Способ управления параметрами электромагнитного излучения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1622955
Авторы: Кабыченков, Шавров, Шевченко
Текст
под большим углом к доменным границам ( и /2) .На чертеже изображено устройство для осуществления способа.Устройство для осуществления способа содержит пластину магнетика 1, источник 2 акустической волны, и поглотитель 3 волны.Устройство работает следующим образом.Источник возбуждает в магие ютике волну, которая создает магнитную ДС. Излучение дифрагирует наэтой структуре, 15При прохождении или отражении ЭМИчерез магнетик в данном случае могутизменяться следующие параметры: амплитуда, пространственное распределение интенсивности, поляризация, частота и другие необходимые параметры,Период ДС в данном случае определяется периодом ЗВ и может изменяться в широких пределах от микрондо сантиметров. Дифракционная эффективыость не зависит от величиныпериода, поскольку изменение периодане связано с изменением нормальнойкомпоненты намагниченности, Звуковая волна сама перестраивает магнитную структуру, создавая зародьппи новой фазы в области источника ЗВ и уменьшая "сухое" трение магнитного момента, обусловленное дефектами, Это обеспечивает плавность перестройки периода доменной структуры в широком диапазоне и увеличивает быстродействие. Диапазон существования полосовой доменной структуры ограничен снизу пределом прочности 4 О материала, в сверху - размерами магнетика (С Ь, где- длина звуковой волны; 1 - размер образца в продольном ывправлении).В магнетике могут быть возбуж деыы ыесколько упругих волн, Например, для двух взаимно перпендикулярных волн отклонение луча ЭМИ может осуществляться в двух направлениях, Изменение амплитуды волны позволяет50 получать ДС различного профиля. Например рля малых амплитуд изменение намагиичеыыости будет близким к синусоидальному. Дифракция ЭМИ на такой.ДС дает только два боковых максимума н подавляет нулевой максимум,Ф что увеличивает эффективность управления параметрами ЭМИ, При возбуждениив магнетике поперечной волны такжеобразуется ДС Намагниченность в данном случае будет отклоняться от направления распространения волны впротивоположные стороны на соседнихполовинах длины упругой волны, С ростом амплитуды волны угол отклонениябудет увеличиваться, стремясь к предельному значению Т/4,Возбуждение в магнетике поверхностной волны приводит к образованию поверхностной ДС, Дифракция ЭМИ на поверхностной ДС происходит так же, каки на объемной,. Изменение формы и периода ДС позволяет эффективно управлятьпараметрами излучения,. В пластине вовнешнем магнитном поле, имеющем компоненту, нормальную к ее поверхности,возникает доменная структура, периодкоторой зависит от величины поля, Наличие в пластине двух магнитных решеток с различной магнитной структуройи управляемых разными параметрами рас.ширяет область применения способа иустройства, например, в результатесмешивания двух сигналов,Таким образом, данное техническоерешение обеспечивает эффективноеуправление параметрами ЭМИ в широкомдиапазоне, причем изменение однихпараметров не влияет на другие параметры,Формула изобретения1, Способ управления параметрамиэлектромагнитного излучения, заключающийся в возбуждении в магнетикеакустической волны и пропусканиичерез него электромагнитного излучения, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения эффективности, перед возбуждением в магнетикеакустической волны его переводят вточку ориентационного фазового перехода, а линейный размер магнетика выбирают больше длины акустическойволны, причем в магнетике возбуждаютбегущую акустическую волну.2, Способ по и, 1, о т л и ч а -ю щ и й с я тем, что магнетик помещают в однородное ма 1:итное поле,имеющее компоненту, нормальную к егоповерхности,1622955 Составитель В. КудрявцевТехред М.Дидык Корректор С. Черни Редактор С. Пекарь Заказ 115 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открьггиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 101
СмотретьЗаявка
4637630, 24.11.1988
ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН СССР
КАБЫЧЕНКОВ АЛЕКСАНДР ФЕДОРОВИЧ, ШАВРОВ ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ, ШЕВЧЕНКО АНДРЕЙ ЛЕОНИДОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H04R 15/00
Метки: излучения, параметрами, электромагнитного
Опубликовано: 23.01.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1622955-sposob-upravleniya-parametrami-ehlektromagnitnogo-izlucheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ управления параметрами электромагнитного излучения</a>
Устройство дан измереш1я параметгов магнитной головкиiизобретение относится к магеитной записи, а именно к устройствам для измерения параметров магнитной головки. изебстны устройства для измерения параметров ма
Номер патента: 433531
Опубликовано: 25.06.1974
МПК: G11B 5/455
Метки: головки, головкиiизобретение, дан, записи, изебстны, измереш1я, магеитной, магнитной, относится, параметгов, параметров, устройства, устройствам
...4 воспроизведения, подключенным к а полосовым фильтрам 5. Полосовыефильтры через пиковые детекторы б подсоединены к блоку 7 сравнения напряжений, подключенному к индикаторам (на чертеже не изображенй Один из фильтров евыделяющий сигнал,наиболее чувствительный к точной юстировке головки, связан черасилитель 8 с механизмом поворота.оследний изменяет скорость пЬво3роте головка В Обратной зависимости пО Отнойению е изменению эм плитуды ВОсщюизведенеОГО сигиалВВ процессе измерения иссл 6 дувмую головку поворачивают таким ОбРазомрчто сигналрВОСЩюизводимый ею с малытной ленты, увеличивается за счет приближвнйя к положению точной юстировки, При Этом с фильтров поступают сигналы разных частот, амплитуды которых запоминаются пиковыми...
Устройство для управления параметрами электромагнитного излучения
Номер патента: 357634
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Альтшулер, Кац, Научно, Ревзин, Физики
МПК: H01P 3/20
Метки: излучения, параметрами, электромагнитного
...распространения излучения в пластине полупроводника. 2руктивная авлена консустройства,колебания суббуждаются вПадаюгцее цатся ца полупольку в волцопрострацяетсятеняет направ тет изобретен миллимет- квазиоптизеркало 2 25 роводциководе повыплоская ление рас 30 ния параметрамц гия, состоящее цз поводов, имеющих которой помещена а, и упрдвляющетем, что, с целью для управле тцого цзлуче тцческих вол ъ, в отверстие ковая пласти отличающееся Устроцство электромагцц двух квазиоц общую стенк полупроводци го магнита, На чертеже предстсхема предлагаемогоЭлектромагнитныерового диапазона возческом волноводс 1.излучение цацравлясвую пластину 3 (носкшенного сечения расволна, то зеркало извпространения на 90),Таким образом, направление...
Устройство для определения поляризационных параметров импульсного излучения
Номер патента: 1130777
Опубликовано: 23.12.1984
Авторы: Александров, Асиновский, Мельцин
МПК: G01N 21/21
Метки: излучения, импульсного, параметров, поляризационных
...соединенную с системой обработки и управления, причем в одном иэ каналов перед анализирующим поляризаторомрасположена четвертьволновая пластинка, перед анализирующими поляризаторами, а в канале, содержащем четвертьволновую пластинку, передчетвертьволновой пластиной дополнительно установлены светоделительные элементы так, что на кажцыйфотоприемник падает излучение, соответствующее одному и тому жеучастку волнового фронта излучения,каждый анализирующий поляризаторснабжен устройством синхронного разворота соединенным с системой обработки и управления, источник излучения выполнен перестраиваемым подлине волны, и снабжен индикаторомдлины волны, соединенным с системойобработки и управления, а перед эа"дающим поляризатором размещен...
Устройство для стабилизации параметров импульсов излучения полупроводникового лазера
Номер патента: 1628116
Опубликовано: 15.02.1991
МПК: H01S 3/133
Метки: излучения, импульсов, лазера, параметров, полупроводникового, стабилизации
...корректировка усиления в уси)п 1(5 тте 1 импульсов тока, т.е, осуществляетсь стабилизация амплитудных световыхП 1 У)1.СОВ.Стабилизация времеиОго положенияимпульса происходит следующим образом.11 чтч 152 ь 21 код на )зыходе ЦАП задат величну тока постоянного смещения Т . Если времена прихода импуль 2сов цл первьт и второй входы приоритт0 дискриЛГцлтсра 7 (после приход;2;миульса ца вход "Сброс" прио. ри Г, тцс)1 о 2 тск 1.тйлторл) разлтчаютс я то тр 021(,"лоит ( 1);1 б;1 тывацие при 5и Г т) гс) 2 искртт 22 лторл и изменя.тг я ц(1 дицпу код ца входе 11 Л 11 9, т . Гзмсцяся постоянное смещение 1 .;, Лра цл ветичпу Ь 1 . результ,(т 121,ржка генерации в лазере измляется сог)лспо формуле (1) и рл )и)стт времц прихода импульсоверыи и...
Устройство для определения знака изменения разности фаз двух синусоидальных колебаний
Номер патента: 203776
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: G01R 25/00
Метки: двух, знака, изменения, колебаний, разности, синусоидальных, фаз
...преобразования частоты с отдельным термостатировацным кварцевым гетеродином сложно по конструкции и требует использования сложньх осциллоскопических регистраторов.Предлагаемое устройство позволяет опреде. лять знак изменения разности фаз двух синуссидальных колебаний с частотой от нескольких герц до сотен мегагерц прп скорости изменения разности фаз от долей рад 1 сек дс 10 а - 10 о рад/сек,Достигаешься это тем, что межд выходамч фазовых детекторов и индикаторной частью включено селекторное устройство, состоящее из двух параллельных схем И, соединенных через триггер с каскадом совпадений, включенным между выходом основного фазового детектора и индикатором.Кроме того, для исключения ошибок из-за неисправности прибора между выходом...
Предыдущий патент: Устройство для пространственной фильтрации изображений
Следующий патент: Монтажная стойка
Случайный патент: Композиция для получения углеродной основы под силицирование