Транзисторный фазоинвертор

; У Р1 ф1 НИ ОБР ПИС Д) ".г,кл. Н 03 К 5/08,ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(57) Изобретение относитсятехнике. Цель изобретенидинамического диапазоналинейности. Транзисторнысодержит транзисторы 1 и4 и каскад разделения вхвыполненный в виде делитедаче положительного напр ЗОИНВЕРТОР к усилительной - расширение при сохранении й фазоинвертор 2, резисторы 3 и одного сигнала, ля тока. При пожения на фазо 1686 б 94 А ль тока, выпол, потечет ток, овну между баостом входного огут находиться ом состоянии, а ом. Падение наи 4 при этом еличине от нуля тания, благодаический диапавертор по пп. 2 выполнения деорах, имеющих руктуру. 2 з.п. инверторе через его делите ненный на транзисторе 5 и который будет делиться пор зами транзисторов 1 и 2. С р тока транзисторы 1 и 2 м сначала в полностью закрыт затем и в полностью открыт пряжения на резисторах 3 изменяется по абсолютной в до величины напряжения пи ря чему расширяется динам зон фазоинвертора, Фазоин и 3 отличается вариантами лителя тока на двух транзист одинаковую или разную ст ф-лы, 2 ил.Изобретение относится к усилительнойтехнике и может использоваться в различных радиоэлектронных устройствах, преимущественно для формированияпротивофазных напряжений,Цель изобретения - расширение динамического диапазона при сохранении линейности,На фиг.1 и 2 представлены принципиальные электрические схемы транзисторного фазоинвертора,Транзисторный фазоинвертор содержит первый и второй транзисторы 1 и 2,- первый и второй резисторы 3 и 4, каскадразделения входного сигнала, представляющий собой делитель тока на транзисторах5 и 6 (фиг.1), 7 и 8 (фиг.2), а также шину 9питания, общую шину 10,Предлагаемый фазоинвертор (фиг,1) работает следующим образом.При подаче на вход относительно общей шины 10, соединенной с эмиттеромтранзистора 1, положительного напряжения через делитель тока, образованныйтранзисторами 5 и 6, течет ток, которыйделится поровну между базами транзисторов 1 и 2, если транзисторы 5 и 6 имеютодинаковые и достаточно большие коэффициенты передачи тока базы, Такое одинаковое деление входного тока обеспечиваетсяпоследовательным соединением переходовбаза-эмиттер транзисторов 5 и 6, так как ихбазовый ток имеет при этом одинаковуювеличину. Поэтому коллекторные токи транзисторов 5 и 6 равны и можно считать, чтотоки баз транзисторов 1 и 2 примерно одинаковы, поскольку отличаются только на величину базового тока транзисторов 5 и 6.Вследствие равенства токов баз транзисторов 1 и 2 у этих транзисторов одинаковы итоки коллекторов, поэтому если сопротивления транзисторов 3 и 4 равны, то на нихбудут примерно одинаковые падения напряжения, Так как с ростом входного токатранзисторы 1 и 2 находятся сначала в полностью закрытом состоянии, а затем и вполностью открытом, падение напряженияна резисторах 3 и 4 при этом изменяется поабсолютной величине от нуля до величинынапряжения питания, благодаря чему и расширяется динамический диапазон фазоинвертора. Входной ток фазоинверторапропорционален входному напряжению,которое уравновешивается падением напряжения на сопротивлении резистора 4, ападение напряжения на коллекторном переходе транзистора 6, равное падению напряжения на резисторе 4, обеспечивает протекание через базу транзистора 1 тока, равного току базы транзистора 2, При этомвыходе она на такую же величину уменьшается и, наоборот,5 Работа фазоинвертора,схема которогоизображена на фиг.2 отличается только принципом деления входного тока между. базами транзисторов 1 и 2. Переходы базаэмиттер транзисторов 7 и 8, образующих 10 40 50 15 20 25 если на одном выходе напряжение возрастает на некоторую величину, то на другом делитель тока по схеме токового зеркала,соединены параллельно, поэтому их коллекторные токи будут одинаковы в случае выполнения двух условий: при равенстве коэффициентов передачи тока базы и при равенстве входных сопротивлений, При этом ток базы транзистора 2 состоит, кроме коллекторного тока транзистора 7, из удвоенного тока базы транзистора 7, если считать ток его базы равным току базы транзистора 8. Таким образом, асимметрия токов баз транзисторов 1 и 2 (фиг.2) несколько больше, чем токов баз транзисторов 1 и 2 (фиг,1), так как через базу транзистора 2 (фиг.1) протекает эмиттерный ток транзистора 5 (фиг.1), который больше коллектор- ного тока только на единичный ток базы. Формула изобретения 1. Транзисторный фазоинвертор, содержащий первый и второй транзисторы, имеющие одну структуру, причем коллектор первого транзистора является первым вы- ходом транзисторного фазоинвертора и через пе,)вый резистор соединен с шиной питания, а эмиттер - с общей шиной, эмиттер второго транзистора является вторым выходом транзисторного фазоинвертора и через второй резистор соединен с общей шиной, а коллектор - с шиной питания, а также каскад разделения входного сигнала,первый и второй выходы которого подключены к базам соответственно первого и второго транзисторов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения динамического диапазона при сохранении линейности, каскад разделения входного сигнала выполнен в виде делителя тока.2, Фазоинвертор по п,1, о т л ич а ющ и й с я тем, что делитель тока выполнен на транзисторах, имеющих одну структуру, противоположную структуре первого и второго транзисторов, эмиттеры транзисторов делителя тока соединены и являются входом делителя тока базы соединены между собой и с коллектором одного из транзисторов, являющимся выходами делителя тока и при этом подключен к базе второго транзистора, коллектор другого транзистора, является выходом делителя тока и подключен кбазе первого транзистора.аказ 3611 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж; Раушская наб., 4/5 изводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 1 3. Фазоинвертор по п.1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что делитель тока выполнен на двух транзисторах, имеющих разную структуру, базы которых соединены, а эмиттер одного и коллектор другого транзисторов соединены и являются входом делителя тока, причем коллектор транзистора, имеющего другую структуру относительно структуры первого и второго транзисторов, является одним выходом делителя тока и соеди нен с базой первого транзистора, эмиттед другого транзистора, структура которого со ответствует структуре первого и второотранзисторов, является другим выходом делителя тока и подключен к базе второго транзистора.