Способ получения декстрина

Номер патента: 576884

Авторы: Жушман, Илясов, Коваленок, Лукин, Сыроедов

ZIP архив

Текст

рц 576884 ОП КСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик.76 (21) 2317059/ с присоединением заявки3) Приоритет ударственнын комитет вета Министров СССР 43) Опубликован 45) Дата опубли 30.07.78. Бюллетень28вания описания 14,08.78 53) У 4,161 88,8) о делам изобретен ткрмт, С. Г. Ильясов, А. И, Жушми Н, Д. Лукиндена Трудового Красного Знамщевой промышленности и Всевательский институт крахма В. вален(71) Заявител сковский ор институт пиисслед ени технологическсоюзный научноопродуктов 4) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Д РИ Изобретение относится к крахмало-паточной промышленности и может быть использовано при производстве декстринов.В крахмало-паточной промышленностиизвестны периодические способы;получениядекстрина. При этом декстрипизация крахмала проводится в течение продолжительного времени (2,0 - 4,0 ч) 11.Известен способ получения декстрина,заключающийся в предварительном введснии катализатора в крахмальную суспензию и дальнейшей сс обработке,я проводится в псевдопри температуре воздуха 15 ение 20 - 50 мин 21.соб имеет следующие неая продолжительность ведекстринизации; большой язанный с нагревом возду емпературы; низкое качестпродукта, связанное с обшого количества крупки.техническим, решением к вляется способ получения 35 чающий введение каталил и его термическую обраслое при ш 1)емешпванпп в Р 1 Декстринизациожиженном слое200 в 2 С в течИзвестный сподостатки: большдения процессарасход тепла, свха до высокой тво получаемогоразованием больБлижайшимпредлагаемому ядекстрина, вклюзатора в крахмаботку в тонкомтчннельной печи Однако этот способ не позволяет получить декстрин высокого качества из-за недостаточно равномерной термической обработки массы продукта и процесс декстрипизацпп осуществляется с низкой скоростью.С целью улучшения качества получаемых декстринов, уменьшения продолжительности процесса обработки и снижения энергетических затрат по предлагаемому способу термическую обработку крахмалов осуществляют путем воздействия коротковолновым инфракрасным излучением в диапазоне длин волн 0,4 - 5,0 мкм при атак генератора 1,0 - 1,2 мкм в течение 5 - 30 мин, при этом толщина слоя составляет 5 - 15 мм. Способ заключается в следующем.Крахмалы влажностью 11 - 20%, предварительно обработанные катализатором, подвергают воздействию коротковолнового инфракрасного излучения, для получения которого применяют генераторы КГ- 1000 (Х=1,04 мкм). Обработке подвергакгг слой крахмала толщиной 5 - 15 мм при перемгчпнваннп. В первые 2 - 3 мпн 1 е 1 з мпчсской обработки плотность падающего потокдолжна быть 20000 Вт/м-.В результате термической обработки получены декстрины с показателями, которые приведены в таблице.Образование крупки замечено не было, что говорит о повышении качества продукта.Использование предлагаемого способа получения декстринов обеспечивает повышение качества получаемых продуктов, снижение продолжительности термической обработки.Предварительная экономическая эффективность от внедрения данного способа на декстриновом заводе производительностью 30 т/сут составит 110000 руб. в год. К концу этой обработки температура материала достигает 160 - 200 С, а влажностьпродукта 3 - 5%. Дальнейшую термическую обработку (в течение 5 - 27 мин) проводят при величине падающего потока,равной 4000 - 5000 Вт/м.В области спектра (0,4 - 5,0 мкм) находятся обертоны основных полос поглощения концевых групп, входящих в молекулу крахмала, и, хотя полосы поглощения 40высокомолекулярных веществ расположены в области спектра 2,7 - 25,0 мкм, применение длинноволнового излучения нежелательно, так как оно значительно поглощается водяными парами, находящимися в процессе термической обработкимежду излучателями и материалом,Коротковолновое инфракрасное излучение проникает в глубь слоя крахмала до5 мм, что приводит к более равномерному 50прогреву материала и интенсификации термической обработки. Проникновение длинноволнового излучения в глубь материаланезначительно 1,0 мм).П р и м е р. Картофельный крахмал исходной влажностью 18% и кукурузныйкрахмал исходной влажностью 12%, обработанные алюмокалиевыми квасцами в количестве 2 и 4% от веса сухих веществ,подвергают воздействию коротковолновым 60инфракрасным излучением, для получениякоторого используют генераторы КГ(Ып,=1,04 мкм), Обработке подвергают слой толщиной 5 мм, Температура материала составляет 160 и 200 С. 65 Формула изобретенияСпособ получения декстрина, включающий введение катализатора в крахмал и его термическую обработку в тонком слое при перемешивании, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью интенсификации процесса и улучшения качества продукта, термическую обработку осуществляют путем воздействия инфракрасным излучением в диапазоне длин волн 0,4 - 5,0 мкм при Хпшх генератора 1,0 - 1,2 мкм в течение 5 - 30 мин, при этом толщина слоя составляет 5 - 15 мм. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Технология крахмала и крахмалопродуктов под редакцией проф, Н. Н, Трегубова, Пищепромиздат, М., 19 О, с, 380. П р и м е ч а н и е: Остальные показатели качества декстринов полностью соответствуют ГОСТУ 6034-74.Редактор П. Горькова Корректор Л, Котова Заказ 1689/17 Изд.603 Тираж 414 Подписное НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 5 2, Авторское свидетельствв СССР М 322367, кл. С 131. 1/10, 1971. 3. Химия и технология крахмала. Про.МышлейнИе вопросы под ред. Р. Л, Уистлеа и Э. Ф. Па 1 паля. Перевод с англ. М.,ищепромиздат, 1975, с. 192.

Смотреть

Заявка

2317059, 15.01.1976

МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ПИЩЕВОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ВСЕСОЮЗНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ КРАХМАЛОПРОДУКТОВ

СЫРОЕДОВ В. И, ИЛЬЯСОВ С. Г, ЖУШМАН А. И, КОВАЛЕНОК В. А, ЛУКИН Н. Д

МПК / Метки

МПК: C13L 1/10

Метки: декстрина

Опубликовано: 30.07.1978

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-576884-sposob-polucheniya-dekstrina.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения декстрина</a>

Похожие патенты