Двухтактный эмиттерный повторитель

(Я)5 Н 03 Р 3/26 ие ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССРГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОК ПАТЕНТУ 1(56) Авторское свидетельство СССРЬ 232323, кл. Н 03 Р 3/50, 1967,Зрф "Б фд ЕТЕНИЯ 2ЫЙ ЭМИТТЕРНЫЙ П(54) ДВУХТАКТН ОВТОРИТЕЛЬ (57) Изобретение относится к радиотехнике, Цель изобретения - повышение КПД, Двухтактный эмиттерный повторитель содержит транзисторы 1, 2, цепь иэ параллельно включенных прямосмещенного диода 3 и резистора 4, генератор тока 5, резистор 6. Благодаря этому достигается гальваническая развязка первого и второоров 1 и 2 и повышение КПДьшения тока покоя, 1 ил,Изобретение относится к радиотехникеи может использоваться в устройствах автоматики, измерительной техники, радиотехнических устройствах различногоназначения.Цель изобретения - повышение КПД.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема двухтактногоэмиттерного повторителя.Двухтактный эмиттерный повторительсодержит первый и второй транзисторы 1 и2, прямосмещенный диод 3, первый резистор 4, генератор тока (ГТ) 5, второй резистор 6, шины 7 и 8 питания, входные ивыходные шины 9 и 10.Двухтактный эмиттерный повторительсодержит первый и второй транзисторы 1 и2, прямосмещенный диод 3, первый рез 1 стор 4, генератор тока (ГТ) 5, второй резистор 6, шины 7 и 8 питания, входные ивыходные шины 9 и 10,Двухтактный эмиттерный повторительрабртает следующим образом.При отсутствии сигнала на базу транзистора 1 подают потенциал, содержащийэтот транзистор 1 в начальном проводящемСОСТОЯНИИ.Величина тока покоя, протекающего через транзистор 2 и цепь из параллельновключенных диода 3 и резистора 4, выбранатакой, что падение напряжения на резисторе 4/номлнал которого сравним по порядкуноминалом нагрузки/равно напряжение отпирания диода 3, причем основная частьтока покоя протекает через резистор 4, Сама же величина тока покоя определяетсяпадением напряжения на резисторе 6, которое, в свою очередь, определяется величиной тока, формируемого ГТ 5, Такимобразом, величина тока покоя транзистора1 будет равна сумме тока, формируемого ГТ5, и тока покоя, протекающего через транзистор 2;диод 3 и резистор 4,С возрастанием амплитуды положительной полуволны сигнала проводимостьтранзистора 1 возрастает, что приводит квозрастанию тока в его эмиттерной цепи,одновременно вызывая некоторое увеличение падения напряжения на прямосмешенном диоде 3, На ту же величинууменьшается падение напряжения на прямосмещенном баэо-эмиттерном переходетранзистора 2. Однако запирания транзистора 2 не происходит,.т,к, в соответствии сзаконом Кирхгофа и ввиду постоянства величины тока, формируемого Гт 5, наряду суменьшением базового тока транзистора 2на ту же величину возрастает ток, протекающий через резиотор 6, что приводит к увеличению падения напряжения на нем ипрепятствует резкому запиранию транзистора 2,, С друой стороны, уменьшающийся базовый ток транзистора 2 будет, как минимум, на порядок меньше возрастающего эмиттерноготока транзистора 1/т,к. 1 Э =/3 ь/, поэтому уменьшающийся базовый ток транзистора 2 не приведет к какому-либо измерению режима работы транзистора 1 и, соответственно, не вызовет изменения формы выходного сигнала. С убыванием амплитуды отрицательнойполуволнь 1 сигнала потенциал на базе тран зистора 1, а следовательно, и потенциал наего эмиттере уменьшаются, Но на такую же величину уменьшается и потенциал на базе транзистора 2, т.к. транзистор 1, резистор 6 и ГТ образуют транслятор уровня, Если 20 величина тока, задаваемая ГТ 5, выбранана порядок больше величины максимального базового тока транзистора 2 при максимальной амплитуде отрицательной полуволны сигнала, тогда при максимальном башовом токе транзистора 2 падение напряжения на резисторе 2 не уменьшится на такую величину, при которой ток, протекает от эмиттера транзистора 1 через резистор 4 на выход схемы, не меняет своего знака и не становится равным нулю. При этом несмотря на запирание диода 3, шунтированного небольшим по номиналу резистора 4, потенциал на эмиттере транзистора 1, а следовательно, и на базе транзистора 2 35 не меняются, вследствие чего уменьшаютсяискажения и повышается КПД, поскольку в заявленной схеме при уменьшении тока покоя не уменьшается максимальный ток, формируемый в нагрузке, При этом величина 40 КПД предложенной схемы характерна длядвухтактных схем, работающих в режиме АВ,Формула изобретенияДвухтактный эмиттерный повторитель, со держащий первый и второй транзисторы.включающие по схеме с общим коллектором и имеющие разную структуру, делитель напряжения, перЬый вывод которого соединен с змиттером первого, второй вывод - с кол лектором второго, отвод - с базой второготранзисторов, первый резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером первоготранзистора. база которого является входом, а второй вывод первого резисто ра - выходом двухтактногоэмиттерного повторителя, о т л и ч а ю щ и й с я тем. что, с целью повышения КПД, параллельно первому резистору введен прямосмешенный диод, делитель напряжения выполнен на последовательно соединенных между его1804695 Составитель И, 4 одяхйнаТехред М.Моргентал Корректор, С. Пекарь Редактор Т. Куркова Заказ 1081 ТиражПодписное 8 НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина. 101 первым и вторым выводами втором резистсре и генераторе тока, точка соединения которых является отводом делителя напряжения, при этом эмиттер второго транзистора соединен с вторым выводом первого резистора,