Аналоговое запоминающее устройство

Изобретение относится к автоматике ивычислительной технике и может быть использовано в системах автоматического регулирования для интегрирования по времени дискретных сигналов, поступающихс трехпозиционных регуляторов, а такжеааттетьного запоминания результатов интегрирования,По основному авт. св. М 711635известно аналоговое запоминающее устройство, используемое в системах автоматитйческого регулирования для интегрированияпо времени дискретных сигналов, поступающих с трехпозиционных регуляторов, идлительного запоминания результатов ин 1тегрирования. Это устройство выполнено,на повторителе напряжения с.боа щнм обратным сопротивжнием управляющего перехода и накопительном элементе, например, высокостабильном конденсаторе,20одна обкладка которого соединена с шинойнулевого потенциала, а между щинами питания введены ключи, пассивные элементы,соединенные с винами питания по мостовой схеме, в диагональ которого включены последоватетьно соединенные заряаный блок, нелинейные этементы и разрядный блок, вход которого соединен с выходом первого пассивного элемента, другая обкладка конденсатора соединена с выходом первого нелинейного элемента, вхоаом второго нелинейного элемента и входом повторителя напряжения, а вход второго зарядного блока подключен к унравааощему выходу второго пассивного элементами,Однако для обеспечения длительного запоминания результатов интегрирования нелинейные элементы в устройстве доакны быть с самыми минимальными обратными токами, так как они в режиме запоминания находятся под обратным напряжением, при чем это напряжение постоянно меняется в зависимости от величины напряжения на обкладках накопительного элемента, а значит и меняются обратные токи через нелтв. нейные элементы. Эти токи влияют на величину потенциала на обкладках накопитеа ного элемента, т.е. они влияют на агитель8601 ность .лом,.1 храпения информации, и чем больце буп т э и токи, тем больше будет скорость изменения потенциала на обкладках накопительного элемента, значит мень-. ше будет время хранения информации.5Пель изобретения увеличение времени хранения информации.Поставленная цель достигается тем, что в аналоговое запоминающее устройство введены два эмиттерных повторителя при 0 чем вход первого эмиттерного повторителя ноаключен к выходу повторителя напряжения, а выход подключен к зарядному блоку, вход второго эмиттерного повторителя подключен к нагрузочному элементу, а выхоп попклочеп к разрядному блоку, и нелинейный элемент, вход которого подключен к выходу повторителя напряжения, о выход - ко вхопу второго эмиттерного повт орите ля.На чертеже представлена принципиаль 20 ная схема аналогового запоминающего устройства.Аналоговое запоминающее устройство содержит ключи 1 и 2, пассивные элементы 3 и 4, нелинейные элементы 5 и 6,25 розряпный блок 7, зарядный блок 8, накопительный элемент 9, повторитель 10 напряжения, нагрузочный элемент 11 нелинейный элемент 12, эмиттерные повторители 13 и 14.30Нелинейный элемент 12 введен для того, чтобы снизить начальное напряжение на выходе устройства и сделать его равным илц несколько меньше напряжения на обкладках накопительного элемента. Эмит терные повторители 13 и 14 выполнены на транзисторах разной проводимости вместо с подключенными к ним пассивными элементами 3 и 4, причем эмиттерный повторитель 14 но транзисторе обратной 40 проводимости повторяет выходное напряжение но нагрузке, которое на незначительную величину меньше напряжения на обкладках накопительного элемента, а эмиттерный повторитель 13 на транзисторе прямой 45 40 4проводимости повторяет напряжение сток- исток повторителя 10 напряжения. За счет этого выравниваются потенциалы входа и выхода нелинейных элементов 5 и 6, т,е. практически уменьшаются в несколько раз обратные напряжения на этих элементах в режиме запоминания а поэтому уменьшаются обратные токи через эти элементы. Зто позволяет увеличить время хранения информации в два раза по сравнению с, известным устройством. Погрешность запоминания предлагаемого устройства составляет 0,25 В/ч во всем диапазоне изменения выходного напряжения. Использование изобретения позволяет увеличить время хранения информации, а также применять в качестве нелинейных элементов вместо дорогостоящих полевых транзисторов, включенных по диодной схеме, более дешевые точечные кремниевые диоды. Формула изобретения Аналоговое запоминающее устройство по авт, св 711635, о т л и ч а ю - ш е е с я тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в устройство введены два эмиттерных повторителя, причем вход первого эмиттерного повторителя подключен к выходу повторителя напряжения, а выход подключен к зарядному блоку, вход второго эмиттерного повторителя подключен к погрузочному элементу, а выход подключен к разрядному блоку, и нелинейный элемент, вход которого подключен к выходу повторителя напряжения, а выход - ко входу второго эмиттерного повторителя. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССРМ 711635, кл. Я 11 С 27/00,860 140 Редак омакЗака Филиал ППП Пвтентф, г. Ужгород, ул. Проектнаи, 4 556/32ВНИИПИ Гпо дела113035,Составитель В. МуратовТехред И. Голинка Кмррек Тираж 645 Подписноеударствениого комитета СССРизобретений и открытийосква, Ж, Раушскаа наб., д. 4/5