Датчик толщины напыляемых диэлектрических

Номер патента: 428263

Опубликовано: 15.05.1974

Автор: Рокфненко

МПК: G01N 27/02

Метки: датчика, диэлектрического, реактивных, резистивных, составляющих

...нРклн)сГел)1 2 В иолжение а эи(1)- Гия н ку р , 4 днВ 1)смени ноднди)ся кс(к 130 следОнате,ИО с ннп т Г(,н(ряГОра нан 1)яж(ИИЯ,;, )ак н нс(1)ал;)е.чьн к нем 01 1н РатоР 1 . ТОК 1 . ТГДс Р(.3(Н(сисис 1 Я Чс 1 СГОс( К 013 ТУ 1)а 3 4, 13 мер 5 Нма 53 чс 1(тот)ме 1)0 м 7, Онг)еИл 5 Ст(51 1 ЛЬКО (1 РЕ(3 КТН 1)И 1 М 33 ИсР(М(ГРс 1 МИ, ЧТО ИОЗВОЛНГ (М К)С ГНУ 0 СС 1 сЛ 51 Н)ИУ 30 5 Дс 3 ИКЯ 4 он 1 н.нлн 11 и;3 ныраж(иия: =ФГДС (: (М Костис)51 СОЛ 11)Л 51 НН 1151.11 ри н(130 н. н(р(кл Очс 3 т.л 51 н 3 Н)ожени,.КН 1 ГУР 1331 ГсиГ.5 ТОЛЬК О НО;КЛН)1 Е 1 ИОГО к нму и;)ралллыю ИерГра Ока 6, а его 1)ЕЗОНЯ 3 НИЯ 5 ЧНТогс):311)ИСТ Кс)К ОТ (МКОСГ 1 НН СОСТс)Л 5110 ИНй, Та К 33 ОТ СН)ОТИЕиия ПОЛЙрн заиионньх итерь,11 скои(., Ирн 0 ГКЛ 10 синн .Нрс...

Номер патента: 614396

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Двинских, Дувинг

МПК: G01R 27/26

Метки: датчик, диэлектрической, измерений, локальных, проницаемости, сверхвысокочастотный

...к отверстию в торце конуснОгоизмерительного резонатора прикладывается испытуемый диэлектрик, что Вызывает изменение его резонансной частоты. Перестройкой генератора определяют новое значение резонансной частоты резонатора и затем вычисляют диэлектрическую проницаемость диэлектрика 1)Однако этот датчик является гроким и характеризуется большой трудкостью проводимых измерений,Наиболее близким по техническойсущности к изобретению являетоя СВЧдатчик для локальных измерений диэлектрической проницаемости, имеющий614396 Формула изобретения ЦНИИПИ Заказ 3689/ Тираж 1112 Подписно мер, по линейному закону. Резонатор1 выполнен коаксиальным. Диод 3 установпен в разрыве между внутренним проводником 4 и резьбовой пробкой 5...

Номер патента: 301666

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Пенчев, Солдатов

МПК: G01W 1/14

Метки: гололеда, датчик, емкостный, толщин

...от толщины отложения в широком интервале толщин измеряемо го гололеда.Это достигается тем, что чувствительныйэлемент обладает как участками с малым расстоянием между пластинами и малой площадью последних, на которых краевое поле 10 конденсатора имеет небольшую глубину проникновения, так и участками с сильно разнесенными широкими электродами, на которых поле проникает на значительную глубину,При небольших толщинах гололеда работа 1 ст участки с малым расстоянием между электродами, а остальные существенной роли не играют. По мере увеличения толщины гололеда включаются новые участки, сохраняя при этом линейность характеристики.20 Блок-схема для получения линейного сигнала при отложении гололеда на поверхности представлена на фиг. 3 и...

Номер патента: 1318784

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Ефремов, Значковский, Марченко, Осецкий, Петухов, Свиридов, Сенатос, Скрипник

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, пленок, толщины, экструзионных

...12 на информационный вход синхронного детектора 13, на управляющий вход. которого подают опорное напряжение с выхода генератора 14 низкой частоты. На выходе синхронного детектора 13 появляется выпрямленное напряжение, величина которогосвязана пропорциональной зависимостьюс разностью емкостей преобразователей 1 и 2. Так как эта разность определяется емкостью, вносимой контролируемой пленкой, напряжение на вы 1318784ходе синхронного детектора 13 функ - ционапьно связано с толщиной пленки и не изменяется от температурных изменений диэлектрической проницаемости материала пленки. 5Преобразователь 10 установлен так, что его рабочая часть располагается в канале подачи расплава головки 16 экструдера с воэможностью зондирования...

Номер патента: 1832136

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Егоров, Темиров

МПК: C23C 16/40

Метки: ванадия, двуокиси, диэлектрической, пленок, подложке

...температура Т 2 На фиг.2изображена кривая гистеразиса коэффици.ента отражения от нагреваемой пленки.Способ реализуется следующим образом,40Предварительно подготовленные подложки помещаютсл в зону осажденил реактора, а необходимое количествометаллоорганическоо со дине иил ванадия- в зону испарения, Геатор откаливается,устанавливаются необходимые потоки смеси инертного газа и кислорода, устанавливаетсл рабочее давление в реакторе,Вклкчаетсл печь эоны осаждения и проводится предварительнал термообработкаподложек, Устанавливается необходимаятемпература подложек Т 2, при которой проводят процесс осаждения Ч 601 з, Включается печь зоны испарения, устанавливаетсянеобходимал температура Т 1 и проводитслпроцесс выращивания пленок Чв 01 з....