Составной транзистор

7995 Иип - И ак - ЗИэю 35 где И ло Иэт Ток, протекающий по входному резистору 5, является базовым током транзистора 1, эмиттерный ток которого состоит из трех составляющих: базовый ток транзистора 2; ток управляемого генератора тока, образованного транзистором 6 и резистором 7, на базу которого подается управляемое опорное напряжение; ток второго эмиттера транзистора 1, протекающий по выходному каналу управляемого источника опорного напряжения, состоящего иэ резистора 12 и транзистора 8.55Следовательно, падение напряжения на резисторе 5 зависит от этих трех составляющих эмиттерного тока транзистора 1,1 133Изобретение относится к мик роэлектронике и может быть использовано ваналоговых интегральных схемах,Цель изобретения - достижение максимально возможного интегрального коэффициента усиления составного транзистора. На чертеже представленапринципиальная схема составного транзистора.Устройство, которое содержит двухэмиттерный транзистор 1, один иээмиттеров которого соединен с базойтранзистора 2, а база соединена свходной шиной 3. Эмиттер транзистора2 подключен к выходной шине 4. Коллекторы транзисторов 1 и 2 подключены к шине питания. Вход 3 подключенчерез резистор 5 к шине питания. Базатранзистора 2 соединена с коллекторомтранзистора 6, эмиттер которого черезрезистор 7 соединен в общей шиной, абаза - с коллектором транзистора 8,эмиттер которого в свою очередь соединен с эмиттерсм транзистора 9 и собщей шиной. Базы транзисторов 8 и 9соединены и подключены к эмиттерутранзистора 10, который через резистор 11 соединен с общей шиной. Коллектор транзистора 8 через резистор12 соединен с вторым эмиттером транзистора 1.Коллектор транзистора 9 соединенс базой транзистора 0 и через резистор 13 - с эмиттером транзистора 14,база которого через резистор 15 соедииена с шиной питания, к которой подключены также коллекторы транзисторов 10 и 14.Составной транзистор работает следующим образом,Максимально возможныи интегральный коэффициент усиления транзистора1 и составного транзистора в целомможно реализовать путем выбора системой регулирования величины тока управляемого генератора, при которомуменьшение падения напряжения на резисторе 5 (т.е. рост коэффициентаусиления) транзистора 1 вызывает пропорциональный прирост тока управляемого генератора до тех пор, пока этоуменьшение не прекратится (выход наплоский участок зависимости В/1).15 Система регулирования состоит иэдвух каналов: опорного канала, образованного транзисторами 9, 10 и 14и резисторами 11, 13 и 15; выходногоканала, состоящего из транзисторов 20 8 и 1 (по второму эмиттеру) и резисторов 12 и 5.Необходимыми условиями правильнойработы системы является попарное равенство резисторов 5 и 15, 12 и 13, 25 идентичность конструкции транзисторов1 (по второму эмиттеру) и 14, а также 8 и 9.Так как базы и эмиттеры транзисторов 8 и 9 объединены и оба транзистора работают в активном режиме, точерез резисторы 12 и 13 обоих каналовпротекают одинаковые токи равные напряжение источника питания;падение напряжения на резисторе 15 от протеканиябазового тока при токе эмиттера, равном 1;падение напряжения на переходе база-эмиттер транзистора при прямом смещении;сопротивление резистора 13. Кроме того, напряжение на коллекторе транзистора 9 постоянно и равно 2 И . Резистор 11 обеспечивает постоянство тока через транзистор 10. Напряжение на коллекторе транзистора 8, являющееся управляемым опорным напряжением, равно 1 ККв ип ц 5 эбт т 1 где И - падение напряжения на резисЯ 5торе 5 эа счет протеканиябазового тока транзистора 1;3 1337995 И - падение напряжения на пере- к Эбтл ходе база-эмиттер транзис- в тора 1; и 1 К - падение напряжения на ре- р эисторе. т Так как составляющая тока по второ- н му эмиттеру транзистора 1 и ток эмит- ч тера транзистора 14 равны и равны ре- в зисторы 15 и 5, то напряжение на кол- т лекторе транзистора 8 близко к уров в ню 1 Ит и меньше его на величину па- и дения напряжения на резисторе 5 от в составляющих токов эмиттеров этого ш транзистора, протекающих в базу тран- з эистора 2 и управляющих генератором 15 р тока на транзисторе 6 и резисторе 7. с Следовательнотранзистор 6 работа- з ет в управляемом активном режиме и п регулирует ток эмиттера транзистора е 1 в строгом соответствии с его инте б гральным коэффициентом усиления, вы- е водя его на участок характеристики т В (1 ), где интегральный коэффициент э усиления этого транзистора максималь- р ный. 25 шФормула изобретения соединен с эмиттером седьмого транзистора, база которого через шестой резистор соединена с шиной питания, коллекторы шестого и седьмого транзисторов соединены с шиной питания. Составитель Ю. Романовский Техред И.Попович Корректор Г. Решетник Редактор М. Дылын Заказ 4141/52 Тираж 901 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раусшкая наб., д. 4/5Подписное Произволе гвенно в полиграфическ предприятие, г. Ужгород, ул, Прог ктная, 4 Составной транзистор, содержащий 30первый и второй п-р-п-транзисторы,коллекторы которых подключены к шинепитания, база первого транзистора под 4лючена к входной шине, и через перый резистор к шине питания, его ервый эмиттер соединен с базой втоого транзистора, эмиттер второгоранзистора соединен с выходной шиой, о т л и ч а ю щ и й с я тем, то, с целью достижения максимально оэможного интегрального коэффициена усиления составного транзистора,него введены третий, четвертый, ятый, шестой и седьмой транзисторы, торой, третий, четвертый, пятый и естой резисторы, причем первый тран- истоР выполнен двухэмиттерным, втоой эмиттер через второй резистор оединен с коллектором третьего транистора и базой четвертого, эмиттер оследнего через третий резистор содинен с общей шиной, а коллектор - с азой второго транзистора, база третьго транзистора соединена с базой пяого транзистора и эмиттером шестого, миттеры третьего и пятого транзистоов соединены с общей шиной, эмиттер естого транзистора через четвертый резистор соединен с общей шиной, коллектор пятого транзистора соединен с базой шестого и через пятый резистор