Мультивибратор

Союз Советских Социалистических Республик(45) Дата опубликования описания 30.09.79(088.8) по делам изобретений открытий(54) МУЛЬТИВИБРАТОР Изобретение относится к области импульсной техники и может применяться в автоматических и телемеханических устройствах.Применяемые в устройствах автоматикии телемеханики мультивибраторы на транзисторах с емкостными базово-коллектор- ными связями имеют тот недостаток, что не исключена возможность срыва колебаний либо незапуска в автоколебательный режим при включении питания. Особенно затруднен запуск мультивибратора, если после включения источника напряжение питания нарастает медленно и если время- задающие конденсаторы относительно велики.Известны мультивибраторы, содержащие транзисторы, последовательно с базовыми резисторами которых включены транзисторные ключи, управляемые сигналами с коллекторов противоположных транзисторовов 1.Такие мультивибраторы достаточно надежны, но сложны.Известны мультивибраторы на двух транзисторах одинаковой проводимости с емкостными коллекторно-базовыми связями и времязадающими резисторами в базовых цепях 121.Недостатком мультивибратора является необходимость точного подбора величиныдополнительной нагрузки. С одной стороныэто сопротивление не должно быть малым,чтобы не вызвать повреждения транзисто 5 ра, а с другой - опо не должно быть большим, чтобы его подключение действительновыводило транзистор из насыщения. Учитывая большой диапазон разброса коэффициента усиления транзисторов и его1 О температурную зависимость, можно сделать вывод о необходимости учета всехфакторов, в том числе и эксплуатационных,прн расчете дополнительно подключаемойнагрузки.1, Цель изобретения - исключение режима жесткого самовозбуждения,Для достижения указанной цели в мультивибратор на двух транзисторах одинаковой проводимости с емкостными коллектор 20 но-базовыми связями и времязадающимирезисторами в базовых цепях, введен дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, коллекторкоторогоподключен к коллектору первого транзи 25 стора, база через ограничивающий резистор подключена к коллектору второготранзистора, а эмиттер - к общей точкедвух последовательно включенных времязадаюших резисторов в цепи базы первого30 транзистора.На чертеже представлена принципиальная схема устройства.Мультивибратор собран по классической схеме двухтранзисторного мультивибратора с емкостными коллекторно-базовы ми связями. Коллектор первого транзистора 1 соединен с нагрузочным резистором 2 и через конденсатор 3 подключен к базе второго транзистора 4, коллектор которого подключен к своему нагрузочному резисто ру 5 и через конденсатор 6 - к базе первого транзистора 1. Базовое сопротивление транзистора 1 состоит из двух резисторов 7 и 8, а базовое сопротивление транзистора 4 - из одного резистора 9. Кол лектор дополнительного п - р - п-транзистора 10 подключен к коллектору первого транзистора 1, а его база через ограничивающий резистор 11 - к коллектору второго транзистора 4. Эмиттер дополнитель ного транзистора 10 подсоединен к общей точке резисторов 7 и 8.В нормальном режиме транзисторы 1 и 4 поочередно закрываются и открываются, и влияние транзистора 10 практически не ощущается. В момент открытия транзистора 1 конденсатор 3 начинает разряжаться на резистор 9, а через конденсатор 6 протекает ток заряда, являющийся током базы транзистора 1. Ток заряда течет по рези- зо стору 5 и подключенной параллельно цепочке: резистор 11 - переход база - эмиттер транзистора 10 - резистор 7, Транзистор 10 при этом открывается, устанавливая глубокую обратную связь в усилите- д ле на транзисторе 1, которая, однако, не выводит его из насыщения благодаря шунтирующему действию резистора 5.С прекращением протекания зарядного тока через конденсатор 6 транзистор 10 закрывается, а транзистор 1 продолжает удерживаться в насыщении благодаря цепочке из резисторов 7 и 8. Во время открывания транзистора 4 импульсы разряда конденсатора 6 удерживают транзистор 10 в закрытом состоянии,При срыве колебаний оба транзистора 1 и 4 оказываются открытыми. В этом случае образуется цепь протекания базового тока транзистора 10, транзистор 4 - резистор 11 - переход эмиттер в ба транзистора 10 - резистор 7. А благодаря открытому состоянию транзистора 1 образуется также и цепь протекания коллекторного тока транзистора 10, в результате чего усилитель на транзисторе 1 оказывается охваченным глубокой отрицательной обратной связью, выводящей его из режима насыщения, что приводит к возникновению авто- колебательного режима работы мультивибратора. форм ла зобретенияМультивибратор на двух транзисторах одинаковой проводимости с емкостными коллекторно-базовыми связями и времязадающими резисторами в базовых цепях, отличающийся тем, что, с целью исключения режима жесткого самовозбуждения, в него введен дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, коллектор которого подключен к коллектору первого транзистора, база через ограничивающий резистор подключена к коллектору второго транзистора, а эмиттер - к общей точке двух последовательно включенных времязадающих резисторов в цепи базы первого транзистора.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Патент Японии51 - 48938, кл. НОЗК 3/282,2, Авторское свидетельство СССР322847, кл. Н ОЗК 3/82, 11.04.71 (прототип).Редактор Е. Караулова Корректор Л. Орлова Типография, пр. Сапунова, 2 Заказ 2353/3 Изд. Ме 579 Тираж 060 По тписное ИПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытии 113035, Москва Ж, Раушская наб., д. 45