Патенты с меткой «газоизолированный»
Газоизолированный однофазный электрический кабель
Номер патента: 670250
Опубликовано: 25.06.1979
Автор: Ян
МПК: H01B 9/06
Метки: газоизолированный, кабель, однофазный, электрический
...причем дистдссциоссссьсй элементрасположен в зоне с меньшцч рдсстояцием зот оболочки и выполнен спец)шным по длинекабеля.Ось проводника может быть смесцецаотносительно оси кабеля.Оси проводника и кдбеля могут совпа 10дать, а проводник может быть выполненовальной формы.Такое выполнение приводипг к неравномерному распределению напряженности поля по поверхности проводника, а указанноерасположение дистанционного элементаиз твердофазного диэлектрика позволяетповысить передаваемую мощность при техже габаритах кабеля.На фиг. 1 - 5 изображен предложенныйкабель (варианты выполнения); на фиг. 6 -кабель, изображенный ца фиг. 5, продоль 20ный разрез.Кабель состоит из металлической оболочки 1, заполненной газом под давлением,проводника 2 и...
Гибкий газоизолированный кабель
Номер патента: 1304083
Опубликовано: 15.04.1987
Авторы: Беренгилова, Панов, Петерсон
МПК: H01B 9/06
Метки: газоизолированный, гибкий, кабель
...чертеже изображен кабель.Кабель состоит из внутренней цилиндрической металлической гильзы 1, центрального отверстия изолятора 2 -- эпоксидцого изолятора 3, внутренних тоцовых экранов 4 гофрированной токопроводящей жилы 5, мсталлизированной опорной поверхности б изолятора, гибкого металлического элемента 7, внешней цилиндрической металлической гильзы 8, внешних торцовых экранов 9, метал 71 изировацной опо 1 эцой поверхности изс).151- тора 10, гибкого металлического элемента 11. На жилм о надевается внутрецця 51 цилиндрическая гильза 1, ца которой прп помощи внутренних торцовых экранов 4 закрепляется эпоксидцый изолятор 3. Б зазор меж;1 у гильзой 1 и мсталлизированной опор 1 юй цовсрхпостыю изолятора б вставляется гибкий мс галлический...
Высоковольтный газоизолированный ввод
Номер патента: 1561108
Опубликовано: 30.04.1990
Автор: Акимов
МПК: H01B 17/26
Метки: ввод, высоковольтный, газоизолированный
...только геометрией и габаритами ввода.Удельное объемное сопротивление покрытия 5 должно быть таким, цтобы покрытие не искажало основного поля ввода и цтобы постоянная времени релаксации поверхностных зарядов была меньше длительности воздействующего импульса или полуволны переменного напряжения;где О " циклическая частота воздействующего напряжения;Я " диэлектрическая проницаемостматериала покрытия;= 8,85 10Ф/м - диэлектри-.ческая проницаемость вакуума;ь - постоянная времени релаксацииповерхностных зарядов, мень"шая длительностиГимпульса или 10полуволны переменного напряжения.Если й 6то покрытие будетс-оискажать основное поле ввода, а еслиЛюрч - , то заряды не успеют- релак Ь-р 1сировать за время воздействия, что также приведет к...
Однофазный газоизолированный токопровод высокого напряжения
Номер патента: 1584018
Опубликовано: 07.08.1990
МПК: H02G 5/06
Метки: высокого, газоизолированный, однофазный, токопровод
...2 на глубину, составляющую для экрана 4 Н 1- гт для экрана 534Нг- гт, стержневой изолятор 2 с по 3мощью внутренних экранов 4 и 5 крепится одним концом к токоведущей жиле 3,Места крепления стержневого изолятора 2 к токоведущей жиле 3 и к оболочке 1 экранируются внешними экранами 6 и 7, выполненными в виде торов с осью вращения, совпадающей с осью симметрии стержневого изолятора 2, Габариты внешних б и 7 и внутренних 4 и 5 экранов выбраны исходя из обеспечения слабонеоднородного осесимметричного электрического поля с минимально возможными для данной конструкции градиентами потенциала на поверхности стержневого изолятора 2 и экранов 4 - 7. Стержневой изолятор 2 соединен с внешней:оболочкой 1 через контактный элемент 8, Внешний экран...
Однофазный газоизолированный токопровод высокого напряжения
Номер патента: 1658263
Опубликовано: 23.06.1991
Авторы: Антонюк, Бобиков, Трипотень
МПК: H02G 5/06
Метки: высокого, газоизолированный, однофазный, токопровод
...и на поверхности дискового изолятора 2 35слабонеоднородное электрическое поле сградиентами потенциала, не превы нающими максимальные значения напряженностиполя на токоведущей трубе 3.Графики зависимости максимальных 40градиентов электростатического поля на поверхности дисковых изоляторов 2 от соотношения О/б, приведенных к минимальнойнапряженности электрического поля, установленной в коаксиальной оболочке на 45токоведущей трубе постоянного сечения(Е"= Емакс/Емин)(фиг.3), показывают, что какдля изоляторов дисковой формы с переменным профилем (кривая 7), так и для изоляторов в виде простого цилиндрического диска 50(кривая 8) или для коаксиальных цилиндровбез изоляторов (кривая 9) имеется оптимальное соотношение диаметров...