Способ измерения напряженности магнитного поля

Номер патента: 552578

Авторы: Даукаев, Кувашов, Сапельников

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е (и) 552578ИЗОБРЕТЕНИЯ Оово Соеетоких Социалистических РеспубликГосударственный ко Совета Мииистрое СССРпо делам изобретенийи открытий 53) УДК 621,317,4, Кувашов, В. М. Сапельников и Р. С. Даукае Башкирский государственный университет имени 40-летия Октября(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НА МАГНИТНОГО ПОИзобретение относится к области электрическ(их и магнитных измерений и может быть использовано в измерительно-информационной технике для измерения напряженности магнитного поля.Известен способ измерения напряженности магнитного поля, основанный на измерении изменения сопротивления висмута от величин напряженности магнитного поля 11. Недостатком этого способа является невысокая чувствительность и точность измерения.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ измерения напряженности магнитного поля, основанный на эф(фекте Холла и заключающийся в измерении ЭДС Холла, которая зависит от напряженности магнитного поля 2).Однако такой способ измерения напряженности магнитного поля обладает невысокой чувствительностью и точностью, а также связан с трудоемкой технологией изготовления самого датчика Холла. Кроме того, громоздкая и сложная аппаратура, применяемая для осуществления этого способа, приводит к повышению стоимости оборудования, используемого в процессе измерений.Цель изобретения - повышение чувствительности и точности.Это достигается тем, что по предлагаемому способу измерения напряженности магнитного поля, основанному на изменении своиств вещества, помещенного в магнитное поле и их измерений, в магнитное поле помещают ячейку с нематическим жидким кристаллом 5 и производят градуировку зависимости величины емкости ячейки от напряженности магнитного поля.На фиг. 1 показано устройство, реализующее предлагаемый способ; на фиг, 2 - завп- О симость величины емкости от напряженностимагнитного поля.Электроды 1, соединенные с измерительным прибором 2, помещаются в магнитное поле 3; пространство между электродами за полняется жидким кристаллом 4.В качестве жидкого кристалла используется нематический жидкий кристаллСНзи+( О - СеН 4 - СООНпомещенный в ячейку, образованную двумя О электропроводящими пластинами со сторонами 15 Р,20 мм и расстоянием между ними 100 мкм. Эти пластины служат электродами при измерении емкости жидкого кристалла.Ячейка помещается в магнитное поле, и из меряется величина емкости жидкого кристалла. Таким образом, снята зависимость величины емкости от напряженности магнитного поля, по которой при последующих измерениях емкости ячейки с жидким кристаллом в О магнитном поле определяется значение егонапряженности. Используя полученную зависимость, также можно отградуировать измерительный прибор и снимать показания непосредственно с него.Использование предлагаемого способа измерения напряженности магнитного поля обеспечивает по сравнению с существующими способами следующие преимущества:а) повышает точность измерений;б) повышает чувствительность прибора; в) упрощает аппаратуру, так как не требует дополнительного питания датчика, помещенного в магнитное поле;г) удешевляет аппаратуру, так как изготовление датчика с жидким кристаллом значительно проще. 552578 4 Формула изобретеннаяСпособ измерения напряженности магнитного поля, основанный на изменении свойств вещества, помещенного в магнитное поле и их измерении, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и точности, в магнитное поле помещают ячейку с нематическим жидким кристаллом и производят гра дуировку зависимости величины емкостиячейки от напряженности магнитного поля.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Чечерников В. И. Магнитные измерения, 15 М Изд-во МГУ, 1963, с. 46.2. Там же, с. 44.552578 Составитель О. Богомолов Техред А. Камышникова Корректор Л. Орлова Редактор С. Заика Типография, пр. Сапунова, 2 Заказ 755/19 Изд,312 Тираж 1054 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5

Смотреть

Заявка

2309710, 09.01.1976

БАШКИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. 40-ЛЕТИЯ ОКТЯБРЯ

КУВАШОВ ЗАКИ ХАИАХМЕТОВИЧ, САПЕЛЬНИКОВ ВАЛЕРИЙ МИХАЙЛОВИЧ, ДАУКАЕВ РИФГАТ САГИТЭЯНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01R 33/06

Метки: магнитного, напряженности, поля

Опубликовано: 30.03.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-552578-sposob-izmereniya-napryazhennosti-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения напряженности магнитного поля</a>

Похожие патенты