Формирователь тока для магнитного запоминающего устройства

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ р 640366 Союз Советских Социалистических Республик(23) Приоритет Государственный комнте СССР делам изобретен и открытий) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ЗАПОМИ НАЮ Изобретение относ лительной техники и но для возбуждения координатных обмот минающих устройств. тся к области вычисможет быть применетоков в адресных или ах магнитных запоа едставлена принциптва.ржит форсирующийнцирующий транзисьсного тока, адреснутого накопителя, пеисточник напряженой связи 7, второй д ертеже пр ма устройс ойство соде 1, диффере ик 3 импул 4 магнитн первый стор обратнль ная сх Устр зистор источи мотку диод 5 0 транзиран ор о обрвый ия 6, од 8,Известны формирователи тока для запоминающих устройств. Один из формирователей тока содержит последовательно соединенные импульсный генератор тока, источники напряжения, обмотку куба, между обмоткой куба и одним из источников напряжения включен резистор, точка соединения которого с обмоткой куба соединена через конденсатор с нулевым потенциалом, а через диод - с другим источником напряжения 111.Недостатком известного устройства является большая потребляемая мощность и наличие дополнительного оборудования.Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является устройство, содержащее источник импульсного тока, подключенный к адресной обмотке магнитного накопителя, концы которой через соответствующие диоды соединены с коллектором форсирующего транзистора и эмиттером транзистора обратной связи, коллекторы транзисторов подключены к источникам напряжения непосредственно и через перОКА ДЛЯ МАГНИТНОГОГО УСТРОЙСТВА вичную обмотку трансформатора, вторичная обмотка которого подключена к базе и эмиттеру форсирующего транзистора 2.Недостатком известного устройства явля ется наличие дополнительного источниканапряжения, более высоковольтного, чем основной, что усложняет устройство и снижает его надежность.Целью изобретения является уменьшение 0 оборудования и повышение надежности устройства.Для этого формирователь тока для магнитного запоминающего устройства содержит резистор и конденсатор, одна обкладка 5 которого подключена к точке соединенияодного из диодов и адресной обмотки магнитного накопителя, другая - к точке соединения эмиттера форсирующего транзистора и вывода резистора, другой вывод ко торого соединен с шиной нулевого потенциала.3второй источник напряжения 9, резистор 10, конденсатор 11,Анод первого диода 5 соединен с положисльным полюсом первого источника напряжения 6 и коллектором форсирующего 1 ранзистора 1, катод - через адресную обмотку 4 с выходом импульсного источника тока 3 и катодом второго диода 8. Змиттер транзистора обратной связи 7 подключен к аноду диода 8, коллектор через первичную обмотку дифферснцирующего трансформатора 2 - к положительному полюсу второго источника напряжения 9, а база - к шине нулевого потенциала.Вторичная обмотка дифференцирующего трансформатора 2 подключена к эмиттеру и базе форсирующего транзистора 1. Одна из обкладок конденсатора 11 подключена к точке соединения первого диода 5 с адресной обмоткой 4 магнитного накопителя, другая - к эмиттеру форсирующего транзистора 1 и через элемент заряда, резистор 10 - к шине нулевого потенциала,При включении питания конденсатор 11 заряжается через первый диод 5 и резистор 10 до напряжения источника б, В момент включения источника 3 импульсного тока в цепи: источник напряжения б, диод 5, адресная обмотка 4 магнитного накопителя, источник 3 импульсного тока начинает плавно возрастать вследствие индуктивного характера адресной обмотки 4 магнитного накопителя, Напряжение на выходе источника 3 импульсного тока уменьшается в это время настолько, что эмиттерный переход транзистора 7 обратной связи, выполняющий роль фиксирующего диода, отпирается, и часть выходного тока источника 3 импульсного тока ответвляется через диод 8 в транзистор 7, включенный по схеме с общей базой, при этом в коллекторной цепи по первичной обмотке дифференцирующего трансформатора 2 протекает импульс тока, что вызывает отпирание форсирующего транзистора 1, При отпирании транзистора потенциал на обкладке конденсатора 11, подключенной к эмиттеру форсирующего транзистора 1, становится равным напряжению источника 6, а на обкладке, подключенной к адресной обмотке 4 магнитного накопителя, - сумме напряжений на конденсаторе 11 и источнике 6, Диод б при этом запирается, и ток начинает течь по цепи: источник 6 напряжения, форсирующий транзистор 1, конденсатор 11, адресная обмотка 4 магнитного накопителя, источник 3 импульсного тока, который в данный момент времени находится в насыщении и работает как генератор напряжения. Конденсатор 11 в это время частично разряжается. Так как к адресной обмотке 4 магнитного накопителя в данный момент времени приложено повышенное напряжение, нарастание тока в ней происходит форсированно, При достижении тока в адресной обмотке 4 магнитного накопителя номинального значения, задаваемого источником 3 имну льсного тока, потенциал на его выходе повышается, и ток черезэмиттерный переход транзистора обратнойд связи 7 прекращается. Транзистор запирается, при этом во вторичной обмотке дифферснцирующего трансформатора 2 появляется отрицательный бросок тока, быстро запирающий форсирующий транзистор 1. По 10 тенциал на обкладке конденсатора 11 понижается, отпирается диод 5 и ток течет попервоначальной цепи. Конденсатор 11 черездиод 5 и резистор 10 вновь подзаряжаетсядо напряжения источника б. Вершина им 15 пульса тока в адресной обмотке 4 магнитного накопителя получается плоской, таккак при выходе источника 3 импульсноготока из насыщения стабилизируется ток внагрузке, т. с. в адресной обмотке 4 магнит 20 ного накопителя.Таким образом, форсирующий транзистор1 находится во включенном состоянии только на период формирования переднего фронта импульса тока. В этот момент времени25 протекает дополнительно ток через резистор10, поэтому его параметры выбираются таким образом, чтобы этот ток был незначителен, но конденсатор 11 успевал бы полностью заряжаться до поступления следую 30 щего импульса тока,Вместо резистора 10 может быть применен, например, корректор (стабилизатор тока) или электронный ключ, размываемыйна то время, когда включен форсирующий35 транзистор 1.Емкость конденсатора 11 выбирается достаточно большой, чтобы он разряжался незначительно за время одного цикла работыустройства.40 Второй вывод конденсатора 11 через элемент заряда 10 может быть подключен нетолько к шине нулевого потенциала, но и кдругому источнику напряжения, имеющемуся в запоминающем устройстве, при этом45 напряжение, до которого будет заряжатьсяконденсатор 11, станет отличным от напряжения источника 6.Диод 8 служит для защиты переходаэмиттер - база транзистора 7 от выброса5 О напряжения на выходе источника 3 импульсного тока в момент выключения токаи уменьшения паразитной емкости, подключенной к выходу источника.В качестве второго источника напряже 55 ния 9 может быть применен основной низковольтный источник питания логических элементов, имеющийся в любом запоминающемустройстве.Формула изобретенияФормирователь тока для магнитного за.поминающего устройства, содержащий источник импульсного тока, подключенный кадресной обмотке магнитного накопителя,65 концы которой через соответствующие дио640366 Составитель Л. АмусьеваТехред А. Камышникова Корректор А. Степанова Редактор Ю. Челюканов Заказ 2359/1 О Изд.806 Тираж 692 Подписное 11 ПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, К.35, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 ды соединены с коллектором форсирующего транзистора и эмиттером транзистора обратной связи, коллекторы транзисторов подключены к источникам напряжения непосредственно и через первичную обмотку трансформатора, вторичная обмотка которого подключена к базе и эмиттеру форсирующего транзистора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и повышения надежности формирователя, он содержит резистор и конденсатор, одна обкладка которого подключена к точке соединения одного из диодов и адресной обмотки магнитного накопителя,6другая - к точке соединения эмиттера форсирующего транзистора и вывода резистора,другой вывод которого подключен к шиненулевого потенциала и источнику импульс 5 ного тока.Источники информации,принятыс во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРМо 262964, кл. й 11 С 11/02, 18.09.68.10 2. С. Е. Поздняков. Особенности формирования импульсов тока в магнитных запоминающих устройствах большой емкости,Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1971,вып. 5, стр, 115, рис. 1 б, в, г.