Пространственно-временной модулятор света

(51)5, 6 02 Р 1/О ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР 10 .:,:,ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕПЬСТ 14-25 ляторталл Бюл. У 35ной и Т.Н,Шерстнева А.А, и др. Пространсте электрооптические мо а для систем оптичесинформации, ОМП, 1984,И, и др, Исследовааписи изображений Изобретение относится к техний Физике. Цель изобретенияличение дифракционной эффективносменьшение управляющих напряжерасширение спектрального диапаи мощности модулируемого излучеПространственно-временной моду 7 че иний,з я. Изобретение относится к т кой физике, а именно к устро Целью и чение дифр уменьшение расширение ниче твам етения явля онной эффек ется увелитивности ряжений, диапазона и и пения оптическим излучени оптической обработки инм правляющих н; пектрального ули ру е мо го ицеле ормаи может быть и и ввода в щности спользова альном ма длятабе у е ня а схема а а чертеже едставле о в ни двумерньо-оптическ дулятора Простиз обр аже нисистемы об в когееннфо отки енно-в 8 е е шой модт асти у к и ст пл а ации. ержит(56) Бережнойвенно-временньдуляторы .светкой обработки9 11, с, 52.Андрианование устройствана основе крис(54) ПРОСТ РАНСЛЯТОР СВЕТА алла магнониобата свин- электроника, 1975, 52-155,ТВЕННО-ВРЕМЕННОЙ МОДУсвета содержит пластину криса срез а, соотв ет ствуюше го мак симальному поперечному электрооптичес- кому эффекту, с прозрачщи электро" дом, нанесенным на нее с одной стороны, и диэлектрическим зеркалом - с другой, пластину фотополупроврдника с прозрачным электродом с одной стороны и источник электрического напряжения, подключенный к прозрачным элек- тродам. Для достижения цели в модулятор введена стеклянная металловолоконная шайба, кОторая металлическими жилами приклеена к пластине электро- оптического кристалла со стороны диэлектрического зеркала и к пластине фотополупроводника со стороны свободной поверхности. Металлические жилы шайбы выступают над поверхностью ее стеклянного тела на расстояние, не меньшее толщины оптического клея, а диаметр жил и шаг их заполнения в стеклянной шайбе меньше минимального периода пространственной решетки информативного сигнала. 1 ил, 3 1594478ЭО среза, соответствующего максимальному поперечному электрооптическому эффекту, на одну поверхность которогонанесены прозрачный электрод 2, а надругую - диэлектрическое зеркало 3 ислой Фотополупроводника 4 с.прозрачным электродом 5, Эти пластинь приклеены с двух сторон к стеклянной шайбе 6 с впаянными металЛическими жрча- Оми 7.Модулятор работает следующим образом.Темновое сопротивление слоя Фотэ-полупроводника выбирается так, чтов отсутствие записывающего (информативного) изображения на слое Фотополупроводника все напряжение от внешнего источника падает на этом слое,т,е. напряжение на кристалле в этом 2 Ослучае отсутствует. При проектировании изображения на поверхность фотополупроводника его сопротивление пространственно модулируется в соответствии с пространственным распределением 25интенсивности света в изображении,Это приводит к тому, что на кристаллпопадает напряжение от внешнего источника тем больше, чем больше интенсивность света в данной точке изображения.Напряжение на кристалл попадает локально через металлические жилы стек.лянной шайбы, т.е. электрический потенциал на,поверхности кристалла име 35ет дискретную структуру в отличие отструктуры самого изображения. Приэтом величина локального потенциала,приложенного к кристаллу, зависит отинтенсивности света в данной точкезаписываемого изображения, а электрическое поле в объеме кристалла существенно неоднородное, но с круговой симметрией, Так как срез кристалла в устройстве соответствует максимальномупоперечному электростатическому эффекту, то изменение показателя преломления в этом кристалле наблюдается только за счет поперечных сосТавляющих поля, Поэтому в данном случае изменениедвупреломления кристалла происходттолько за счет затяжки электрическогополя за геометрические размеры жилышайбы,В связи с этим диаметр жилы в шайбе выбирается минимально возможным,55В пределе наиболее выгодным следует считать тсчечный контакт жилы с поверхностью кристалла. Для передачифрагментов информативного изображениябез искажений шаг заполнения штырей вшайбе должен быть меньше, чем минимальная пространственная частота, содержащаяся в этом фрагменте, Тольков этомслучае отсутствуют потери информации в процессе пространственноймодуляции. При этом, так как информативное изображение передается, наповерхность кристалла в виде дискретного значения потенциала значительно меньшего размера, чем период информативной решетки, то ориентациявекторов этой решетки в этом изображении для его последующего воспроизведения .при считывании не имеетзйачения, Кроме того, за счет дискретизации электрического потенциалапоявляется возможность воспроизведения нулевых пространственных частот,формул а из обретенияПространственно-временной модулятор света, содержащий пластину кристалла среза, соответствующего максимальному поперечному электрооптическому эффекту, с прозрачным электродом, нанесенным на нее с одной сторо- . ны, и диэлектрическим зеркалом - с другой, пластину фотополупроводника с прозрачным электродом с одной стороны и источник электрического напряжения, подключенный к прозрачным электродам,о т .л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью увеличения дифракционной эффективности, уменьшения управляюп;их напряжений, расширения спектрального диапазона и мощности модулируемого излучения, в него дополнительно введена стеклянная металловолоконная шайба, которая металпическими жилами приклеена к пластине электрооптического кристалла со стороны диэлектрического зеркала и пластине Фотополупроводника со стороны свободной поверхности, причем металлические жилы шайбы выступают над поверхностью ее стеклянного тела на расстояние, не меньшее, чем толщина оптического клея, а диаметр жил и шаг их заполнения в стеклянной шайбе выбраны меньше минимального периода пространственной решетки информативного сигнала,1594478 Корректор Заказ 282 Т Государ еныого коми 13035, Моск енно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 10 роизвод Составитель А.11 арфен Редактор М,Бланар 7аа 466ета по изобретенияма, Ж, Раушская на Подписноеоткрытиям при ГКНТ СССР д. 4/5