Матрица для формовки деталей давлением импульсного магнитного поля
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Ой С ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Сова Советских Социалистических РеспублинК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено О 6 Л 1.1966 ( 1089 ИО/25-27 М, Кл. В 210 26/ с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 13 ЛХ.1972. БДата опубликования описан Комитет по аел изобретений и отк при Совете Микис СССР, Н, Лысенко, В, А. Глущенков и Ю, Д, Лысен Куйбышевский авиационный институтявите МАТРИЦА ДЛЯ ФОРМОВКИ ДЕТАЛЕЙ ДАВЛЕНИЕМ ИМПУЛЬСНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯени редмет изо 10 Матрица для формовки импульсного магнитного п тем, что, с целью увеличе повышения точности изгот она снабжена вставками15 резины, установленными в деталеи давлением ля, отлицающаяся ия ее стойкости и овляемых деталей, из металлической зоне формовки. Матрицы для формовки деталей давлением импульсного магнитного поля изготовляются в настоящее время из стали или пластмассы. Однако в таких матрицах воздух, находящийся между матрицей и заготовкой, не отводится. В металлических матрицах часто образуется магнитная подушка вследствие проникновения магнитного поля через стенку изделия, а также бывают прижоги.В результате высокой скорости деформирования металл заготовки отскакивает от стенок матриц.Все это приводит к быстрому износу матриц, а изготавливаемые детали не отличаются точными размерами,В предлагаемои матрице в зону формовки омещают вставки из металлической резины, то устраняет описанные недостатки.На чертеже изображена матрица 1, изгоовленная из стали или пластмассы, вставка з металлической резины 2 и заготовка 3.Составитель О. Новиковаедактор Т. Орловская Техред А. Камышникова Корректор С. СатагулоЗаказ 3522/11 Изд. Мз 1442 Тираж 405 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5ипография, пр. Сапунова
СмотретьЗаявка
1089360
Д. Н. Лысенко, В. А. Глущенков, Ю. Д. Лысенко Куйбышевский авиационный институт
МПК / Метки
МПК: B21D 26/14
Метки: давлением, импульсного, магнитного, матрица, поля, формовки
Опубликовано: 01.01.1968
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-206525-matrica-dlya-formovki-detalejj-davleniem-impulsnogo-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Матрица для формовки деталей давлением импульсного магнитного поля</a>
Матрица для магнитно-импульсной формовки тонкостенных полых деталей
Номер патента: 1501382
Опубликовано: 20.05.1999
Авторы: Глущенков, Исарович, Самохвалов
МПК: B21D 26/14
Метки: магнитно-импульсной, матрица, полых, тонкостенных, формовки
Матрица для магнитно-импульсной формовки тонкостенных полых деталей сложной формы, содержащая две полуматрицы, расположенные симметрично относительно плоскости разъема, проходящей через ось матрицы и узел стягивания полуматриц, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества формовки, каждая полуматрица выполнена в виде пакета металлических пластин, расположенных параллельно плоскости разъема и электрически изолированных одна от другой.
Матрица для магнитно-импульсной формовки трубчатых деталей
Номер патента: 1660293
Опубликовано: 27.05.2000
Авторы: Исаченков, Самохвалов
МПК: B21D 26/14
Метки: магнитно-импульсной, матрица, трубчатых, формовки
Матрица для магнитно-импульсной формовки трубчатых деталей, выполненная в виде неразъемной гильзы, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, она снабжена чередующимися жесткими и эластичными втулками, смонтированными во внутренней полости гильзы коаксиально последней с возможностью осевого перемещения, при этом эластичные втулки выполнены с возможностью радиального перемещения.
Устройство для магнитно-импульсной штамповки полых заготовок
Номер патента: 1759504
Опубликовано: 07.09.1992
Авторы: Козлов, Лебедев, Самохвалов
МПК: B21D 26/14
Метки: заготовок, магнитно-импульсной, полых, штамповки
...ей, Управление запуском разрядников 2 и 4 и зарядкой накопителя 1 осуществляется с блока управления 7, Формообразование заготовки 8 производится по штампоаой оснастке (матрице) 6,Устройство работает следующим образом. После заряда емкостного накопителя 1 до определенного ранее уровня энергии, по сигналу с блока управления 7 подается а первый разрядник 2 высоковольтный поджигающий импульс, который ионизирует пространство между электродами разрядника и вызывает электрический пробой воздушного промежутка между ними, При пробое разрядника запасенная в конденсаторах энергия в виде импульса тока проходит чере рабочую обмотку индуктора 3, создает вокруг нее мощное переменное магнитное поле, индуктирующее в электро- проводной заготовке...
Устройство для магнитно-импульсной обработки металлов давлением
Номер патента: 353775
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Казимиров, Кальнишевскин, Моргун, Николаев, Смирнов
МПК: B21D 26/14
Метки: давлением, магнитно-импульсной, металлов
...толщины обрабатываемой детали.Выполнение метаемой пластины с указанным пределом толщин позволяет с высокой эффективностью снижать остаточные напряжения в сварных соединениях, обеспечивая кратковременность нагружения, не повреждая при этом поверхности обрабатываемой детали,Кратковременность ударной нагрузки способствует более полному переходу энергии удара в пластические деформации обрабатываемого листа без образования выпучивапия в месте удара, то есть в этом случае не требуется опирать на матрицу обрабатываемую поверхность со стороны, противоположной размещению устройства.Для разгона метаемой биметаллической пластины используется импульсное магнитное поле, которое образуется индуктором при пропускании через него импульсного тока от...
Способ магнитно-импульсной тепловой обработки металлической заготовки
Номер патента: 758623
Опубликовано: 10.10.1995
Авторы: Кухарь, Маленичев, Талалаев, Шевелев, Яковлев
МПК: B21D 26/14
Метки: заготовки, магнитно-импульсной, металлической, тепловой
СПОСОБ МАГНИТНО-ИМПУЛЬСНОЙ ТЕПЛОВОЙ ОБРАБОТКИ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ЗАГОТОВКИ, заключающийся в нагреве заготовки и последующем ее деформировании давлением импульсного магинтного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД процесса дефомирования, нагрев заготовки осуществляют со стороны, противоположной приложению давления импульсного магнитного поля, на глубину не более толщины заготовки за вычетом толщины ее скин-слоя.