Свч-аттенюатор

19) И 1) ТЕТ СССРИ ОТНРЫТИЙ ОБ разрыв виде последо которых т выпол резка юченолнен ченных А,Панфилов8.8)ельство СССР1/22, 18.01.8ьство СССР1/22, 05 л. град. о диа- динения.01 7 держащийвые ль(54 ВЧ-А дачи ЕНЮАТОР олупроные симнию пер диоды, вклно, о т лчто, с целиост.и ампл рично СВЧ- состалупров и чью умитудведе ристики ЯТХ 1 СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТ ИЧЕСНРЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННЫЙПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕН ПИСАНИЕ ИЗ АВТОРСКОМУ СВИДЕТ(56) Авторское свидеУ 866618, кл. Н 01 РАвторское свидетел967722 кл. Н 01 Р и полупроводниконые в нее паралле ю щ и й с я тем ьшения неравномерчастотной характеэлементы связи,каждыи из которых вкллинии передачи и выпдвух резисторов, вклювательно, к внешним выводамподключен реактивный элемененный, напрнмер, в виде олинии передачи, электричесдлина которого равна 5-20для верхней частоты рабочепазона, а к общей точке содвух резисторов подключеныводниковые диоды, расположметрично или попарно-симмеотносительно входа и выходаттенюатора и число которыляет 10-ЗОХ общего числа иниковых диодовИзобретение относится к радиотехнике и может быть использовано длярегулирования проходящей СВЧ-мощности в линиях передачи приемопередающей и измерительной радиоаппаратуры.Цель изобретения - уменьшение неравномерности амплитудно-частотнойхарактеристики СВЧ-аттенюатора.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема СВЧаттенюатора.СВЧ-аттенюатор содержит линиюпередачи 1, в которую параллельновключены полупроводниковые диоды2-8. В разрыв линии передачи 1включен элемент связи 9, выполненный в виде двух резисторов 10 и 11,включенных последовательно, к внешним выводам которых подключенреактивный элемент 12, выполненный, например, в виде отрезка линии передачи, электрическая длинакоторого равна 5-20 для верхнейчастоты рабочего диапазона, а к общей точке соединения двух резисторов 10 и 1 подключен полупроводниковый диод 5, расположенный симметрично относительно входа и выходаСВЧ-аттенюатора. Разделительныеконденсаторы 13 и 14 включены в линию передачи 1 на входе и выходеСВЧ-аттенюатора, В цепях управления СВЧ-аттенюатора включенырезисторы 15-18 и блокировочныеконденсаторы.19-24,В режиме пропускания, когда токчерез полупроводниковые диоды 2-8 непротекает, сопротивление их великои СВЧ-сигнал распространяется полинии передачи 1 через реактивный элемент 12 с минимальным затуханием. В качестве реактивного элемента, кроме отрезка линии передачи,может быть также использован и конденсатор сопротивление которого врабочем диапазоне частот должно бытьмного меньше волнового сопротивления линии передачи 1.В режиме регулирования СВЧ-мощности через все полупроводниковыедиоды 2-8 протекает ток. На низкихчастотах электрическая длина меж ду точками подключения элементасвязи 9 близка к нулю и СВЧ-аттенюатор имеет малую неравномерностьамплитудно-частотной характеристики. Сопротивление резисторов О и11 выбираются равными, при этомвыполняется условие Й (3.)+Н/2=В (х) где В - зависящее от токасопротивление полупроводниковогодиода 5;В - сопротивление резисторов 10 и 11;В,- оптимальная величинаимпеданса, обеспечивающего минимальную неравномерность амплитудно-частотной характеристики СВЧаттенюатора,С ростом частоты реактивнаясоставляющая импеданса полупроводниковых диодов 2-8 увеличивается.При этом эквивалентная схема подключения полупроводникового диода 5может быть представлена как включение двух полупроводниковых диодовс удвоенным импедансом на расстоянии 8 друг от друга, что приводит кувеличению вносимого затухания,Следовательно, при подключении полупроводникового диода 5 к линиипередачи 1 через элемент .связи9 создается подъем амплитудно-частотной характеристики СВЧ-аттенюатора в области верхних частот,компенсирующий завал этой характеристики, вызванный влиянием реактивностей полупроводниковых диодов2-8.При подключении конденсатора квнешним выводам резисторов 10 и 11,величина их сопротивления выбирается разной, при этом появляетсявозможность улучшения симметрииСВЧ-аттенюатора, поскольку токичерез полупроводниковые диоды 2-4со стороны входа СВЧ-аттенюатораи токи через диоды 6-8 со сторонывыхода СВЧ-аттенюатора могут бытьподобраны независимо.Между резисторами 10 и 11 иреактивным элементом 12 имеетсязазор, заполненный диэлектриком,для уменьшения паразитной емкости между ними и для снижения,тем самым, влияния на амплитуд-,но-частотную характеристику СВЧ-аттенюатора. 0 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Ч о полупроводниковых диодов подключенных к линии передачи 1 через элементы связи 9, составляет 10-30 от общего числа полупроводЗаказ 8098/54 Тираж 637 Подписное ВНИИПИ 1 осударственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3никовых диодов в СВЧ-аттенюаторе, при этом используются полупроводниковые диоды, включенные симметрично или попарно-симметрично относительно входа н выхода СВЧ-аттенюатора,