Способ адсорбционного разделения азеотропных смесей

Номер патента: 104762

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Алесковский, Бахтин

МПК: G01L 9/12

Метки: давления

...брань/ зя чст выокои чувстгитсль//Остн эле(трое///е/х сх(,м. Тя/(3/м 0- /) с/ЗОМ, 3/Ц( РЦИО///ЮСТЬ УСТРОИСТЕ)с определяется инсрццон/)стью мембраны и ццерционностью установления тока ь обмотк магнита. Опыты Г осуществленной моделью устройтва показали, чт практически устройство, .острое/шое по предлагя(- мому пр/1/ц/пу, бсзынерциоццо.Радиотехническая часть устройтвя состоит из трех основных блокВ: блока датчика ), блока усилит(ля У и исполнцтсльного локя УУ,/(с( мбрана является одной цз Ц,/с/СТЦ/ /(1/ДСЦСЯТОРЯ (.МКОСТЕОГО Дат/ИКЯ // ЗЯДс/ 3 КЕЮ/ЯГТГЯ В цзмсреции юзццкяющих;/р// из. ХЕГЦГЦ/Ц/,/с/В, /ГЦЦЯ ./с)ЛЬ/Х 3:/51(- НГий с/10/ /ь 1,я //змеГия 1,(сь- МЯ МЯЛЫХ ЦЗМЦСЦЦ ГМКОСТЦ ЫЦ С Ц Р,1 Ь 3 ОЯ 1/ Ц Г П И С Я //1 Ы / С 1 1- /ГР//Тс(...

Номер патента: 115284

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Диденко

МПК: A62B 7/00, E21F 11/00

Метки: регенеративный, респиратор

...кислородным баллоном 1). Посредством сзл 0 ГЛОТНЯЮЩСОС 51 СОСИПСНИЯ Вентиль 1 с баллона рисосдиняется к кисгсродораспределптсль)омуз., СО( 05 П(.Му и:.) ррдуТарс 1, устроЙства 16, В котором скомбипи.Г)овапь байпасс и приспособлени.Лля предварительной продуви; нерекрывпого вентиля 17,мяОметр;11 с сОЧОГс) ЗВТОМаТс 1.113 леГОПОГО сВтоматс Кислородпостмпзст В соп;10 аркето)с 20 и В ВС)ХПС 0 и;)СО ППОДГЧОЧГО 7 (рсГ)Х) ПЗСОС 21, С.;)КсцСГО д,15 О Вс СИСТС 1 Ь РТ СО( 1 СП ЯЗОТЗ 5 ОДПОВРС."сС:ПО Д,Я УДсг(" ИИ 5 СПДСЦС 2 ТЗ, "ТСс 1 Ю(СГО СО (.Т ОК ДьХЗТСЛЬНОГО МСПКЗ. Г)ТГ:аси взц 1" с ВозГхз . Коцспсзт Н 1)сис- ВОД" С 5 сЕРСЗ Н 1 ЖИГОЙ) Кс 1 МС) Н - с(сясое.испи "О (. бло)л 22 1",ГЕТЯЮПС 0 И РГ;С3;ОПСГО (ЛЯПЗ ЦОВ.Б (ЕГцц Сд 0 с( Ос)...

Номер патента: 1564012

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Байдуков, Бирюков, Семендяев

МПК: B60K 17/16, B60K 17/34, F16H 48/24

Метки: коробка, раздаточная, средства, транспортного

...1.") и ., ПОлВОдитс 53 к валу 3, Водил 4 и сателлитам 19 и далее распределяется между эпициклической шестерней 6 и солнечной шестерней 10 31 иклицеская (иестерня 6 жестко связана с иср- ВЫМ ВЕДОМЫМ Ва.нМ 5, я СОН(31 ая ШЕЕ- терня О через шестернии 8 имеет постоянную кинемаическую связь со вторым веломым Валом 7. Е,елозяте,.ьно, валы 5 и 7 воспринимают крутящие л(л(енгы ироиорпиональп) внутреннему передаточному числу дифференциального механи зма. Поскольку55 шестерни 12, 13 и блок шестерен 9 установлены на своих валах с Возможностьн свобо,и(ого Враи)ения, то нс пр)5 сходит;ОНОнительны: затрат мощности на вращение деталей, участвуюцих В передаче крестяпего моментаПе(ижанин перс; я. Муфты 14 и 15 И( )СВОЛЯТС 53 В КРЦЙ 15 Е .ЕВОЕ И И 1)ЯЬОЕ...

Номер патента: 1518060

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Колосов, Попов, Самонов

МПК: B21D 43/00

Метки: заготовок, плоских

...кдс(ы 2840 ; (1 .И Ц с Г( (;11 Р, (ОЦ Ц:) ГО УС ГРОйсБ 1 ,5, и с (1 )С( (111;(ссчо(ри 1 р:)б(гу ци(1(т,(я с чочцт.:1,Ь) 110,1 (С с) 11)с(с. Н(1 И(3 с 1. 1 110,31 С(1;: с это(0 шготоцки, цдхоляц(исси Бз,(дх рлью срцОГО Лис,) 1 поцдддк)т в рдбо(с(0 (цс црсссд 11)цсрог лискиНачицд ется при Нахождении цолзуна 6 на заданцом расстоянии от его поверхности. Вра(цецие нала 3 чсрез колеса 7 и 8 передатся на вал 9 к)лзцка 10 и через колеса 11 и 12 на взл 3 эксцентрики 14. Пово. рг эксцентрика 14 цосредством шатуна 26 Бробразуется в поступательное переме(цецие ползуца 23 с цажимцым рычагом 22. Вту,(ка 8 с рукои 27 цод действием пружицы 19 также цачинзк)т подниматься, в этом время рычаг 16 скользит по впадине кулдчка 10, в результате чего ось 17...

Номер патента: 1633032

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Лаворик, Нечипорук, Новоселецкий, Филоненко, Шахрайчук

МПК: C30B 29/10, C30B 31/06

Метки: гетероструктур, полупроводниковых

...7 ч, затем производятснижение температуры до комнатной эа5 ч.Рентгеновские исследования, приведенные иа дифрактометре ДРОН-З, показывают наличие слоев СдхЕп, хСеР наповерхности обоих монокристалловСс 1 СеР и ЕпСеР, Это значит, что. одновременно получают две гетерострукту 45ры:Сдк 7 п, хбеРг - СЙСеРг ,Сйх Еп, хСеРг - ЕпСеР,причем последнюю гетероструктуру по 50 лучить по известному способу не представляется возможным.Монокристаллы, используемые для получения гетероструктур, получают следующими методами и имеют следующре характеристики: ЕпсеР методом5 Бриджмена, р-тип проводимости, поверхностное сопротивление 1 О Ом.см;СЙСеР методом химических транспортных реакций, и-тип проводимости, поверхностное сопротивление более О Ом.см. Слои...