Устройство для прессования четырехполюсных постоянных магнитов из порошков магнитно-твердых материалов

Номер патента: 1072095

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Киселева, Кубраков, Свенский, Червоненкис

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, магнитов, миниатюрных, неоднородных, полей, постоянных

...нормали к гранатовой пленке приводит к расширению энергетически выгодных доменов в которцх надравление вектора намагниченности совпадает с направлением однородного поля) эа счет энергетически невыгодных,.Новому положению домеивых границ соответствует значение нор-мальной составляющей поля Н 4 , равное по величине и противоположное по .знаку полю Яо . Таким образом, Фиксируя координаты доменных границ в Функции от значения поля На можно построить топограмму нормальной составляющей поля исследуемого миниатюрного магнита.Устройство работает следующим образом.Параллельный пучок света от ис. точника 1, и ой я че есколькими параллельным фь ыми феррогранатбпро дя через поляриза- выми пленками, разделенными прозрачтор 2, становится линейно...

Номер патента: 387447

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бритов, Капуста, Трунова

МПК: H01F 41/02

Метки: магнитного, объеме, поля, постоянном

...две пары постоянных магнитов 1. Силовые линии магнитов каждой пары совпадают по направлению, а магнитное поле, создаваемое одной парой, зеркально симметрично полю, создаваемому другой парой магнитов, Максимальное значение поля достигается в зонах А объема, ооразованного магнитной системой. Магниты заключены в хорошо проводящие цилиндрические оболочки 2, которые приводят во враще ние в направлении, обозначенном стрелками(см. фиг, 2), При этом вектора линейных скоростей оболочек перпендикулярны векторам напряженности магнитного поля и направлены внутрь объема В.10 Так как при больших значениях магнитногочисла Рейнольдса магнитное поле вморожено в проводящую среду, то при вращении цилиндрических оболочек магнитное поле, создаваемое...

Номер патента: 355585

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Михлин, Попов

МПК: G01R 33/10

Метки: магнитного, параметров, поля, самолета

...в покрытиях площадок.Определение параметров магнитного поля самолета по предлагаемому способу производится следующим образом.Самолет закатывается на первую площадку и производятся измерения в месте установки магнитометрического датчика проекций магнитного поля на самолетные оси Х, У и 2, Так как внешнее поле на площадке 1 удовлетворяет условию Х=У=Л=О, измерения позволяют сразу определить параметры постоянного намагничивания (влияние твердого железа), т. е. коэффициенты Р, Я и Я нз известных уравнений Пуассона, определяющих магнитное состояние носителя. После определения составляющих постоянного намагничивания самолет прямолинейно перемещается на площадку 2, где создано внешнее поле, удовлетворяющее условию Х= У=О, ЯО. По результатам...

Номер патента: 653995

Опубликовано: 05.01.1980

Авторы: Алдущенков, Сергеев

МПК: G01N 27/78

Метки: внедренных, внутреннего, магнитного, матрицу, напряженности, поля, ферромагнитную, ядрах

...состояний путем измерения возмущенных угловых корреляций каскадов ядерных с( - у-излучений 1.Однако этот способ недостаточно чувствителен для ядер со средними и большими атомными весами.Наиболее близок к предлагаемому способ определения напряженности внутреннего магнитного поля элементов, внедренных в ферромагнитную матрицу путем измерения угловых корреляций каскадов ядерного излучения и дальнейшего вычисления определяемой величины 2. паде.Однако таким способом возможно лишь определять напряженность внутренних магнитных полей ядер с,с 90. Это обьясняется тем, что для ядер с большими атомными массами (7 Ъ 90) интенсивность -излучения уменьшается вследствие внутренней конверсии) -излучения. Происходит пргобразование б -квантов в...

Номер патента: 1282025

Опубликовано: 07.01.1987

Авторы: Попов, Прочухан, Руд, Скорюкин

МПК: G01R 33/095

Метки: значения, индукции, магнитного, максимального, поля

...,(В ,), показанная 25На фИГ 2 ИМЕЕТ уЧаСтОК ГДиу (Вмакс),= сопз 1; в интервале В = О.макс0,6 Т, Соответственно в этом интервале максимальных магнитных полейчувствительность преобразователя У = 30сгдиу В макс = 0т. еинформация омагнитных полях с максимальной индукцией,меньшей 0,6 Т, теряется,На магниторезистивное веществопреобразователя воздействуют известным постоянным магнитным полем смещения В, = 0,6.0,7 Т того женаправления, что и исследуемое магнитное поле. В этомслучае результирующее максимальное поле, воздейству ющее на магниторезистивное веществореъпреобразователя В Вам + Вмаксбудет всегда больше 0,6 Т, и, следовательно, чувствительность г будетбольше нуля при любых значениях 5. В ,О, После того как исследуемоеи смещающее...