Устройство для управления параметрами электромагнитного излучения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
357634 Союэ Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства,Заявлено 17.1 Ч.1971 ( 1647594126-9)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 31.Х.1972. Бюллетень33Дата опубликования описания 29.Х 1,1972 Кл. Н 01 р 3 20 Комитет по делам эобретвний и открыти при Совете Министров СССРДК 621.372.43(088.8) Автор 1 О. Г. Альтшулер изобретенияЗаявитель ац и Р. М. Ревз аучно-исследовательскии институт механики и ф при Саратовском государственном университет ик ТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПАРАМЕТРАМ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯИзобретение относится к области рддцотех.пики субмиллцметрового диапазона, а именнок устройствам, позволяющим менять амплитуду, фазу и поляризацию,Известные устройства для управления параметрами электромагнитного излучения, состоящие из двух квазиоптических волцоводов,имеющих обьцую стенку, в отверстие которойпомещеца полупроводниковая пластина, и управляющего магнита, имеют большие габариты.В предлагаемом устройстве, с целью уменьшения габаритов, в каждом из волцоводов вобласти 1)асположеция полупроводниковойпластины установлены отражающие зеркала 15под углом 45 к оси волцовода таким образом, что направленце вцешцего магнитногополя совпадает с направлением распространения излучения в пластине полупроводника. 2руктивная авлена консустройства,колебания суббуждаются вПадаюгцее цатся ца полупольку в волцопрострацяетсятеняет направ тет изобретен миллимет- квазиоптизеркало 2 25 роводциководе повыплоская ление рас 30 ния параметрамц гия, состоящее цз поводов, имеющих которой помещена а, и упрдвляющетем, что, с целью для управле тцого цзлуче тцческих вол ъ, в отверстие ковая пласти отличающееся Устроцство электромагцц двух квазиоц общую стенк полупроводци го магнита, На чертеже предстсхема предлагаемогоЭлектромагнитныерового диапазона возческом волноводс 1.излучение цацравлясвую пластину 3 (носкшенного сечения расволна, то зеркало извпространения на 90),Таким образом, направление распространения волны совпадает с направлением магнитного поля электромагнита 4. Вследствие происходящих в полупроводниковой пластине 3 магцитоплазменных эффектов, т, е, зависимости параметров распространения волны от величины приложенного магнитного поля, электромагнитное излучение, прошедшее через полупроводниковую пластину 3, характеризуется изменением амплитуды, фазы и угла поляризации,Конкретное изменение того илц иного параметра определяется соотношением между параметрамц полупроводниковой пластины 3 и величинй магнитного поля.Зеркало 5 еще раз изменяет направление излучения, прошедшего через полупроводниковую пластину 3, ца 90, и излучение распространяется через волновод б в виде плоской электромагнитной волны.. Богдаио тыг Заказ 3846(16 Изд.1624 Тираж 406 ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СМосква, Ж, Раушская паб., д, 4/5 Поди испо те Министров СССТипография, пр. Сапунова,уменьшения габаритов, в каждом из волноводов в области расположения полупроводниковой пластины установлены отражающие зеркала под углом 45 к оси волновода таким образом, что направление внешнего магнитного поля совпадает с направлением распространения излучения в пластине полупроводника.
СмотретьЗаявка
1647594
Ю. Г. Альтшулер, Л. И. Кац, Р. М. Ревзин, Научно исследовательский институт механики, физики при Саратовском государственном университете
МПК / Метки
МПК: H01P 3/20
Метки: излучения, параметрами, электромагнитного
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-357634-ustrojjstvo-dlya-upravleniya-parametrami-ehlektromagnitnogo-izlucheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для управления параметрами электромагнитного излучения</a>
Устройство для измерения индукции магнитного поля
Номер патента: 618702
Опубликовано: 05.08.1978
Авторы: Выгон, Морозов, Романов, Слезов, Шалфеев
МПК: G01R 33/00
Метки: индукции, магнитного, поля
...близости от чувствительного элемента. Блок формирования градиентного магнитного поля 5 выполнен в виде электромагнитов. Вся конструкция жестко зафиксирована в корпу се 6 и помешена в цилиндр 7 из немагнитного материала, который соединяется с измерительным прибором и источником света (например, лазером) с помощью световодов 1, помещенных в гибкий металлический рукав 8.Устройство работает следующим образом. В магнитооптическом чувствительном элементе 2 при отсутствии внешнего магнитного поля образуется система параллельных полосовых доменов, направление которых 25 совпадает с проекцией оси слабого ферромагнетизма на плоскость пластины. Как показано на фиг. 2, при помещении такой пластины в постоянное магнитное поле Н, образованное...
Способ измерения напряженности магнитного поля в плазме при поперечном зееман-эффекте
Номер патента: 1690531
Опубликовано: 20.07.1996
Автор: Смолкин
МПК: H05H 1/00
Метки: зееман-эффекте, магнитного, напряженности, плазме, поля, поперечном
1. Способ измерения напряженности магнитного поля в плазме при поперечном Зееман-эффекте, включающий формирование поперечного потока излучения плазмы из области измерения магнитного поля, выделение потока излучения используемой спектральной линии с длиной волны 0 и полушириной разделение потоков излучения p и компонентов спектральной линии с помощью поляризаторов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений и временной разрешающей способности, а также...
Устройство для измерения направления вектора напряженности магнитного поля
Номер патента: 220530
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: G01R 33/02, G01V 3/40
Метки: вектора, магнитного, направления, напряженности, поля
...измеряемого поля Н и снабженный лишь одной парой вторичных обмоток 8 и 9 (фиг. 2). Обмотки возбуждения измерительного 1 и эталонного 7 датчиков включены последовательно. На эталонном датчике размещена также обмотка 10 подмагничивания, которая питается постоянным током и создает магнитное поле Н, посгоянное по величине и направлению. Поэтому выходное напряжение эталонного датчика 7 1/вых, ИМЕЕТ ОПРЕДЕЛЕННЫЙ ПОСтОЯННЫй УГОЛ сдвига р относительно опорного напряжения 1 олПри воздействии на измерительный датчик 1 магнитного поля Н на выходных обмотках 4 и б датчика появляются напряжения удвоенной частоты lх и с которые подаются на фазосдвигающее устройство б и сдвигаются на 90 относительно друг друга, Затем эти сдвинутые по фазе напряжения...
Устройство для определения направления магнитного поля
Номер патента: 536444
Опубликовано: 25.11.1976
Авторы: Брайко, Гринберг, Таранов, Чигирин
МПК: G01R 33/00
Метки: магнитного, направления, поля
...4оминающими элементами, конденсатора,правляемого делителя б, подключены квыходному прибору 7. В свою очередь, фазочувствительный элемент 8, блок управлекия 9,второй делитель 10 .и коммутационный генератор 11 соединены с разными входами и выходами автоматического, переключателя 3,Введенные же в устройство амплитудные детекторы 12, 18 и схема сравнения 14 соедпне 25 ны с коммутационным генератором, вторымделителем и определителем направления 15постоянного магнитного поля,Сигнал с датчика Холла, пройдя через,переключатели, запоминающий конденсаторЗО 5 и делитель б, попадает на выходной приборПоди псноСССР Тираж 1029овета Минпстоткрытийаб д. 4/5 Изд. Ме 309арствснного комитетапо делам изобретениймосква, Ж-З 5, Раушская Тип. Харьк. фил....
Способ определения структуры, величины и неоднородности внутреннего магнитного поля магнитоупорядоченных кристаллов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1272205
Опубликовано: 23.11.1986
МПК: G01N 27/82
Метки: величины, внутреннего, кристаллов, магнитного, магнитоупорядоченных, неоднородности, поля, структуры
...точностью до ЛН. Изменение амплитуды прошедшего импульса А - А(НЦ. аН ь 2, где А, амплитуда вдали от резонанса, А(Н) амплитуда при данном значении поля. Если Р(2) - функция распределения внутреннего поля в направлении распространенна звука, то у(Н) 1 1 А, -А1 с 1 = 2(Н). Обратная функция 2 (Н) дает одномерное распределение внутреннего поля в направлении распространения звука. Таким образом, способ заключается в определении с помощью акустической волны и линейно меняющегося магнитного поля спектра магнитоакустического резонатора (зависимости амплитуды прошедшего импульса от внешнего поля А(Н), интегрировании этого спектра и определении обратной функции, представляющей собой распределение внутреннего поля на половине длины кристалла....
Предыдущий патент: Предельный аттенюатор
Следующий патент: Квазиоптическое устройство
Случайный патент: Болт