Система для формирования на резисте микроструктуры

(51) ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНВЕДОМСТВО СССР1 ГОСПАТЕНТ СССР) ИСАН ИЕ ИЗС)Б РЕТЕ Н И АВТОРСКО ВИДЕТЕЛЬСТВУ льский иких иского гоВ.И.Лениаров,ахов,ститут облем ударстческие осир, 1985,те лу(56) Броудай И., Мерей Дж, Фновы микротехнологии. Мс,295 в 3.Заявка РСТ ЧЧО 88/0142кл, 6 21 К 1/06, 1989.Заявка ЕПВ М 0244504,кл. Н 01 ) 35/00, 1986,(541 СИСТЕМА ЛЛЯ ФОРМИРОВАНИЯРЕЗИСТОРЕ МИКРОСТРУКТУРЫ Изобретение относится к области рентгеновской техники и микроэлектроники иможет быть использовано при изготовлениирентгеновских дифракционных решеток методами рентгеновской литографии,Цель изобретения - увеличение разрешающей способности системы.На чертеже показана конструкция сисмы и геометрия формирования пучка изчения, попадающего на резист.Система содержит мишень 1 для генерации характеристического рентгеновскогоизлучения, шаблон 3, состоящий из пропускающих рентгеновское излучение слоев 4и отражающих слоев 5, нанесенных на подложку шаблона 6, резист 7,.,Ы 17988(57) Использование изобретения: в области рентгеновской техники и микроэлектроники. Сущность изобретения: содержит мишень для генерации характеристического рентгеновского излучения, связанный с ней шаблон в виде многоканальнои структуры, выполненный в виде чередующихся слоев из прозрачного для рентгеновского излучения материала и материала, полностью отражающегорентгеновское излучение при скользящих углах падения, меньших угла О, и эффективно поглощающих излучение при углах падения, превышающих угол 0, Размершаблона в направлении прохождения излучения выбран из условия б 1/Од 1 Й,.где О - критический угол полного внешнего отражения; б 1 - толщина слоя, прозрачного для излучения; к - показатель ослабления излучения материалом указанного слоя. 1 ил,Система для формирования на резисте структуры дифракционной решетки работает следующим образом,На мишень для генерации рентгеновского излучения направляют пучок электронов 2 (фиг. 1), Мишень выполнены из слоя материала, например меди, который нанесен на подложку шаблона. Излучение выходит из мишени в основном в направлении углов скольжения О) 0 м, где 0 м - критический угол полного внешнего отражения фотонов с энергией и а от границы раздела вакуум-слой материала мишени, Толщина слоя мишени и ее длина 2 выбраны из условия, чтобы излучение, выходящее из ми 1798816равной= б 1/О, т,е, такая, что фотоныиспытывают по крайней мере одно отражение от слоев 5.Максимальное значение толщинышаблона выбирается из условия ослабления излучения слоем, пропускающим рентгеновское излучение, и равно 1/1, где 1 -показатель ослабления излучения материалом слоя 4,Число слоев, нанесенных на подложку,выбирается равным 100-200 и более в зависимости от возможности получить гладкуюграницу раздела между слоями,Увеличение разрешающей способностисистемы достигается за счет примененияописанной конструкции шаблона, позволяющей формировать пропускающие излучение слои толщиной0,1 мкм и линии нарезисте такой же ширины.Предлагаемая система также позволяетформировать изображение дифракционнойрешетки на резисте, нанесенным на искривленную поверхность,Формула изобретенияСистема для формирования нэ резистемикроструктуры, содержащая мишень длягенерации характеристического рентгеновского излучения и связанный с ней шаблонв виде многоканальной структуры для направления рентгеновского излучения, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью увеличения разрешающей способности, мишень ишаблон размещены на общей подложкевплотную друг к другу, причем шаблон выполнен в виде чередующихся слоев из прозрачного для рентгеновского излученияматериала и материала, полностью отражающего рентгеновское излучение при скользящих углах падения, меньших угла О и40 аффективно поглощающее излучение приуглах падения, превышающих угол О, иразмершаблона в направлении прохождения излучения выбран из условияс 31/О101 А где О - критический уголполного внешнего отражения; б 1 - толщинаслоя, прозрачного для излучения; 1 - показатель ослабления излучения материаломуказанного слоя,. Заказ 774 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035. Москва, Ж, Раушская наб 4/5