Управляемый аттенюатор

(51) ТЕН К АВТОРСКОМ ИДЕТЕЛ ЬСТВУ ующим обраГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(71) Киевский научно-исследовательский институт радиоизмерительной аппаратуры (72) И.Н.Винников, А,П.Кулики П.Г.Шумерук (56) Авторское свидетельство СССР М 987722, Н 01 Р 1/22, 1983.Патент Великобритании М 1568359, кл. Н 01 Р 1/15, 1980.(54) УПРАВЛЯЕМЫЙ АТТЕНЮАТОР (57) Использование; относится к технике СВЧ и может быть использовано для управления мощностью сигналов в широкополосных системах в диапазоне от метровых до Предлагаемое техническое решение относится к радиотехнике, и в частности к технике сверхвысоких частот (СВЧ), и может быть использовано для управления мощностью сигналов в широкополосных. системах в диапазоне от метровых до верхней границы сантиметровых волн, в том числе в составе гибридных интегральных схем (ГИС),Цель изобретения - уменьшение начальное ослабления при сохранении диапазона регулировки ослабления и КСВН в широком диапазоне рабочих частот,На фиг,1 изображена конструкция аттенюатора в разрезе вдоль осей отверстий, выполненных в подложке линии передачи; на фиг.2 - горизонтальная проекция фиг.1. верхней границы сантиметровых волн, в том числе в составе гибридных интегральных схем, Сущность изобретения: в управляемом аттенюаторе, содержащем отрезок микрополосковой линии передачи, между полоском и заземленным основанием которого в отверстиях, выполненных в диэлектрической подложке, установлены полупроводниковые диоды, подключенные к управляющей цепи, сама управляющая цепь выполнена в виде единого резистивноемкостного элемента, который установлен в том же отверстии, что и соответствующий диод, между ним и заземленным основанием. 2 ил. Аттенюатор реалрезка микрополоско между проводником ванием 2 которой в о ных в диэлектрич расположены полупр и 6, при этом в отвер со стороны входа и между диодами 5 и ос дачи 2 помещены р элементы 7.Аттенюатор работает с зом,изован на основе отвой линии передачи, 1 и заземленным оснотверстиях 3, выполненеской подложке 4, оводниковые диоды 5 стиях, расположенных выхода аттенюатора нованием линии пере-, езистивно-емкостные Полупроводниковые диоды подключек проводнику 1 посредством перемычки Разделение СВЧ и НЧ цепей аттенюатораосуществляется при помощи конденсаторов 9, Управляющее напряжение подводится через дроссель 10 к проводнику 1 и подается на диоды 5 и 6. Режим диодов 6 не требует подбора, Величина тока через диоды 5 определяется сопротивлением резистивноемкостных элементов 7, Значения сопротивлений рассчитаны таким образом, что сопротивления полупроводниковых диодов 5 возрастают по мере приближения их ко входу (выходу) аттенюатора, что обеспечивает хорошее согласование аттенюатора во всем диапазоне вносимых ослаблений в широком диапазоне частот,При этом максимальное значение вносимого ослабления в этом режиме будет не менее, чем у прототипа, поскольку основной вклад в ослабление СВЧ сигнала вносят центральные диоды 6, включенные непосредственно между проводником 1 и заземленным основанием 2 линии передачи.При отсутствии управляющего напряжения (режим начального ослабления аттенюатора) полупроводниковые диоды 5 и 6 имеют большое сопротивление и вносимое ими ослабление мало. Кроме того, ввиду достаточно большого сопротивления диодов 5 в режиме начального ослабления аттенюатора, резистивно-емкостные элементы практически изолированы от взаимодействия с СВЧ полем линии передачи и не вносят дополнительного ослабления,Конструкция предлагаемого аттенюатора такова, что проводники линии передачи непрерывны и линия практически однородна, т,е. отсутствуют потери за счет переотражений от неоднородностей линии передачи,Таким образом, в заявленном аттенюаторе достигается положительный эффект снижения начального ослабления в широком диапазоне частот за счет отсутствия неоднородностей в линии передачи, выполнения управляющей цепи в виде единого резистивно-емкостного элемента, который 5 установлен непосредственно в линии передачи в том же отверстии. что и соответствующий диод, между ним и заземленным основанием.Авторами изготовлен макет предлагае- "0 мого аттенюатора на основе отрезка микрополосковой линии передачи, выполненной из фольгированного органического диэлектрика с малым значением диэлектрической проницаемости типа Ф 4-МБСФтолщиной 15 0,27 мм. В макете использованы р+и диодытипа 2 А 540 Ав количестве 8 шт, и резистивно-емкостные элементы, изготовленные по МОП - технологии, в количестве 4 шт.Макет в диапазоне 8-18 ГГц имеет началь ные потери не более 2 дБ, КСВН не более1,5 во всем динамическом диапазоне вносимых ослаблений, максимальное вносимое ослабление не менее 70 дБ,Ф ор мул а и зоб рете н и я Управляемый аттенюатор, содержащийотрезок микрополосковой линии передачи, между полоском и заземленным основанием которого в отверстиях, выполненных в 30 диэлектрической подложке, установленыполупроводниковые диоды. подключенные куправляющей цепи,отл ич а ю щи й с я тем, что, с целью уменьшения начального ослабления при сохранении диапазона реЭ 5 гулировки ослабления и КСВ в широком диапазоне рабочих частот, управляющая цепь выполнена в виде единого резистивно-емкостного элемента, который установлен в том же отверстии, что и соответствующий 40 диод, между ним и заземленным основанием.1815699 Фиг.2 Составитель П. Шуме рукТехред М.Моргентэл КоРРектоР М, Куль РедакторПроизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 101 Заказ 1639 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5