Способ магнитного контроля изделий

(19) (117 0127 7 О НИЕ ИЭОБРЕ ИЯ СКОМУ ДЕТЕЛЬСТ гнитно ных дефНераэрутериало1964, с и 7 Изобретениещему контрол ефек тногошью ленточе поле на пделия (напр ерхнос з ычитаяефекта методом и можвт при обнаружении магнитных иэдел внешне поле, получаютлогичные измерениН 02 получая Н 2Н 1 - Нсе --- -=ЬН пол ровыполняют ычисляют Е 1, ,при соединениях, фЦель изобре товерности кон ния раскрытияНа фиг, и зависимостей и ственно малого тношен.экспе роля эа с редел ефекта.иэображеньлей дефектои большого чем болььше Н. зависимоснности нарине дефек афикиоответментально установлено, чт ше ширина дефекта, тем бо На фиг1 показан характер ти поля дефекта от напряж магничивающего поля при ш та менее 0,02 мм. Как в Н) 40-60 А/см наклон кри скрытия ничива щего поля;я зависимость,ствляют слет вел чины нам3 - град об контр ровочя осущ на фиг Спощн й по отазом ующимВнач й объектолем, сого поля ошенню к ос а фиг2 - а ри ширине д ле ко олируемтояннымь внешн вают пос ряженнос а гничая на выше 0,2 мм,между ЬН, и ефекта показаадеую" ости объекта, не Н, = Н Измерив еющег зульт орреляционна ной (раскрь свяием) пове ктов ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИПРИ ГКНТ СССР(56) Зацепин Н.Н., 7 Цербинин В,Е,некоторых особенностях топографии поля рассеяния поверхн в в ферромагнитных пол ие методы контроля маизделий, И,; ОНТИприбо -277,(54) СПОСОБ МАГНИТНОГО КОНТРОЛЯ ИДЕЛИЙ тносится к нера ру изделий магнитным быть использовано дефектов в фер иях (прокате, сварныхсонных изделиях). ния - повышение дос(57) Изобретение относится к неразрушающему контролю изделий магнитнымметодом и может быть использованопри обнаружении дефектов в ферромагнитных изделиях (прокате, сварныхсоединениях, фасонных иэделиях). Цельизобретения - повышение достоверностиконтроля - достигается путем определения раскрытия дефекта, Иэделие намагничивают дважды, регистрируя поледефекта при различных значениях напряженности поля, По относительномуизменению поля дефекта и градуировочной зависимости определяют раскрытиедефекта, 3 ил. о локального датчик абсцисс уменьшается,алогичная зависимостьна фиг.З, откуда следует, что с рос"том ширины дефекта ЬН возрастает,Для осуществления способа используют П-образный электромагнит, обмотка которого питается постоянным током, и преобразователь поля,Градуировочная кривая построенадля дефекта определенной глубины.В общем случае аН,1 связано с раскрытием (относительной шириной дефекта),Для построения кривой (фиг.З) использовались эталонные образцы с дефектами известного раскрытия,П р и м е р 1. Контролировали образец иэ стали 09 Г 2, представляющийсобой два состыкованных торцовымиповерхностями и плотно прижатых струбциной бруска размерами 100 х 40 х 8 мм(имитация дефектов сварки трением),Предварительно на бездефектном брускеразмерами 200 х 40 х 8 мм подбирали режиммы намагничивания, соответствующиеНо60 А/см и Но= 80 А/см, Измерение горизонтальной составляющей результирующего поля выполняли с помощью комбинированного прибора Щ 4311,Поле дефекта определяли как разностьрезультирующего и внешнего полей, Вычисления показали ЬН,1 = 0,15.П р и м е р 2, Между.стыкуемыми поверхностями описанных образцов укладывали неферромагнитную прокладкутолщиной 0,6 мм, имитировавшую дефектбольшого раскрытия. Измерения и выполненные затем вычисления показали,что ЬН 1 1,55,Исследования показали, что наиболее достоверные данные о раскрытиидефекта получаются в случае выбора 40значений напряженности поля в диапазоне 60-80 А/см.Таким образом, предложенный способпозволяет производить разбраковку контролируемых изделий не только по величине поля рассеяния дефекта, цо и по раскрытию последнего; что повышает достоверность контроля,Формула изобретения1,Способ магнитного контроля изделий, включающий намагничивание контролируемого иэделия постоянным магнитным полем н регистрацию поля дефекта,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повышения достоверности контроля за счет определения раскрытиядефекта, дважды намагничивают эталонные иэделия с различным раскрытиемдефектов и контролируемое иэделие приразличных значениях напряженности постоянного магнитного поля, регистрируя при этом поля дефектов, определяют относительное изменение поля дефектов контролируемого изделия, причем раскрытие дефекта в контролируемом иэделии определяют по величинеотносительного изменения поля дефекта контролируемого изделия и градуировочной зависимости раскрытия дефекта в эталонных изделиях от относительного изменения поля дефекта в них,а относительное изменение поля дефекта контролируемого изделия определяютиз соотношенияНдНС 1ЬН,1 = - - Но, - Но,где Н 1 - относительное изменениеполя дефекта контролируемого иэделия;Н 1 ,Н,1 - поля дефектов контролируемого изделия при напряженности намагничивающего по-.стоянного магнитного поляН,и Н соответственно,2,Способ по п,1, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что значения напряженности намагничивающего постоянногомагнитного поля выбирают в интервале60-80 А/см.1567964 Составитель С,Шумил Техред Л.Сердшкова ка орректор С. Яекмар едактор М,Келемеш разк 5 Заказ 1319 одписно 1изводственно-издательский комбинат "Патент", г. Укг ул. Гагарина, 101 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5