лишьнезначительная часть амплитуды выходного напряжения и мощности. За счетмалого сопротивления коллекторноэмиттерного перехода открытого транзистора 10 и малого падения напряжеформула изобретения 7 Составитель Л.Колосковицика ТехредЖЗКастелевич Корректор Г,Ога то Подписноеитета СССРи открытийкая наб., д. М филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектн 5 9537 ния на нем в устройстве существенно повышается нагрузочная способность, КПД и.увеличивается амплитуда выходных импульсов, по сравнению с известным устройством, 5 формирователь импульсовпо авт.св, О 11 й 5138, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и увеличения амплитуды выходных имЗаказ 6292/80 Тираж 959 ВНИИПИ Государственного к по делам изобретени 113035, Москва, Ж, Рау10 бпульсов, внего введены дополнитель.ные транзистор и диод, который включен между конденсатором и анодом эарядного диода первой ячейки, а параллельно дополнительному диоду включен базо-эмиттерный переход дополнительного транзистора, коллектор которого соединен с неэаземленным полюсом источника питания.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРй 415138, кл. Н 03 К 5/01, 29.05.72,