Оротрон
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОР ЦСАНИЕ (1)4ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскин Социалистицеских Республик(б 1) Зависимое от авт, свидетельства 21) 1808844/262) Заявлено 13.07 23/10 М, К присоединением заяв Гасударственный номитет Совета Министров СССР но делам изооретений и открытий(088.8 публиковано 0 4, Бюллетень Ме 4 ата опубликования описания 25.04.75 2) Авторы изобретени Шойхет, В. П. Костромин и Л. А. Синенко и(54) ОР 2 под опред но катодаНа черт рон,Оротро ан предложенный ор огнутое полупрозрачзеркало 2, периодитод 4, коллектор 5,содержит1, плоскктуру 3,ку 6,ное зеркал ескую ст лоскую с Изобретение относится к электровакуум- ным приборам сверхвысоких частот.Известны оротроны, выполненные в виде открытого резонатора с отражающей периодической структурой, нанесенной на одно из его зеркал, источника электронов, фокусируемых продольным магнитным полем, и коллектора.Однако в известных оротронах при данных размерах и допустимом тепловом режиме генерируемая ими мощность и к, п, д, ограничены, поскольку во взаимодействии с пространственными гармониками основного колебания открытого резонатора, образованными периодической структурой, участвует т 5 лишь тонкий (порядка долей периода структуры) слой электронного пучка, движущийся параллельно периодической структуре в непосредственной близости от ее поверхности.Изобретение позволяет увеличить генери руемую мощность и к. п, д, оротрона благодаря тому, что катод, сетка и коллекторы расположены параллельно поверхности пери одической структуры и находятся в скрещенных электрическом и магнитном полях, 25 тенными потенциалами отнОсите Оротрон помещен в магнитное поле, прчем Е )Е(Е - потенциал плоского з ла, Е - потенциал коллектора),В предложенном оротроне формирование электронного пучка и взаимодействие его с пространственными гармониками основного колебания открытого резонатора, обра зованными отражающей периодической структурой, осуществляется в скрещенных электрическом и магнитном полях. При этом каждый электрон, эмиттируемый катодом, под действием скрещенных полей движется к коллектору по циклоидальной траектории в непосредственной близости от поверхности периодической структуры.,3В результате электронный поток исполь ская структура, а также катод, один или зуется полностью, что при достаточнонесколько коллекторов, плоскую сетку и больших размерах катода, соизмеримых с полюсные.наконечники магнита, о т л и- размерами открытого резонатора, приводитч а ю щ и й с я тем, что, с целью увелик существенному увеличению генерируемой а, чения к. п. д. прибора и расширения диапа,. мощности. зона генерируемых частот, катод, сетка иколлекторы расположены в одной плоскости,;П р е д м е т и з о б р е т е н и я , параллельной плоскому зеркалу, причем плоское зеркало находится относительно катодаОротрон, содержащий открытый резона Ю под большим положительным потенциалом,тор, образованный вогнутым зеркалом лю- чем сетка и коллекторы, а плоскости побой формы и плоским зеркалом, на частилюоных наконечников магнита перпендикуповерхности которого нанесена перисдиче-, лярны плоскому зеркалу.%файф ФеФФУэсфффеВесФФ.фг ФЬ4 ффеу гггФФфф гФ ффйфг.юф гФФс/ гФфФг гг гФгфг .9Ър тееЪ, мВ гФВф,фг ф ъф г гг/Ф ФфЭЕер 4 ФФ Ф ФФФ Г, гггс уве ,фффъфсг4ефуф1 ггпуфеЪуаг Фее4се ф еюг ,ф1ФЪьфю ффЬГфЗаказ ЛФО Изд. М 8 б Тираж 760 Подписное 1 Ц 111 И 1111 Государственного комитета Совета Министров СССР ыо делам изобретений и открытый Москва, 113035, Раушская наб., 4 Предприятие Патеытэ, Москва, Г 59, Бережковская наб., 24 Составигеаь Г,Жукова Р" дан гор 1,ОРлоьскаЯ 1 ех Ред И.КаРандашова КоРРектоР т 1,ОР,гоа
СмотретьЗаявка
1808844, 13.07.1972
РУСИН Ф. С, ШОЙХЕТ Ф. Н, КОСТРОМИН В. П, СИНЕНКО Л. А
МПК / Метки
МПК: H01J 23/10
Метки: оротрон
Опубликовано: 05.11.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-435734-orotron.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Оротрон</a>
Открытый резонатор
Номер патента: 974454
Опубликовано: 15.11.1982
Авторы: Вертий, Масалов, Попенко, Сиренко, Шестопалов
МПК: H01J 23/18
...тем, что в открытом резонаторе, содержащем по крайней мере одно зеркало, на периферийной части по крайней мере одного из зеркал на расстоянии, равном радиусу пятна поля заданного ИФ,-ого колебания, нанесена периодическая структура. Причем параметры этой периодической структуры удовлетворяют соотношению РЗ 1 и вгде6Л фЕ - период структуры;,1 - длина волны,- угол падения парциальной плоскикой волны,Р - номер автоколлимирующей гармоникипри этом понерхность зеркала совпадает с эквивалентной отражающейповерхностью периодической структуры.На фиг. 1 показана конструкцияпредлагаемого открытого резонатора,состоящего из двух зеркал; на фиг, 2"периодическая структура типа эшелетт;на фиг. 3 - конструкция предлагаемого цилиндрического...
Открытый резонатор с регулируемым выводом энергии
Номер патента: 553697
Опубликовано: 05.04.1977
Авторы: Бочков, Русин, Синенко, Шойхет
МПК: H01J 23/18
Метки: выводом, открытый, регулируемым, резонатор, энергии
...3 параллельно длинной стороне сечения волновода 4.Между зеркалами 1 и 2 расположен поляризационный фильтр 5, выполненный в виде тонкой и густой одномерной сетки.Предлагаемый открытый резонаторлируемым выводом энергии работаетщим о бр аз ом.3Электромагнитная волна, распространяющаяся от зеркала 1 к зеркалу 2, полностью проходит через поляризационный фильтр 5, у которого коэффициент отражения Е - волны равен единице, а Н - волны - нулю, и падает на решетку 3. Так как зеркало 2 повернуто так, что штрихи решетки 3 составляют угол О с осью ОХ, то часть волны проходит сквозь нее в волновод 4, а часть отражается, Отраженная от решетки 3 волна приобретает составляющую электрического поля, направленную по оси ОУ. Поляризационный фильтр 5...
Открытый резонатор свч
Номер патента: 1394272
Опубликовано: 07.05.1988
Авторы: Вертий, Кириленко, Кусайкин, Попенко, Сиренко
МПК: H01J 23/20
Метки: открытый, резонатор, свч
...наличие каналов излучения на других распространяющихся гармониках спектра, приводящих к дифференционным потерям.Ограничение на величину отношения продиктовано технологическими соображениями, связанными с трудностями изготовления гребенки со слишком тонкими ламелями или слишком узкими щелями, Индексы 3 и г описывают числовибраций резонансного поля в щеляхрешетки по высоте и ширне. Дальнейшее увеличение г свыше значения 2 неприводит к улучшению параметров системы, например, по коэффициенту отраженияВ, . Параметр 1 определяетколичество вариаций поля по высотеЬ, и, следовательно, "развитость"периодической структуры и омическиепотери в системе, В связи с этим увеличение 1 более 2 не является целесообразным.Интервал изменения Ь...
Открытый резонатор свч-прибора
Номер патента: 1780447
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Битюрин, Мезенцев, Петров
МПК: H01J 23/18
Метки: открытый, резонатор, свч-прибора
...второго резонатора становится несколько низкой, что в открытом резонаторе, состоящемиз двух слабо связанных резонаторов, появляются дополнительные резонансные частоты, приводящие к сгущению его спектра,т.е, положительный эффект не достигается,При 1.220 Лр не достигается необходимоеразрежение спектра второго резонатора, аследовательно, открытого резонатора в целом. Ограничение верхнего предела 20 Яр15. объясняется тем, что при Ы 2 = 20 лр расстояние между соседними частотами открытогорезонатора наиболее оптимально (2 = =20,1 Лр недопустимо, так как в общем случае.: Ь 2 должно быть кратно целым числам, умно-женным на Лр/2).Толщина пленки промежуточного отражателя должна быть равной или менее 0,1 Яр,так как увеличение толщины 0,1...
Способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур
Номер патента: 175142
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: C25D 11/32, H01L 21/473
Метки: анодного, многослойных, оксидирования, поверхности, полупроводниковых, структур
...оописная группа97 Известны способы анодного оксидирования поверхности диодных полупроводниковых структур в высокоомной деионизованной воде путем подачи анодного напряжения на р - и- переход таким образом, что последний смещен в прямом направлении относительно катода. Однако при оксидировании многослойных полупроводниковых структур известным способом в прямом направлении оказываются смещенными не все р - и-переходы структуры и поверхность структур оксидируется неравномерно или совсем не оксидируется.Предлагаемый способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур отличается от известного тем, что анодное напряжение подают дополнительно на два (или более) омических контакта структуры таким образом, чтобы...
Предыдущий патент: Ускоряющая система линейного ускорителя ионов
Следующий патент: Способ получения фотолюминофоров, преобразующих ик излучение в видимое на основе фторидов металлов
Случайный патент: 233002