Высоковольтный газоизолированный ввод

0 СООЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН 9) (11) 51)5 Н 01 В 17/2 ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ДЕТЕЛЬСТ ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯРИ ГКНТ СССР(71) Всесоюзный электротехнический институт им. В.И.Ленина(56) Дмитриевский В.С. Расчет и кон- струированиИ изоляции. И.: Энерго- издат, 1981, с. 193Линейные и трансформаторные элегазовые вводы. /Сысоев М.И. и др. Изоляция электрооборудования высокого напряжения и вентильные разрядники. Труды ВЭИ, 1982, вып. 91, с. 116. Изобретение относится к электротехнике, а именно к устройству высоковольтных вводов для трансформаторов и элегазовых комплектных распредустройств.Целью изобретения является повы шение электрической прочности внешней изоляции ввода.На чертеже изображен элегазовый ввод.Элегазовый ввод состоит из токо- ведущего проводника 1, заземленного установочного фланца 2, соединяюще" го фарфоровую покрышку 3 с ребрами и гладкую покрышку 4. На внешнюю поверхность покрышки в районе 1 - З-го. ребер нанесено полупроводящее покрытие 5, которое может не иметь гальва" нического контакта с проводящими де"талями ввода.Высоковольтный газоизолированный ввод работает следующим образом. 54) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ГАЗОИЗОЛИРОВАНЫЙ ВВОД(57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использованов трансформаторах комплектных элегазовых распредустройств. Цель изобретения - повышение электрическойпрочности внешней изоляции вводаЧасть диэлектрической покрышки газонаполненного ввода покрыта полупроводящим покрытием, при этом покрытиеможет не иметь гальванического ксн.такта с проводящими деталями ввода.1 ил,При воздействии напряжения на внешней поверхности покрышки 3 про" исходит два взаимоисключающих процесса: образование поверхностных зарядов и их релаксация. При наличии полупроводящего покрытия 5 процесс релаксации ускоряется. Когда скорости образования поверхностных зарядов и их релаксации уравняются, электрическое поле на границе раздела твердого диэлектрика и воздуха будет только геометрией и габаритами ввода.Удельное объемное сопротивление покрытия 5 должно быть таким, цтобы покрытие не искажало основного поля ввода и цтобы постоянная времени релаксации поверхностных зарядов была меньше длительности воздействующего импульса или полуволны переменного напряжения;где О " циклическая частота воздействующего напряжения;Я " диэлектрическая проницаемостматериала покрытия;= 8,85 10Ф/м - диэлектри-.ческая проницаемость вакуума;ь - постоянная времени релаксацииповерхностных зарядов, мень"шая длительностиГимпульса или 10полуволны переменного напряжения.Если й 6то покрытие будетс-оискажать основное поле ввода, а еслиЛюрч - , то заряды не успеют- релак Ь-р 1сировать за время воздействия, что также приведет к искажению основного поля ввода. Вследствие этих искажений О желаемый эФФект достигнут не будет,Полупроводящее покрытие следует наносить на тот участок поверхности покрышки, где при воздействии испытательных напряжений напряженность основного поля ввода оавналибо превышает 1,5 ИВ/и, поскольку именно на этом участке поверхности образуются заряды, увеличивающие напряженность. на границе раздела твердого диэлектрика и воздуха до критического значения, при котором могут возникать самостоятельные разряды в воздухе.Если же при воздействии испытательных напряжений напряженность основного поля ввода на внешней поверхности покрышки нигде не достигает 1,5 МВ/и, то полупроводящее покрытие не нужно. Однако в этом случае изоляция ввода обладает излишними запасами электрической прочности. С помощью нанесения полупроводящего покрытия на внешний диаметр покрышки можно уменьшить габаритно"массовые показатели конструкции, увеличить электрическую прочность ввода,Формула изобретенияВысоковольтный газоизолированный ввод, содержащий токоведущий проводник, охватывающие его с зазором, за" полненным изоляционным газом, диэлектрические оребренную и гладкую покрышки, соединенные между собой с помощью Фланца с экраном, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения электрической прочности внешней изоляции ввода, на часть внешней поверхности оребренной по" крышки нанесено полупроводящее по" крытие, с удельным объемным сопротивлениемв пределах1 6спс - ;,аГгде Я - циклическая частота напряжения 9Я - диэлектрическая проницаемостьматериала покрытия;о= Зю 85 10Ф/м;2; - постоянная времени релаксацииповерхностных зарядов,при этом указанное покрытие отделенозазором от Фланца.ектор З.КаЬаций Редактор А.Маковская ир Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гага 1 О Заказ 979ВНИИПИ Государственного к113035, Ио оставитель В,Трифоновехред К,Дидык катета по изобретения сква, В"35Рауаская Подписноен бткрытиям при ГКНТ СССР6., д. 4/5