Композиция для теплоизоляционного материала

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК А ИЯ ЕТЕЛЬСТ мо 0; ите утепния ичен ие усадкиости маавы рич сво ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ АВТОРСКОМУ СВИД 1(71) Центральный научно-исследовательский институт строительных конструкций им. В.А.Кучеренко(54) КОГ 1 ПОЗИЦИЯ ДЛЯ ТЕПЛОИЗОЛЯЦИОННОГО ГАТЕРИАЛА(57) Изобретение касается строительных материалов и предназначено длятеплоизоляции стеновых панелей, утепИзобретение относится к стро ль ным материалам и предназначено для теплоизоляции стеновых панелей ления кровель.Цель изобрете - сниженплотности и увел ие прочнтериала.В табл. 1 п ведены сост компо зиций известнои и предлагаемых по примерам 1-3, а в табл. 2 - их йства.Для изготовления теплоизоляционно го материала в карбамидоформальдегид ную смолу добавляют в Определенном порядке поверхностно-активное вещество, алкилрезорцины, роданистый калий трихлорфторметан или пентан, Затем осуществляют механическое перемешивание мешалкой (К=1000-1500 об/мин)) С 08, 9/12, С 08 Ь 6 ления кровли. Изобретение позволяет снизить линейную усадку при 18-20 С до 0,35-0,50, плотность до 70-100 кг/м и увеличить прочность при 10%-ном сжатии до 0,55-0, 80 Г 1 Па за счет использования композиции, содержащей, мас,ч.: карбамидоформальдегидная с ла (65%-ный водный раствор) 100-12 поверхностно-активное вещество ОПО 2,5-3,5; отвердитегь - фосфорная кислота (257.-ный раствор) 8,0-0,0; газообразователь - пентан или трихлорфторметан 6,0-10,0; фракция алкилрезорцинов с Т и 270-280 С 5,0-7,5; роданистые соли щелочных металлов или роданистый аммоний 1,5-2,5.2 табл. в течение0-15 с, в полученную смесь,не прекращая перемешивание, добавляютортофосфорную кислоту 25%-ной концентрации, Через 35-45 с после добавлениякислоты начинается подъем пены и происходит в течение 1 мин 30 с, Отверждение материала происходит в течение3-5 мин, с момента добавления ортофосФфорной кислоты,В композиции используются карбамидоформальдегидные смолы марок Кф-ИТ,КФЖ (ГОСТ 14231-78), поверхностно-активное вещество ОП(ГОСТ 8433-81),газообразователь - трихлорфторметан1549971 У270-280 фС получаемую при ректифика,ции сланцевых водорастворимых Фенолов, Применяемая фракция алкилрезор. цинов имеет следующий химический состав, %:Резорцин 2,5-4,52-Метилрезорцин 1,5-2,54-Метилрезорцин 5,0-6,05-Метилрезорцин 20-402,5-Диметилрезорцин 35-455-Этилрезорцин,4,5-диметилрезорцини неизвестные. алкилрезорцины ОстальноеИспользуют роданистые соли (КСИВ,, ИаСИ 8, МНСИЯ) (ГОСТ 10643-85). 2,5-3,580-10,0 Формула изобретения 20 Композиция для теплоизоляционного материала, включающая карбамидоформальдегидную смолу, поверхностно-активное вещество, оксизтилированный алкилфенол со степенью оксиэтилирования 10, лекгокипящий газообразоваТаблиц а 1 Содержание компонентов, мас.ч., в составах композиций Компонент Известная Предлагаемая 1 2 3 100 2,56,0 120 3,5 10,0 1103,0,8,0 100 1,0 5,0 6,0 7,5 2,0 9,0 10,0 8,0 Карбамидоформальдегидная смолаОП0ТрихлорфторметанПен танДихлортетрафторзтанФракция алкилрезорцинов с Тп 270- 280 СРоданистая сольРоданистыйкалийРоданистыйнатрийРоданистыйаммонийОртофосфоная кис- лота тель и отвердитель, о т л и ч а ю -щ а я с я тем, что, с целью сниженияусадки, плотности материала и увеличення его прочности в качестве газоФобразователя она содержит ентан илитрихлорфторметан и дополнительноФракцию алкилрезорцинов с Т ,=2700280 С, роданистые соли щелочного металла или роданнстый аммопий при следующем соотношении компонентов,мас. чКарбамидоформальдегидная смола (653-ныйводный раствор) 100-120Поверхностно-активное веществоОтвердительТрихлорфторметанили пентан 6,0-10,0Алкилрезорциныс Т,=270-280 С 5,0-7,5Роданистые солищелочных металловили роданистыйамионий 1,5-2,51549971 Таблица 2 Свойства Композиция Прототип Предлагаемаящ 1 2 3100 Плотность, кг/мзПрочность при10%-ном сжатии, МПаУсадка линейнаяпри 18-20 СТеплопроводность,Вт/и К 120 90 70 0,50 0,80 0,75 6,0 0,35 0,45 0,50 0,039 0,045 0,043 0,042 Составитель И.ГинзбургРедактор Н.Кыятулинец Техред,Л.Сердюкова Корректор А.Обручар Тираж 433 Заказ 246 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5